【技术实现步骤摘要】
芯片密封环结构和半导体芯片
本技术涉及半导体
，特别是涉及一种芯片密封环结构和半导体芯片。
技术介绍
由于硅材料具有脆性，在对晶圆进行切割时，切割刀的切割方式会对晶圆的正面和背面产生一定的机械应力，这样可能会在芯片的边缘产生崩角。崩角问题会降低芯片的机械强度，一开始的芯片边缘裂隙在后面的封装工艺中或在芯片产品的使用中会进一步扩散，从而很可能造成芯片断裂，从而导致芯片的电性失效。为了保护芯片内部电路、防止划片损伤、提高芯片可靠性，通常会在芯片外围设计芯片密封环(SealRing，SR)结构。如图1所示，芯片密封环结构包括介于晶圆的切割道(ScribeLane，SL)20和芯片10周围区域(PeripheryRegion，PR)之间的密封环金属层图案12。当沿着切割道进行晶圆切割工艺时，芯片密封环结构可以阻挡由上述晶圆切割工艺造成的从切割道至芯片的不想要的应力扩展与破裂。并且，芯片密封环结构还具有抵抗气液侵蚀能力，可以阻挡水汽或其他化学污染源的渗透与损害。在现今的半导体技术中，半导体组件的尺寸微缩，对芯片密封环的破裂阻挡能力与气液屏蔽能力提出了更高的要求。而在现...
【技术保护点】
1.一种芯片密封环结构，其特征在于，所述芯片密封环结构至少包括：芯片(10)；底保护层(11)，位于所述芯片(10)的主动面上；密封环金属层图案(12)，位于所述底保护层(11)上，且所述密封环金属层图案(12)位于所述芯片(10)的主动面周边；绝缘介质层(13)，位于所述底保护层(11)上，所述绝缘介质层(13)具有隔离开口(132)，所述隔离开口(132)暴露所述密封环金属层图案(12)和所述底保护层(11)；以及，防潮层(15)，位于所述绝缘介质层(13)上及所述隔离开口(132)内，所述防潮层(15)覆盖所述密封环金属层图案(12)的第一暴露部位(12a)以及所述底...
【技术特征摘要】
1.一种芯片密封环结构，其特征在于，所述芯片密封环结构至少包括：芯片(10)；底保护层(11)，位于所述芯片(10)的主动面上；密封环金属层图案(12)，位于所述底保护层(11)上，且所述密封环金属层图案(12)位于所述芯片(10)的主动面周边；绝缘介质层(13)，位于所述底保护层(11)上，所述绝缘介质层(13)具有隔离开口(132)，所述隔离开口(132)暴露所述密封环金属层图案(12)和所述底保护层(11)；以及，防潮层(15)，位于所述绝缘介质层(13)上及所述隔离开口(132)内，所述防潮层(15)覆盖所述密封环金属层图案(12)的第一暴露部位(12a)以及所述底保护层(11)在所述隔离开口(132)内的第二暴露部位(11a)；其中，所述芯片密封环结构通过覆盖在所述密封环金属层图案(12)上的所述防潮层(15)来增强气液阻挡能力，从而避免所述密封环金属层图案(12)受到气液氧化或侵蚀。2.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述隔离开口(132)的宽度大于等于所述密封环金属层图案(12)的宽度，以使所述密封环金属层图案(12)完全暴露于所述隔离开口(132)中，且所述防潮层(15)覆盖所述密封环金属层图案(12)表面。3.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述隔离开口(132)的宽度小于所述密封环金属层图案(12)的宽度，以使所述密封环金属层图案(12)部分暴露于所述隔离开口(1...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。