【技术实现步骤摘要】
一种半导体处理装置
本技术涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及半导体处理装置。
技术介绍
专利号为201210171681.9和201210088237.0的中国专利都公开了一种用于半导体晶圆处理的微腔室处理装置。所述微腔室处理装置均包括第一腔室部和第二腔室部，所述第一腔室部和第二腔室部可在一驱动装置的驱动下装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于容纳并处理该半导体晶圆的关闭位置之间相对移动。第一腔室部与第二腔室部处于关闭位置时形成一微腔室，半导体晶圆放置于所述微腔室内，所述第一腔室部和/或所述第二腔室部中包括一个或多个供处理流体进入的所述微腔室的入口和一个或多个供处理流体排出所述微腔室的出口。处理过程中，处理流体充满整个所述微腔室，而半导体晶圆则整体暴露在处理流体内，因此该微腔室处理装置仅适合对半导体晶圆的整体处理。然而，在一些特殊的半导体器件工艺中，仅需要对半导体晶圆的外缘部分进行针对性处理，且处理过程中不能对半导体晶圆的其他部分造成影响。例如，在一种半导体器件生产过程中，需要将半导体晶圆的外缘部分的薄膜层蚀刻去除而不能破坏其他部分的薄...
【技术保护点】
1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，一片或多片叠放在一起的半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；第一腔室部具有在该第一腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第一槽道，第二腔室部具有在该第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第二槽道，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一槽道和第二槽道连通...
【技术特征摘要】
1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，一片或多片叠放在一起的半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；第一腔室部具有在该第一腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第一槽道，第二腔室部具有在该第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第二槽道，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一槽道和第二槽道连通并共同形成边缘微处理空间，容纳于所述微腔室内的半导体晶圆的外缘伸入所述边缘微处理空间，该边缘微处理空间通过边缘处理通孔与外部相通，流体通过所述边缘处理通孔进入或流出所述边缘微处理空间。2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体晶圆的外缘的第一侧表面、第二侧表面和外端面暴露于所述边缘微处理空间，所述边缘处理通孔中的一个或多个作为流体入口，所述边缘处理通孔中的一个或多个作为流体出口。3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述边缘微处理空间为环形，所述半导体晶圆的整个外缘都伸入所述边缘微处理空间，所述边缘微处理空间为封闭空间，仅通过边缘处理通孔与外部相通；所述第一槽道的内侧壁部顶面抵靠在靠近所述第一腔室部的所述半导体晶圆的第一侧表面上，所述第二槽道的内侧壁部顶面抵靠在靠近所述第二腔室部的所述半导体晶圆的第二侧表面上。4.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，其还包括有一个或多个圆形垫片，该圆形垫片的直径小于...
【专利技术属性】
技术研发人员：温子瑛，王致凯，
申请(专利权)人：无锡华瑛微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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