一种真空管路防护系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种真空管路防护系统，该防护系统包括，反应腔体，以及与反应腔体配套的主泵，前级泵和真空管路；反应腔体与主泵密封连接，反应腔体中容置有第一气体；主泵通过真空管路与前级泵相连接；其中，在真空管路的管壁上设置有一第一注入点，第二气体经第一注入点注入到真空管路中，用于将从反应腔体中抽到真空管路中第一气体浓度稀释至其爆炸下限以下。利用本实用新型专利技术，能更准确、可控的调节以及监控真空管路中第一气体浓度，当第二气体的供气异常时，控制机台停机，确保真空管路中的第一气体的浓度一直低于其爆炸下限，不仅避免真空管路发生爆炸的风险，确保人员及机台的安全，而且可以省去安装防爆毯的费用，节约成本。

【技术实现步骤摘要】
一种真空管路防护系统
本技术涉及一种半导体制造领域，特别是涉及一种真空管路防护系统。
技术介绍
半导体制程工艺中会用到多种易燃易爆气体，如刻蚀工艺中运用到的羟基硫(CarbonylSulfide，COS)气体，羟基硫COS为无色易燃易爆气体，其自燃或爆炸浓度约在11.9％～29％，以目前所知的半导体制造工艺中的二氧化硅干法刻蚀(OXDRYETCH)站点，Recipe(工业自动化制造中的秘方，其内容可包含工艺加工过程中的多个步骤以及各个步骤的各种工艺参数值和该步骤的持续时间)所使用的混合气体中羟基硫COS比例达到13.15％，这就意味着在分子泵(Turbopump)到干式泵(Drypump)真空管路区间，有达到自燃或爆炸的安全风险。然而现有技术中多采用被动的方式来降低事故发生的风险。图1是现有技术中真空管路防护系统示意图，包括，机台的反应腔体1’以及与所述反应腔体1’配套的主泵2’，前级泵5’和真空管路3’；所述反应腔体1’与所述主泵2’密封连接，所述反应腔体1’中容置有可燃气体；所述主泵2’通过所述真空管路3’与所述前级泵5’相连接；所述真空管路3’包括真空管道32’以及密封圈33’本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空管路防护系统，其特征在于，包括：反应腔体，以及与所述反应腔体配套的主泵，前级泵和真空管路；所述反应腔体与所述主泵密封连接，所述反应腔体内容置有第一气体；所述主泵通过所述真空管路与所述前级泵相连接；其中，在所述真空管路的管壁上设置有第一注入点，第二气体经所述第一注入点注入到所述真空管路中，用于将从所述反应腔体中进入所述真空管路中的所述第一气体的浓度稀释。

【技术特征摘要】
1.一种真空管路防护系统，其特征在于，包括：反应腔体，以及与所述反应腔体配套的主泵，前级泵和真空管路；所述反应腔体与所述主泵密封连接，所述反应腔体内容置有第一气体；所述主泵通过所述真空管路与所述前级泵相连接；其中，在所述真空管路的管壁上设置有第一注入点，第二气体经所述第一注入点注入到所述真空管路中，用于将从所述反应腔体中进入所述真空管路中的所述第一气体的浓度稀释。2.根据权利要求1所述的真空管路防护系统，其特征在于，所述第一气体包括可燃气体。3.根据权利要求2所述的真空管路防护系统，其特征在于，经所述第二气体稀释后的所述真空管路中的所述第一气体的浓度低于其爆炸下限。4.根据权利要求1所述的真空管路防护系统，其特征在于，所述第一注入点与气体供应源连接，所述第一注入点所述气体供应源之间设置有气体流量计。5.根据权利要求4所述的真空管路防护系统，其特征在于，所述系统还包括第一控制台，所述第一控制台与所述气体流量计相连接，用于实时监控和调整所述第二气体经所述第一注入点注入到所述真空管路中的注入流量，并在所述第二气体的注入流量异常时控制所述反应腔体所属的机台停机。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34