等离子体反应腔室用带磁铁环的直冷阴极衬套制造技术

等离子体反应腔室用带磁铁环的直冷阴极衬套，包括衬套主体；衬套主体包括圆柱型衬套基体；衬套基体外壁的左端头设置有法兰凸台；法兰凸台的右侧、在衬套基体的外壁上设置有卡紧凸台；卡紧凸台的右端、在衬套基体的外壁上匹配设置有盖板；盖板与卡紧凸台之间构成封闭的安装空腔；安装空腔内匹配设置有环形的永久磁铁圈；后期使用过程中，永久磁铁圈套紧在卡紧凸台上不易发生偏移，且盖板也套牢在衬套基体上，并通过焊接的方式固定在衬套主体的右端头，整个直冷阴极衬套的稳定性强，能够保证永久磁铁圈的密封效果，增加了直冷阴极衬套的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
等离子体反应腔室用带磁铁环的直冷阴极衬套
本技术涉及半导体工艺处理设备
，特别涉及等离子体反应腔室用带磁铁环的直冷阴极衬套。
技术介绍
等离子反应腔室是半导体芯片加工的关键设备，用于处理半导体晶圆以制造集成电路，通常通过施加射频场将反应腔室内的蚀刻气体或沉积气体激励成等离子体状态来使用真空处理室蚀刻和将材料化学气相沉积在衬底上。在等离子刻蚀过程中，会生成大量的C1基、F基等活性自由基，在对半导体器件进行刻蚀时，也会对铝和铝合金制造的等离子反应腔室的内表面产生腐蚀作用，这种强烈的侵蚀产生了大量的颗粒，导致需要频繁的维护生产设备。因此在生产过程中就需要保证等离子体最小的环境腐蚀性和最小化颗粒污染，需要一种能够约束等离子体的装置，防护等离子侵蚀，减少等离子体对反应腔室的腐蚀，故在衬套内设置永久磁铁环。现有技术中的直冷阴极衬套采用凹槽的方式固定永久磁铁，该种方式会导致永久磁铁在安装时较为不便，且在焊接顶盖时容易造成永久磁铁的损坏，加之后期的维修和更换不便，增加了工人的操作强度；长时间工作后衬套表面的焊缝易损坏，安装在凹槽内的永久磁铁会发生偏移，稳定性能差，且凹槽的密封效果被破坏后，永久本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.等离子体反应腔室用带磁铁环的直冷阴极衬套，包括衬套主体（1）；其特征在于：所述衬套主体（1）包括圆柱型衬套基体（11）；所述衬套基体（11）外壁的左端头设置有法兰凸台（12）；所述法兰凸台（12）的右侧、在衬套基体（11）的外壁上设置有卡紧凸台（13）；所述卡紧凸台（13）的右端、在衬套基体（11）的外壁上匹配设置有盖板（2）；所述盖板（2）与卡紧凸台（13）之间构成封闭的安装空腔（3）；所述安装空腔（3）内匹配设置有环形的永久磁铁圈（4）；所述衬套基体（11）在卡紧凸台（13）左侧处端面的外径尺寸大于衬套基体（11）在卡紧凸台（13）右侧处端面的外径尺寸；所述卡紧凸台（13）包括从上往下...

【技术特征摘要】
1.等离子体反应腔室用带磁铁环的直冷阴极衬套，包括衬套主体（1）；其特征在于：所述衬套主体（1）包括圆柱型衬套基体（11）；所述衬套基体（11）外壁的左端头设置有法兰凸台（12）；所述法兰凸台（12）的右侧、在衬套基体（11）的外壁上设置有卡紧凸台（13）；所述卡紧凸台（13）的右端、在衬套基体（11）的外壁上匹配设置有盖板（2）；所述盖板（2）与卡紧凸台（13）之间构成封闭的安装空腔（3）；所述安装空腔（3）内匹配设置有环形的永久磁铁圈（4）；所述衬套基体（11）在卡紧凸台（13）左侧处端面的外径尺寸大于衬套基体（11）在卡紧凸台（13）右侧处端面的外径尺寸；所述卡紧凸台（13）包括从上往下依次设置的第一阶梯轴面（131）和第二阶梯轴面（132）；所述盖板（2）通过焊接的方式固定在衬套主体（1）的右端头；所述盖板（2）...

【专利技术属性】
技术研发人员：游利，
申请(专利权)人：靖江先锋半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32