碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备，属于晶体生长领域。所述碳化硅单晶生长装置包括坩埚，坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的坩埚体，以及上侧壁和坩埚盖；上侧壁安装在所述下侧壁上，坩埚盖用于盖合在所述上侧壁上；坩埚体、上侧壁和坩埚盖形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间；或者，坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的下坩埚体，以及主要由上侧壁和坩埚盖形成的上坩埚体；上坩埚体的上侧壁安装盖合在所述下坩埚体的下侧壁上，以使上坩埚体和下坩埚体形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间。上述碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备制备碳化硅单晶的过程中可以避免坩埚整体损坏，并减少人员受伤的几率。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备
本专利技术涉及晶体生长领域，尤其是涉及一种碳化硅单晶生长装置，以及包括该碳化硅单晶生长装置的碳化硅单晶制备设备。
技术介绍
现有技术中一般通过物理气相沉积的方式获得碳化硅单晶。依照该方法制备碳化硅单晶的设备包括坩埚，坩埚的材质一般为石墨，其包括坩埚体和坩埚盖，坩埚盖能够盖合在坩埚体上，从而在坩埚内形成密闭的生长空间。坩埚的底部用于放置碳化硅粉料，顶部则设置有生长基座；生长基座上用于固定碳化硅籽晶，且具有碳化硅单晶的生长面。具体制备碳化硅单晶的大致过程为：首先以感应加热的方式使石墨坩埚发热，并使石墨坩埚在竖直方向上形成温度梯度，且底部的温度高，而顶部的温度低；在石墨坩埚底部的温度达到一定温度(例如2100℃)时(且符合其他相应条件，如低压等)，碳化硅粉料会升华形成碳化硅单晶的生长气氛，其气相组分包括气态的Si、Si2C、SiC2等，该气相组分会上升；当上升至坩埚顶部时，由于顶部的温度较低，在碳化硅籽晶处就会结晶形成碳化硅单晶。但在以上述制备碳化硅单晶的过程中，会存在以下问题：在上述碳化硅单晶的生长过程中，气相组分并不限于在碳化硅单晶生长基座的生长本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于碳化硅单晶生长装置，其特征在于，包括坩埚，所述坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的坩埚体，以及上侧壁和坩埚盖；所述上侧壁安装在所述下侧壁上，所述坩埚盖用于盖合在所述上侧壁上；所述坩埚体、上侧壁和坩埚盖形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间；或者所述坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的下坩埚体，以及主要由上侧壁和坩埚盖形成的上坩埚体；所述上坩埚体的上侧壁安装盖合在所述下坩埚体的下侧壁上，以使所述上坩埚体和下坩埚体形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间。

【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅单晶生长装置，其特征在于，包括坩埚，所述坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的坩埚体，以及上侧壁和坩埚盖；所述上侧壁安装在所述下侧壁上，所述坩埚盖用于盖合在所述上侧壁上；所述坩埚体、上侧壁和坩埚盖形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间；或者所述坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的下坩埚体，以及主要由上侧壁和坩埚盖形成的上坩埚体；所述上坩埚体的上侧壁安装盖合在所述下坩埚体的下侧壁上，以使所述上坩埚体和下坩埚体形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间。2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述上侧壁与下侧壁的相接面为斜面，且自坩埚的内向外方向向下倾斜。3.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述上侧壁的高度与下侧壁的高度的比值范围在1：2.5-1：5。4.根据权利要求3所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述上侧壁的高度与下侧壁的高度的比值为1：3。5.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述碳化硅单晶生长装置还包括生长基座和缓冲机...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈泽斌，张洁，廖弘基，陈华荣，
申请(专利权)人：福建北电新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35