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本发明提供了一种碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备，属于晶体生长领域。所述碳化硅单晶生长装置包括坩埚，坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的坩埚体，以及上侧壁和坩埚盖；上侧壁安装在所述下侧壁上，坩埚盖用于盖合在所述上侧壁上；坩埚体、上侧壁和坩...
该专利属于福建北电新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建北电新材料科技有限公司授权不得商用。

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