接近传感器的制造方法及接近传感器的制造系统技术方案

技术编号:20764188 阅读:37 留言:0更新日期:2019-04-03 14:28
本发明专利技术提供一种接近传感器的制造方法及制造系统,能够提高检测精度或扩大可检测范围。本发明专利技术提供将检测体的有无或位置作为检测结果进行输出的接近传感器的制造方法。制造方法包含以下步骤:将接近传感器配置在温度可变环境中;将接近传感器的环境分别设定成多种不同温度,并将各温度下由接近传感器的温度检测部检测的温度和控制运算部输出的检测结果相关联地储存;基于储存的温度及检测结果,决定对象接近传感器固有的特性参数;以及向对象接近传感器设定决定的特性参数。

【技术实现步骤摘要】
接近传感器的制造方法及接近传感器的制造系统
本专利技术涉及一种接近传感器的制造方法及接近传感器的制造系统。
技术介绍
在工厂自动化(factoryautomation,FA)的
,利用有接近传感器,所述接近传感器将检测体的有无或距检测体的距离作为检测结果进行输出。关于接近传感器提出有多种检测方式,例如在高频振荡式接近传感器中,是从一次线圈放射高频,并基于二次线圈(有时与一次线圈共通)产生的波形的变化,来进行检测。关于此种接近传感器,例如在日本专利特开平05-218845号公报(专利文献1)公开有以下构成:为了相应于希望的作动距离来调整接近开关,而搭载编程单元(programmingunit)。此外,众所周知,接近传感器根据周围温度变化而其检测特性会受到影响。例如,日本专利特开平01-233913号公报(专利文献2)中公开了一种学习型温度补偿电路。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开平05-218845号公报[专利文献2]日本专利特开平01-233913号公报
技术实现思路
[专利技术欲解决的课题]存在提高接近传感器的检测精度、或者扩大接近传感器的可检测范围等需求。在日本专利特开平05-218845号公报(专利文献1)公开的构成中,虽然能够设定各个接近开关的作动距离,但只靠这样的构成并不能满足如上所述的需求。日本专利特开平01-233913号公报(专利文献2)虽然能够利用温度补偿电路来提高检测精度,但是无法降低因制造工序、零件特性的偏差的影响。本专利技术的目的之一在于提供一种能够提高检测精度或扩大可检测范围的接近传感器的制造方法及制造系统。[解决课题的手段]根据本专利技术的实施方式,提供一种将检测体的有无或位置作为检测结果进行输出的接近传感器的制造方法。制造方法包含将接近传感器配置在温度可变的环境中的步骤。接近传感器包括含有检测线圈及电容器的检测部、对检测部进行激振的振荡电路、对接近传感器的壳体内的温度进行检测的温度检测部及控制运算部,所述控制运算部基于检测部产生的信号变化,将表示距检测体的距离的信号作为检测结果进行输出。制造方法还包含以下步骤:将接近传感器的环境分别设定成多种不同温度,并将各温度下由接近传感器的温度检测部检测的温度和控制运算部输出的检测结果相关联地储存;基于储存的温度及检测结果,决定对象接近传感器固有的特性参数;以及向对象接近传感器设定决定的特性参数。根据本专利技术的另一实施方式,提供一种将检测体的有无或位置作为检测结果进行输出的接近传感器的制造系统。制造系统包含恒温槽,所述恒温槽中收纳一个或多个接近传感器,并改变温度环境。接近传感器包括含有检测线圈及电容器的检测部、对检测部进行激振的振荡电路、对接近传感器的壳体内的温度进行检测的温度检测部及控制运算部,所述控制运算部基于检测部产生的信号变化,将表示距检测体的距离的信号作为检测结果进行输出。制造系统还包含:储存部件,将接近传感器的环境分别设定成多种不同温度,并将各温度下由接近传感器的温度检测部检测的温度和控制运算部输出的检测结果相关联地储存;决定部件,基于储存的温度及检测结果,决定对象接近传感器固有的特性参数;以及设定部件,向对象接近传感器设定决定的特性参数。[专利技术的效果]根据本专利技术的实施方式,可提供一种能够提高检测精度或扩大可检测范围的接近传感器的制造方法及制造系统。附图说明图1是本实施方式相关的接近传感器的立体图。图2是图1所示的接近传感器的从A-A线箭头方向看的截面图。图3是表示构成本实施方式相关的接近传感器的处理电路的构成例的框图。图4(A)、图4(B)、图4(C)是用来对本实施方式相关的接近传感器的动作原理进行说明的图。图5是表示本实施方式相关的接近传感器的主电路的功能构成的示意图。图6(A)、图6(B)是用来对检测特性变化中产生的检测特性的温度变化及针对温度变化的补偿进行说明的图。图7是用来对本实施方式相关的接近传感器的特性参数的决定方法进行说明的示意图。图8是表示图7所示的设定装置的硬件构成的一个例子的示意图。图9是表示包含本实施方式相关的接近传感器的特性参数的决定及设定的制造方法的处理顺序的流程图。图10是表示本实施方式相关的制造系统的设定装置中储存的收集数据的数据结构的一个例子的图。[符号的说明]1:接近传感器;2:主体部;4:引线;6:壳体;8:检测面;10:垫片;12、14:螺母;16:检测线圈;17:电容器;18:铁氧体磁芯;20:处理电路;22:检测部;30:主电路;32:控制运算电路;34:振荡电路;36:A/D变换电路;38:内部温度传感器;40:存储部;42:特性参数;44:外部温度传感器;50:电源电路;60:保护电路;62:接口电路;82:电导运算处理部;84:补偿部;86:阈值处理部;100:制造系统;200:设定装置;202:处理器;204:光学驱动器;205:记录介质;206:主存储装置;208:网络控制器;210:总线;212、214:通讯控制器;216:输入部;218:显示部;220:二次存储装置;222:数据收集程序;224:特性参数决定程序;226:特性参数设定程序;228:收集数据;300:恒温槽;302:槽内温度传感器;304:信号变换装置;310:端子台;312:集线装置;314:控制装置;2280:表;2281:通道编号;2282:识别编号;2283:槽内温度;2284:壳体内温度;2285:检测值;M:中心轴;W:检测体。具体实施方式一边参照附图,一边详细说明本专利技术的实施方式。另外,关于图中的相同或相当部分,标注相同符号,不重复其说明。<A.接近传感器的构成>首先,说明本实施方式相关的接近传感器1的构成。本实施方式相关的接近传感器1将检测体W的有无或位置作为检测结果输出。作为检测体W假设是金属等导电性物体。图1是本实施方式相关的接近传感器1的立体图。图2是图1所示的接近传感器1的从A-A线箭头方向看的截面图。参照图1,接近传感器1具有主体部2和引线4,所述引线4连接于主体部2。接近传感器1中还可以安装螺母12、螺母14及垫片10,所述垫片10配置在螺母12和螺母14之间。主体部2具有筒状壳体6和圆形检测面8,所述圆形检测面8配置在所述壳体6的一端。检测面8也可以作为嵌入壳体6的盖(cap)的一部分而构成。在壳体6的表面,形成有螺母12、螺母14用的螺纹槽。而且,也可以在主体部2上配置未图示的动作显示灯等。螺母12、螺母14及垫片10用于将主体部2安装到装置等的支撑部件。例如,通过将安装配件(例如L字状配件)的一部分夹入螺母12与螺母14之间,可以将主体部2固定于支撑部件。参照图2,在主体部2的壳体6内,具有检测线圈16、铁氧体磁芯18及处理电路20,所述处理电路20在基板上配置有元件。在壳体6内填充树脂,从外部进行密封。检测线圈16是使用环状或大体环状的线圈。以检测线圈16的实质的中心位于壳体6的中心轴M上的方式构成。检测线圈16和处理电路20电连接。处理电路20经由引线4接受电力供给,并将检测结果等向外部输出。还可以在检测线圈16附近,配置外部温度传感器44。将外部温度传感器44检测出的温度向处理电路20输出。另外,在图1中表示的构成是引线4直接连接于主体部2,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接近传感器的制造方法,制造将检测体的有无或位置作为检测结果进行输出的接近传感器,其特征在于,包含以下步骤:将所述接近传感器配置在温度可变环境中,所述接近传感器包括含有检测线圈及电容器的检测部、对所述检测部进行激振的振荡电路、对所述接近传感器的壳体内的温度进行检测的温度检测部及控制运算部,所述控制运算部基于所述检测部产生的信号变化,将表示距所述检测体的距离的信号作为所述检测结果进行输出;将所述接近传感器的环境分别设定成多种不同温度,并将各温度下由所述接近传感器的所述温度检测部检测的温度和所述控制运算部输出的检测结果相关联地储存;基于储存的所述温度及所述检测结果,决定对象接近传感器固有的特性参数;以及对所述对象接近传感器设定决定的所述特性参数。

【技术特征摘要】
2017.09.25 JP 2017-1833721.一种接近传感器的制造方法,制造将检测体的有无或位置作为检测结果进行输出的接近传感器,其特征在于,包含以下步骤:将所述接近传感器配置在温度可变环境中,所述接近传感器包括含有检测线圈及电容器的检测部、对所述检测部进行激振的振荡电路、对所述接近传感器的壳体内的温度进行检测的温度检测部及控制运算部,所述控制运算部基于所述检测部产生的信号变化,将表示距所述检测体的距离的信号作为所述检测结果进行输出;将所述接近传感器的环境分别设定成多种不同温度,并将各温度下由所述接近传感器的所述温度检测部检测的温度和所述控制运算部输出的检测结果相关联地储存;基于储存的所述温度及所述检测结果,决定对象接近传感器固有的特性参数;以及对所述对象接...

【专利技术属性】
技术研发人员:长谷川亮太土田裕之宫本和昭林裕介松冈宪司
申请(专利权)人:欧姆龙株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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