【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电子设备的包括热存储能力的多层散热器件相关申请的交叉引用本申请要求于2016年8月2日向美国专利商标局提交的非临时申请No.15/226,727的优先权和权益,其全部内容通过援引纳入于此。背景领域各种特征涉及用于电子设备的多层散热器件,尤其涉及包括热存储能力的多层散热器件。
技术介绍
电子设备包括产生热量的内部组件。这些内部组件中的某一些包括中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)和/或存储器。一些内部组件可产生大量的热。具体而言,电子设备的高性能CPU和/或GPU可产生大量热,尤其是在执行数据密集型操作(例如,游戏、处理视频)时。为了抵消或消散CPU和/或GPU产生的热量,电子设备可包括散热器件(诸如散热器)。图1-3解说了包括用于消散芯片产生的热量的散热器的移动设备的示例。如图1和2中所示,移动设备100包括显示器102、背侧表面200、管芯202、以及散热器204。管芯202和散热器204(两者都用虚线示出)位于移动设备100内部。管芯202耦合到散热器204的第一表面。散热器204的第二表面耦合到背侧表面200的第一表面(例如,内表面)。图3解说了包括散热器204的移动设备100的剖视图。如图3中所示,移动设备100包括显示器102、背侧表面200、前侧表面300、底侧表面302、和顶侧表面304。图3还解说了移动设备100内的印刷电路板(PCB)306、管芯202以及散热器204。如在图3中进一步示出的,管芯202的第一侧耦合到PCB306的第一表面。管芯202的第二侧耦合到散热器204的第一表面。散热器204的第二表面耦合到背侧表面200的 ...
【技术保护点】
1.一种多层散热器件,包括:第一散热层;第二散热层;第一间隔物,其耦合到所述第一散热层和所述第二散热层;以及第一相变材料(PCM),其位于所述第一散热层、所述第二散热层和所述第一间隔物之间。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.02 US 15/226,7271.一种多层散热器件,包括:第一散热层;第二散热层;第一间隔物,其耦合到所述第一散热层和所述第二散热层;以及第一相变材料(PCM),其位于所述第一散热层、所述第二散热层和所述第一间隔物之间。2.如权利要求1所述的多层散热器件,其特征在于,进一步包括:第二间隔物,其耦合到所述第一散热层和所述第二散热层;以及第二相变材料(PCM),其在所述第一散热层、所述第二散热层、所述第一间隔物和所述第二间隔物之间。3.如权利要求2所述的多层散热器件,其特征在于,所述第一PCM包括第一熔化温度,并且所述第二PCM包括小于所述第一PCM的所述第一熔化温度的第二熔化温度。4.如权利要求2所述的多层散热器件,其特征在于,进一步包括:第三散热层;第三间隔物,其耦合到所述第二散热层和所述第三散热层;以及第三相变材料(PCM),其位于所述第二散热层和所述第三散热层之间,其中所述第三PCM被所述第三间隔物包围。5.如权利要求4所述的多层散热器件,其特征在于,进一步包括:第四间隔物,其耦合到所述第二散热层和所述第三散热层;以及第四相变材料(PCM),其位于所述第二散热层、所述第三散热层、所述第三间隔物和所述第四间隔物之间。6.如权利要求5所述的多层散热器件,其特征在于,所述第一PCM包括第一熔化温度,所述第二PCM包括第二熔化温度,所述第三PCM包括第三熔化温度,并且所述第四PCM包括第四熔化温度,并且其中所述第一PCM的所述第一熔化温度大于所述第二熔化温度、所述第三熔化温度和所述第四熔化温度。7.如权利要求1所述的多层散热器件,其特征在于,所述第一间隔物包括导热粘合层和/或热绝缘层。8.如权利要求1所述的多层散热器件,其特征在于,所述第一散热层耦合到发热区域和/或被配置成产生热量的区域。9.如权利要求1所述的多层散热器件,其特征在于,所述第一散热层通过热界面材料耦合到发热组件。10.如权利要求1所述的多层散热器件,其特征在于,所述多层散热器件被纳入到从包括以下各项的组中选择的设备中:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、物联网(IoT)设备、膝上型计算机、服务器、以及机动车中的设备。11.一种装备,包括:第一散热装置;第二散热装置;第一间隔物,其耦合到所述第一散热装置和所述第二散热装置;以及第一储热装置,其位于所述第一散热装置、所述第二散热装置和所述第一间隔物之间。12.如权利要求11所述的装备,其特征在于,进一步包括:第二间隔物,其耦合到所述第一散热装置和所述第二散热装置;以及第二储热装置,其位于所述第一散热装置、所述第二散热装置、所述第一间隔物和所述第二间隔物之间。13.如权利要求12所述的装备,其特征在于,所述第一储热装置包括第一熔化温度,并且所述第二储热装置包括小于所述第一储热装置的所述第一熔化温度的第二熔化温度。14.如权利要求12所述的装备,其特征在于,进一步包括:第三散热装置;第三间隔物,其耦合到所述第二散热装置和所述第三散热装置;以及第三储热装置,其位于所述第二散热装置和所述第三散热装置之间,其中所述第三储热装置被所述第三间隔物包围。15.如权利要求14所述的装备,其特征在于,进一步包括:第四间隔物,其耦合到所述第二散热装置和所...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·罗萨莱斯,V·齐里克,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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