磁阻随机存取存储器件制造技术

本发明专利技术提供一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件，该MRAM器件包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并包括处于非晶态的二元金属硼化物；籽晶图案，在阻挡图案上并包括金属；在籽晶图案上的MTJ结构；以及在MTJ结构上的上电极。

【技术实现步骤摘要】
磁阻随机存取存储器件
本专利技术构思涉及磁阻随机存取存储(MRAM)器件。
技术介绍
磁隧道结(MTJ)结构可以嵌入在逻辑器件中。在逻辑器件的制造中，在MTJ结构形成在逻辑器件中之后，MTJ结构会经受用于形成布线的高温工艺。MTJ结构的特性会受下电极的结晶度影响。
技术实现思路
示例实施方式提供一种具有良好特性的MRAM器件。根据示例实施方式，提供一种MRAM器件。MRAM器件可以包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并且包括处于非晶态的二元金属硼化物；籽晶图案，在阻挡图案上并包括金属；在籽晶图案上的MTJ结构；以及在MTJ结构上的上电极。根据示例实施方式，提供一种MRAM器件。MRAM器件可以包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并且包括通过结合第一金属和硼而形成的第一金属硼化物；籽晶图案，在阻挡图案上并且包括第二金属；MTJ结构，在籽晶图案上；以及在MTJ结构上的上电极。第一金属硼化物的形成能可以小于通过结合第二金属和硼而形成的第二金属硼化物的形成能。根据示例实施方式，提供一种MRAM器件。MRAM器件可以包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并且包括处于非晶态的三元金属硼氮化物；籽晶图案，在阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁阻随机存取存储器件，包括：下电极；在所述下电极上的阻挡图案，所述阻挡图案包括处于非晶态的二元金属硼化物；在所述阻挡图案上的籽晶图案，所述籽晶图案包括金属；在所述籽晶图案上的磁隧道结结构；以及在所述磁隧道结结构上的上电极。

【技术特征摘要】
2017.09.27 KR 10-2017-01254771.一种磁阻随机存取存储器件，包括：下电极；在所述下电极上的阻挡图案，所述阻挡图案包括处于非晶态的二元金属硼化物；在所述阻挡图案上的籽晶图案，所述籽晶图案包括金属；在所述籽晶图案上的磁隧道结结构；以及在所述磁隧道结结构上的上电极。2.如权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述阻挡图案包括钽硼化物、钛硼化物、铪硼化物、锆硼化物、钒硼化物、铌硼化物和钪硼化物中的一种。3.如权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述阻挡图案包括钽硼化物。4.如权利要求3所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述阻挡图案包括在5wt％至40wt％的范围内的量的硼。5.如权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述籽晶图案包括钌、铼、铱、铑和铪中的一种。6.如权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述籽晶图案包括钌。7.如权利要求6所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述阻挡图案包括钽硼化物。8.如权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述下电极包括钛氮化物、钽氮化物或钨氮化物。9.如权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，还包括：在所述阻挡图案和所述籽晶图案之间的粘附图案。10.如权利要求9所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述粘附图案包括钽或钛。11.如权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述阻挡图案的所述二元金属硼化物的第一形成能小于用于由所述籽晶图案的金属和硼形成金属硼化物的第二形成能。12.如权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述阻挡图案的所述二元金属硼化物的第一形成能具有负值。13.如权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述阻挡图案的所述二元金属硼化物在等于或大于400℃的温度保持非晶。14.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊明，金柱显，朴正桓，吴世忠，张荣万，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR