【技术实现步骤摘要】
磁阻效应元件及磁阻效应元件的制造方法相关申请案本申请案享有以日本专利申请案2017-180050号(申请日：2017年9月20日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
实施方式总体而言涉及一种磁阻效应元件及磁阻效应元件的制造方法。
技术介绍
业界已知有表现出磁阻效应的磁阻效应元件。磁阻效应是在2个强磁性体的磁化方向平行时及反平行时，磁阻效应元件表现出不同阻抗的现象。
技术实现思路
实施方式提供一种经改善的磁阻效应元件及磁阻效应元件的制造方法。总体而言，根据一实施方式，磁阻效应元件的制造方法包括：形成第2层，所述第2层形成在包含强磁性层及含有氧化镁的第1层的积层体上，且所述第2层及氧化镁对于利用离子束进行的第1蚀刻具有大于1的选择比；及通过将所述第2层用作掩模的所述第1蚀刻，对所述积层体进行蚀刻。附图说明图1表示一实施方式的磁存储装置的局部截面构造。图2表示一实施方式的磁存储装置的经放大的局部截面构造。图3表示一实施方式的磁存储装置的制造步骤中的一状态。图4表示几种材料的标准生成焓的绝对值。图5表示几种材料的标准生成焓的绝对值。...
【技术保护点】
1.一种磁阻效应元件的制造方法，其包括：形成第2层，所述第2层形成在包含强磁性层及含有氧化镁的第1层的积层体上，且所述第2层及氧化镁对于利用离子束进行的第1蚀刻具有大于1的选择比；及通过将所述第2层用作掩模的所述第1蚀刻，对所述积层体进行蚀刻。
【技术特征摘要】
2017.09.20 JP 2017-1800501.一种磁阻效应元件的制造方法，其包括：形成第2层，所述第2层形成在包含强磁性层及含有氧化镁的第1层的积层体上，且所述第2层及氧化镁对于利用离子束进行的第1蚀刻具有大于1的选择比；及通过将所述第2层用作掩模的所述第1蚀刻，对所述积层体进行蚀刻。2.根据权利要求1所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述第2层在开始进行所述蚀刻时，具有孤立的图案。3.根据权利要求1所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述第2层具备结晶性化合物。4.根据权利要求1所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述第2层具备硫酸银(I)、氯化铝、氟化铝、莫来石、硫酸铝、五氧化二砷、三氧化二砷、氧化铝、碳酸钡矿、氟化钡、硝酸钡、紫翠玉、氢氧化钙、氯化钙、方解石、萤石、白云石、氧化钙、钙钛矿、孔雀石、铁橄榄石、氧化镧、氢氧化镁、镁橄榄石、尖晶石、菱镁矿、冰晶石、氮化硅、β2-鳞石英、氧化钐、及金红石中的至少1种。5.根据权利要求1所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述积层体还包含金属层，且所述第2层形成在所述金属层上。6.根据权利要求5所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述金属层包含钽，且所述第2层具备结晶性化合物。7.根据权利要求2所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述第2层具备结晶性化合物。8.根据权利要求2所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述第2层具备硫酸银(I)、氯化铝、氟化铝、莫来石、硫酸铝、五氧化二砷、三氧化二砷、氧化铝、碳酸钡矿、氟化钡、硝酸钡、紫翠玉、氢氧化钙、氯化钙、方解石、萤石、白云石、氧化钙、钙钛矿、孔雀石、铁橄榄石、氧化镧、氢氧化镁、镁橄榄石、尖晶石、菱镁矿、冰晶石、氮化硅、β2-鳞石英、氧化钐、及金红石中的至少一种。9...
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