结晶化薄膜制造技术

本发明专利技术提供一种结晶化薄膜，该结晶化薄膜具备透明薄膜基材及结晶化铟锡复合氧化物层。结晶化薄膜为通过将具备透明薄膜基材及非晶质铟锡复合氧化物层的非晶质薄膜在特定温度下结晶化而得到的特定温度结晶化薄膜。特定温度结晶化薄膜中的结晶化铟锡复合氧化物层的残余应力σ1与通过将非晶质薄膜在110℃下结晶化而得到的110℃结晶化薄膜中的结晶化铟锡复合氧化物层的残余应力σ2之差为150MPa以下。

【技术实现步骤摘要】
结晶化薄膜
本专利技术涉及结晶化薄膜。
技术介绍
以往，已知透明导电性薄膜具备通过结晶化而减小了电阻值的透明导电层，并包含于触摸面板中。例如，以往提出了如下透明导电性薄膜，其具备挠性透明基材、及形成于其上且包含进行了结晶化的铟·锡复合氧化物(结晶性ITO膜)的透明导电层，透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa(例如，参照日本特开2016-179686号公报。)。对于日本特开2016-179686号公报中记载的透明导电性薄膜，通过将压缩残余应力设为上述下限以上，从而提高了将透明导电性薄膜用于游戏机的触摸面板时的重载荷下的打点特性及耐弯曲性。
技术实现思路
然而，在例如车载触摸面板的情况下，透明导电性薄膜暴露于高温高湿气氛中。但是，对于日本特开2016-179686号公报中记载的透明导电性薄膜，若暴露于高温高湿气氛，则有在较短时间内在透明导电层上产生裂纹(破裂)的不良情况。本专利技术提供即使暴露于高温高湿气氛，也能够抑制在较短的时间内产生损伤的结晶化薄膜。本专利技术(1)包括一种结晶化薄膜，其具备透明薄膜基材及结晶化铟锡复合氧化物层，前述结晶化薄膜为通过将具备透明薄膜基材及非晶质铟锡复合氧化物层的非晶质薄膜在特定温度下结晶化而得到的特定温度结晶化薄膜，前述特定温度结晶化薄膜中的结晶化铟锡复合氧化物层的残余应力σ1与通过将前述非晶质薄膜在110℃下结晶化而得到的110℃结晶化薄膜中的结晶化铟锡复合氧化物层的残余应力σ2之差为150MPa以下。本专利技术(2)包括根据(1)所述的结晶化薄膜，前述特定温度结晶化薄膜通过前述非晶质薄膜在前述特定温度下的加热，相对于前述非晶质薄膜发生了收缩，前述110℃结晶化薄膜通过前述非晶质薄膜在110℃下的加热，相对于前述非晶质薄膜发生了收缩，前述特定温度结晶化薄膜的收缩率SR1与前述110℃结晶化薄膜的收缩率SR2之差为0.05％以下。本专利技术(3)包括根据(1)或(2)所述的结晶化薄膜，前述特定温度结晶化薄膜及前述110℃结晶化薄膜在一定的拉伸载荷下从25℃及10％RH加热及加湿到85℃及85％RH时，均伸长，前述特定温度结晶化薄膜的伸长率EP1与前述110℃结晶化薄膜的伸长率EP2之差为0.07％以下。本专利技术的特定温度结晶化薄膜中的结晶化铟锡复合氧化物层的残余应力σ1与通过将非晶质薄膜在110℃下结晶化而得到的110℃结晶化薄膜中的结晶化铟锡复合氧化物层的残余应力σ2之差小为150MPa以下。因此，即使将本专利技术的特定温度结晶化薄膜暴露于高温高湿气氛，也能够抑制在较短的时间内产生损伤。附图说明图1A及图1B为示出本专利技术的结晶化薄膜的一实施方式的制造方法的工序截面图，图1A示出制造非晶质薄膜的第1工序，图1B示出制造结晶化薄膜的第2工序。图2A及图2B为图1A及图1B所示的结晶化薄膜的变形例(仅包含非晶质铟锡复合氧化物层及透明薄膜基材的结晶化薄膜)的制造方法的工序截面图，图2A示出制造非晶质薄膜的第1工序，图2B示出制造结晶化薄膜的第2工序。图3为用于说明在实施例中残余应力的计算中所用的X射线散射法中的角度θ及Ψ的示意图。具体实施方式<一实施方式>参照图1A及图1B对本专利技术的结晶化薄膜的一实施方式进行说明。图1A及图1B中，纸面上下方向为上下方向(厚度方向、第1方向)，纸面上侧为上侧(厚度方向的一侧、第1方向的一侧)，纸面下侧为下侧(厚度方向的另一侧、第1方向的另一侧)。另外，纸面左右方向及深度方向为与上下方向正交的面方向。具体而言，依据各图的方向箭头。(结晶化薄膜)如图1B所示，结晶化薄膜11形成具有规定厚度的薄膜形状(包含片状)，并沿面方向具有平坦的上表面及平坦的下表面。结晶化薄膜11例如为用于制作与玻璃层9及压敏粘接剂层8(后述)一起包含于图像显示装置的触摸面板用基材等的一个部件，即，不是图像显示装置。即，结晶化薄膜11为不含LCD模块等图像显示元件、玻璃层9、压敏粘接剂层8等，以部件自身流通、产业上可利用的器件。结晶化薄膜11例如朝向上侧依次具备抗粘连层4、透明薄膜基材2、硬涂层3、光学调整层5及结晶化铟锡复合氧化物层7。优选结晶化薄膜11仅包含抗粘连层4、透明薄膜基材2、硬涂层3、光学调整层5及结晶化铟锡复合氧化物层7。以下，依次对各层进行说明。(透明薄膜基材)透明薄膜基材2为用于确保结晶化薄膜11的机械强度的透明的基材。具体而言，透明薄膜基材2与硬涂层3及光学调整层5一起支撑结晶化铟锡复合氧化物层7。需要说明的是，透明薄膜基材2将在后面详细叙述，其具有如图1B的箭头所示那样的向面方向内侧的收缩力，通过该收缩力，对结晶化铟锡复合氧化物层7赋予残余应力σ1。透明薄膜基材2具有薄膜形状，并沿面方向具有平坦的上表面及平坦的下表面。透明薄膜基材2例如为具有挠性的透明薄膜。作为透明薄膜基材2的材料，没有特别限定，例如可列举出环烯烃系树脂、聚酯系树脂(聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等)、乙酸酯系树脂、聚醚砜系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚酰亚胺系树脂、烯烃系树脂、(甲基)丙烯酸类树脂、聚氯乙烯系树脂、聚偏氯乙烯系树脂、聚苯乙烯系树脂、聚乙烯醇系树脂、聚芳酯系树脂、聚苯硫醚系树脂等。作为透明薄膜基材2的材料，优选可列举出环烯烃系树脂。透明薄膜基材2的材料为环烯烃系树脂时，能够将透明薄膜基材2制成各向同性的透明薄膜，能够对结晶化薄膜11赋予各向同性。透明薄膜基材2具有各向同性或双折射性。透明薄膜基材2优选具有各向同性。透明薄膜基材2的面内方向的双折射率例如为200以下，优选为150以下，另外，例如为0以上。透明薄膜基材2的厚度例如为100μm以下，优选为50μm以下，另外，例如为5μm以上，优选为15μm以上。(硬涂层)硬涂层3为用于使结晶化薄膜11(或者后述的制造途中的非晶质薄膜1)不易产生擦伤的擦伤保护层。硬涂层3具有薄膜形状，例如，以接触透明薄膜基材2的上表面的方式配置于透明薄膜基材2的整个上表面。硬涂层3的材料例如为硬涂组合物。作为硬涂组合物，例如，可列举出日本特开2016-179686号公报中记载的混合物等。混合物例如含有丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯系树脂等树脂(粘结剂树脂)。硬涂层3的厚度例如为0.1μm以上，优选为0.5μm以上，另外，例如为10μm以下，优选为5μm以下。(光学调整层)光学调整层5为为了抑制结晶化铟锡复合氧化物层7中的透明电极图案的可视性、并确保结晶化薄膜11优异的透明性而对结晶化薄膜11的光学物性(例如，折射率)进行调整的层。光学调整层5具有薄膜形状，例如以接触硬涂层3的上表面的方式配置于硬涂层3的整个上表面。更具体而言，光学调整层5以与硬涂层3的上表面及结晶化铟锡复合氧化物层7的下表面接触的方式配置于硬涂层3与结晶化铟锡复合氧化物层7之间。光学调整层5的材料例如为光学调整组合物。作为光学调整组合物，例如可列举出日本特开2016-179686号公报中记载的混合物等。混合物例如含有丙烯酸类树脂等树脂(粘结剂树脂)且含有无机系或有机系的颗粒(优选氧化锆等无机系的颗粒)。光学调整层5的厚度例如为50nm以上，优选为100nm以上，另外，例如为800nm以下，优选为300nm以下。(抗粘连层)抗粘连层4在将多个结晶化薄膜11(制造途中的非晶质薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种结晶化薄膜，其特征在于，具备透明薄膜基材及结晶化铟锡复合氧化物层，所述结晶化薄膜为通过将具备透明薄膜基材及非晶质铟锡复合氧化物层的非晶质薄膜在特定温度下结晶化而得到的特定温度结晶化薄膜，所述特定温度结晶化薄膜中的结晶化铟锡复合氧化物层的残余应力σ1与通过将所述非晶质薄膜在110℃下结晶化而得到的110℃结晶化薄膜中的结晶化铟锡复合氧化物层的残余应力σ2之差为150MPa以下。

【技术特征摘要】
2017.09.27 JP 2017-1867641.一种结晶化薄膜，其特征在于，具备透明薄膜基材及结晶化铟锡复合氧化物层，所述结晶化薄膜为通过将具备透明薄膜基材及非晶质铟锡复合氧化物层的非晶质薄膜在特定温度下结晶化而得到的特定温度结晶化薄膜，所述特定温度结晶化薄膜中的结晶化铟锡复合氧化物层的残余应力σ1与通过将所述非晶质薄膜在110℃下结晶化而得到的110℃结晶化薄膜中的结晶化铟锡复合氧化物层的残余应力σ2之差为150MPa以下。2.根据权利要求1所述的结晶化薄膜，其特征在于，所述特定温...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹下翔也，松本圭祐，安藤豪彦，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP