具有高远红外线平均放射率的芯片制造技术

本发明专利技术涉及一种具有高远红外线平均放射率的芯片，其包含有一金属基材，其具有导热性，该金属基材的表面涂布有一防护层，该防护层包含5～10wt％的锗、30～40wt％的碳、10～15wt％的钙、1～10wt％的硅石、1～5wt％的氧及20～53wt％的黏着剂，借此，可释放波长8‑12μm的远红外线，促进微血管扩张，加速血液循环，达到促进新陈代谢，通过锗元素接触人体释放负离子，达到正负电平衡的状态。

【技术实现步骤摘要】
具有高远红外线平均放射率的芯片
本专利技术与一种具有高远红外线平均放射率的芯片有关。
技术介绍
已知的芯片一般配置在衣物上，例如腰带或颈带等，将芯片贴合于人体欲改善的部位上，令使用者吸收芯片发射的远红外线，以强化使用者的身体循环，借此达到改善身体状况的目的。然而，已知的芯片所放射的远红外线平均放射率低，让使用者吸收远红外线的效率不佳，而无法有效促进身体循环。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种具有高远红外线平均放射率的芯片，其具有高远红外线平均放射率，可加强血液循环。为了达到上述的目的，本专利技术提供一种具有高远红外线平均放射率的芯片，其包含有：一金属基材，其具有导热性；以及一防护层，其涂布于该金属基材的表面，该防护层包含5～10wt％的锗、30～40wt％的碳、10～15wt％的钙、1～10wt％的硅石、1～5wt％的氧及20～53wt％的黏着剂。作为优选方案，其中该金属基材选自铁、锌或铝中的其中之一。作为优选方案，其中该防护层包含8wt％的锗、35wt％的碳、12wt％的钙、5wt％的硅石、2wt％的氧及38wt％的黏着剂。作为优选方案，其中该黏着剂为树脂。作为优选方案，其中该防护层喷涂于该金属基材的表面。作为优选方案，其中该高远红外线平均放射率的芯片的远红外线平均放射率为0.98，远红外线波长介于为8-12μm。本专利技术所提供的具有高远红外线平均放射率的芯片，可释放波长8-12μm的远红外线，促进微血管扩张，加速血液循环，达到促进新陈代谢，透过锗元素接触人体释放负离子，达到正负电平衡的状态。附图说明图1为本专利技术的立体图；图2为本专利技术的剖视图；图3为本专利技术的水分子振动变化图，以显示大型水分子变成小型水分子的形态；图4为本专利技术的血球式样变化图，以显示不健康血球变成健康血球的形态。图5为本专利技术的脑波变化图，以显示脑波释放θ波、α波及β波的变化。其中，100-具有高远红外线平均放射率的芯片；10-金属基材；20-防护层。具体实施方式下列实施例将进一步说明本专利技术的其它特征和优点，但该等实施例仅为示例而用，并非对本专利技术的限制。请参阅图1以及图2所示，为本专利技术的立体图及剖视图，其揭示有一种具有高远红外线平均放射率的芯片100，其包含有：一金属基材10，其具有导热性，该金属基材可为铁、锌或铝的其中之一。一防护层20，其喷涂于该金属基材10的表面，该防护层20包含有5～10wt％的锗、30～40wt％的碳、10～15wt％的钙、1～10wt％的硅石、1～5wt％的氧及20～53wt％的黏着剂(主要是利用微米、毫米或奈米级的锗、碳、钙、硅石粉末与黏着剂混合后的液体，经涂布在金属基材的表面，再经固化即可成型防护层。其中在成形过程中会捕捉到氧，使防护层含有氧)，其中，该黏着剂为树脂。本专利技术的防护层20包含8wt％的锗、35wt％的碳、12wt％的钙、5wt％的硅石、2wt％的氧及38wt％的黏着剂为实施例，但不以此为限，使用者可将该具有高远红外线平均放射率的芯片100装设于一带体，以供穿戴使用，当该具有高远红外线平均放射率的芯片100接触人体时，该防护层20会因人体体温而使温度上升，同时释放波长介于8-12μm的远红外线，远红外线平均放射率95％以上，较佳为98％，远红外线可穿透皮肤，并与人体占65％-70％的水产生共振，使水由大分子变成小分子，如图3所示，并经由分子间摩擦产生热，通过热反应促使皮下温度上升，因而可促进微血管扩张，加速血液循环，达到促进新陈代谢、清除体内有害物质、重金属等效果，使新的酵素迅速产生活化细胞，让人体生理机能更活络，增加免疫力而能常保健康，远离疾病。同时，由于该防护层20的锗元素接触人体达32℃就会释放负离子，锗元素由最外侧的轨道向内推动负电子的产生，负电子经由人体肌肤吸收后，由血液带动，使血液中正电较多的不健康血球重新排列为正负电平衡的健康血球，如图4所示，借此可将体内的污染物质及毒素再通过尿液或汗水排出体外，恢复被伤害的细胞让血球细胞增加供氧，使血液干净让人体中混乱和异常的电位回归到正常的运作。其中，该防护层20包含有硅石，同时释放波长介于8-12μm的远红外线和传导负电子，提高该具有高远红外线平均放射率的芯片100的效用。该金属基材10具有导热性，而可均匀传导该芯片100的热量，提高该防护层20的远红外线平均放射率。为了使本专利技术所述的具有高远红外线平均放射率的芯片100能够获得信任与接受，乃以样品委托国家中山科学研究院化学研究所执行平均放射率试验，如下：平均放射率试验：由上述试验结果可得知，本专利技术所提供的具有高远红外线平均放射率的芯片100，在波长为8-12μm的远红外线平均放射率为0.98，而可穿透皮肤与人体占65％-70％的水产生共振，进而透过热反应促使皮下温度上升，因而可促进微血管扩张，加速血液循环，达到促进新陈代谢的效果。本专利技术的样品更委托日本远赤外线応用研究会执行血流量及血流速度试验、保湿性与弹力性试验、温热效果试验、脑波试验和睡眠试验等试验，如下表1-表4所示：表1血流量及血流速度试验：由上述试验结果可得知，试验者使用前的平均血流量为37.96，使用后所测定的平均血流量为39.62，增加了1.044倍，较原本增加了4.6％，试验者使用前的平均血流速度为1.12，使用后平均血流速度为1.19，增加了1.063倍，较原本增加了6.3％，因此，本专利技术所提供的具有高远红外线平均放射率的芯片100，其可增加血流量以及血流速度，加速血液循环。表2保湿性与弹力性试验：由上述试验结果可得知，本专利技术所提供的芯片100，其可增加肌肤保湿性，从原本轻微干燥的57增加为标准水分值62，且弹性度从原本标准以下19增加为标准的21，其中，水分值+弹力值＝判定值，判定值为颜脸颊的评价，由此可见该芯片100可增加肌肤的保湿性及弹力性，使肌肤看起来更加年轻。表3温热效果试验：由上述试验结果可得知，本专利技术所提供的具有高远红外线平均放射率的芯片100，其可促使人体皮下温度上升，因此可使微血管扩张，加速血液循环。表4脑波试验：由上述试验结果可得知，试验者的θ波与α波增加，如图5所示，θ波为修复波，能让人极度放松，修复力强，而α波为健康波，为放松脑波，具高免疫状态，能够分泌脑内吗啡，有自愈能力，因此，本专利技术所提供的具有高远红外线平均放射率的芯片100，其可促使大脑产生对人体有益的脑波。表5睡眠试验：由上述试验结果可得知，试验者的入眠时间从原本14分钟缩减至30秒，中途睡醒时间从原本1小时14分缩减为1小时30秒，深度睡眠时间从原本1小时20分30秒增加至1小时54分，因此，本专利技术所提供的具有高远红外线平均放射率的芯片100，其可帮助使用者快速入眠和降低中途睡醒的时间，借以增加深层睡眠的熟睡度，因此提高睡眠质量。综上所述，以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并非因此而限制本专利技术的专利保护范围，故举凡本专利技术说明书及附图所作等效变化等，皆应包括于本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有高远红外线平均放射率的芯片，其特征在于，包含有：一金属基材，其具有导热性；一防护层，其设于该金属基材的表面，该防护层包含5～10wt％的锗、30～40wt％的碳、10～15wt％的钙、1～10wt％的硅石、1～5wt％的氧及20～53wt％的黏着剂。

【技术特征摘要】
1.一种具有高远红外线平均放射率的芯片，其特征在于，包含有：一金属基材，其具有导热性；一防护层，其设于该金属基材的表面，该防护层包含5～10wt％的锗、30～40wt％的碳、10～15wt％的钙、1～10wt％的硅石、1～5wt％的氧及20～53wt％的黏着剂。2.如权利要求1所述的具有高远红外线平均放射率的芯片，其特征在于，该金属基材选自铁、锌或铝中的其中之一。3.如权利要求1所述的具有高远红外线平均放射率的芯片，其特征在于，该防护层...

【专利技术属性】
技术研发人员：林豊棋，
申请(专利权)人：稷富国际科技有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71