驱动电路制造技术

本发明专利技术的实施方式提供一种驱动电路，能够向高端晶体管的栅极供给更稳定的栅极信号，能够稳定地输出用于驱动负载装置的高压侧输出信号。实施方式的驱动电路(1)具有第一电平移位电路(11)、第二电平移位电路(21)、前置驱动器(51)以及高端晶体管(61)。第一电平移位电路(11)输出第一开关信号。电平移位电路(21)输出第二开关信号。前置驱动器(51)具有根据第一开关信号进行开关的第一开关部(Sw1)、以及根据第二开关信号输出栅极信号(G1)的第二开关部(Sw2)。高端晶体管(61)通过根据栅极信号(G1)供给的第二电源电压(HVss)将高压侧输出信号向输出端子(Vout)输出。

【技术实现步骤摘要】
驱动电路相关申请：本申请享受以日本专利申请2017-181532号(申请日：2017年9月21日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种驱动电路。
技术介绍
以往，设置在驱动负载装置的驱动电路中的内部浮动电源，为了抑制由开关产生的噪声的影响，有时由源极跟随电路构成。当增大晶体管的尺寸，以使源极跟随电路的电力供给能力提高时，有时漏极源极间的电流量因在栅极漏极间产生的寄生电容而变化，使由n型的DMOS等高耐压晶体管构成的高端晶体管的栅极的驱动电压不稳定。当栅极的驱动电压变得不稳定时，高端晶体管不能够稳定地输出用于驱动负载装置的高压侧输出信号。
技术实现思路
实施方式提供一种驱动电路，能够向高端晶体管(英文：highsidetransistor)的栅极供给更稳定的栅极信号，能够稳定地输出用于驱动负载装置的高压侧输出信号。实施方式的驱动电路具有第一电平移位电路、第二电平移位电路、前置驱动器以及高端晶体管。上述第一电平移位电路被输入高压侧驱动信号，并输出将上述高压侧驱动信号向预定的第一信号电平移位后的第一开关信号。上述第二电平移位电路输本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种驱动电路，具有：第一电平移位电路，被输入高压侧驱动信号，输出使上述高压侧驱动信号向预定的第一信号电平移位了的第一开关信号；第二电平移位电路，输出使上述高压侧驱动信号的信号电平向设定为上述预定的第一信号电平以下的预定的第二信号电平移位了的第二开关信号；前置驱动器，具有根据上述第一开关信号对第一电源电压的供给路径的连接或者截断的某一方进行开关的第一开关部、以及通过上述第一开关部的开关而与上述第一电源电压连接、并根据上述第二开关信号输出栅极信号的第二开关部；以及高端晶体管，与设定为比上述第一电源电压低的第二电源电压连接，通过根据上述栅极信号而供给的上述第二电源电压来生成高压侧输出信号，将上述...

【技术特征摘要】
2017.09.21 JP 2017-1815321.一种驱动电路，具有：第一电平移位电路，被输入高压侧驱动信号，输出使上述高压侧驱动信号向预定的第一信号电平移位了的第一开关信号；第二电平移位电路，输出使上述高压侧驱动信号的信号电平向设定为上述预定的第一信号电平以下的预定的第二信号电平移位了的第二开关信号；前置驱动器，具有根据上述第一开关信号对第一电源电压的供给路径的连接或者截断的某一方进行开关的第一开关部、以及通过上述第一开关部的开关而与上述第一电源电压连接、并根据上述第二开关信号输出栅极信号的第二开关部；以及高端晶体管，与设定为比上述第一电源电压低的第二电源电压连接，通过根据上述栅极信号而供给的上述第二电源电压来生成高压侧输出信号，将上述高压侧输出信号向输出端子输出。2.如权利要求1所述的驱动电路，其中，上述第一开关部具有高耐压晶体管，该高耐压晶体管设置于上述第一电源电压与上述第二开关部之间，栅极被输入上述第一开关信号，上述第二开关部具有包括相互串联连接的第一开关晶体管以及第二开关晶体管的CMOS构造，上述第一开关晶体管设置于上述高耐压晶体管与上述高端晶体管之间，栅极被输入上述第二开关信号。3.如权利要求2所述的驱动电路，其中，上述第一开关晶体管具有比上述高耐压晶体管的相互电导大的相互电导。4.如权利要求1所述的驱动电路，其中，具有定时调整电路，上述定时调整电路使上述第一开关信号比上述第二开关信号延迟。5.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：泷田贵之，三轮亮太，清野贵文，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP