一种LED芯片、LED外延片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片、LED外延片及其制备方法，其中，LED外延片可以包括金属衬底、设置在金属衬底表面的GaN成核层、设置在GaN成核层表面的N型GaN层、设置在N型GaN层表面的多量子阱层、设置在多量子阱层表面的GaN阻挡层、设置在GaN阻挡层表面的P型GaN层。本申请公开的上述技术方案，直接利用金属衬底作为LED外延片的衬底，由于整个金属衬底都可以导电，因此，则可以对N型GaN层的电流实现扩展，以使电流均匀分布，从而可以提高内量子效率。另外，由于可以直接在金属衬底上设置电极，因此，则可以不再需要通过刻蚀来在N型GaN层上制备电极，从而可以增大LED外延片的有效发光区域。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片、LED外延片及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，更具体地说，涉及一种LED芯片、LED外延片及其制备方法。
技术介绍
Ⅲ族氮化物基半导体被称为继第一代Si和第二代GaAs之后的第三代半导体材料。相对于第一代和第二代半导体材料，第三代半导体材料因具有禁带宽度大、电子漂移速度快、介电常数小、导热性能好等特点而在光电子器件、高频高功率器件等领域中得到广泛的应用。目前，固态光电子器件的主流结构依然是以电学驱动和外延薄膜P-N异质结来实现各种光电功能。从电学驱动方面来说，依然是追求更高的电注入和输出效率，进而提高光电(电光)转换效率，因此，这就直接涉及到P、N电导层的开发和性能的提升、以及电极材料的研究及其与电导层的接触匹配。在电极材料与电导层的接触匹配方面，现有的方式是在从下至上依次为蓝宝石衬底、GaN成核层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层的LED(LightEmitingDiode，发光二极管)外延片的P型层上涂一层ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)材料，以实现对P型层电流的扩展，而对于N型层，则需要从P型层向下刻蚀到N型层，然后在N型层上制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED外延片，其特征在于，包括金属衬底、设置在所述金属衬底表面的GaN成核层、设置在所述GaN成核层表面的N型GaN层、设置在所述N型GaN层表面的多量子阱层、设置在所述多量子阱层表面的GaN阻挡层、设置在所述GaN阻挡层表面的P型GaN层。

【技术特征摘要】
1.一种LED外延片，其特征在于，包括金属衬底、设置在所述金属衬底表面的GaN成核层、设置在所述GaN成核层表面的N型GaN层、设置在所述N型GaN层表面的多量子阱层、设置在所述多量子阱层表面的GaN阻挡层、设置在所述GaN阻挡层表面的P型GaN层。2.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，还包括设置在所述金属衬底与所述GaN成核层之间的金属层、设置在所述GaN成核层表面的N型GaN纳米线层、及设置在所述N型GaN纳米线层且与所述N型GaN层相接触的N型GaN纳米线融合层。3.根据权利要求2所述的LED外延片，其特征在于，所述金属层为镍层。4.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述金属衬底为钼衬底。5.根据权利要求1至4任一项所述的LED外延片，其特征在于，所述多量子阱层为InGaN/GaN多量子阱层。6.根据权利要求5所述的LED外延片，其特征在于，在所述InGaN/GaN多量子阱层中，InGaN的组分...

【专利技术属性】
技术研发人员：何苗，丛海云，黄仕华，熊德平，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东,44