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本发明公开了一种LED芯片、LED外延片及其制备方法，其中，LED外延片可以包括金属衬底、设置在金属衬底表面的GaN成核层、设置在GaN成核层表面的N型GaN层、设置在N型GaN层表面的多量子阱层、设置在多量子阱层表面的GaN阻挡层、设置在...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

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