【技术实现步骤摘要】
一种蚀刻制程中的光阻层显影处理方式
本专利技术涉及半导体
,具体涉及一种蚀刻制程中的光阻层显影处理方式。
技术介绍
集成电路制造技术随着摩尔定律而快速向着微小化方向发展,晶片尺寸因集成度提高而不断缩小以增加晶片单位面积的元件数量。生产线上使用的线宽(criticaldimension,CD)已由次微米进入纳米领域,并且变得越来越重要,因此对于光刻工艺的要求也越来越高,所使用的曝光光源已由248nm逐步向193nm的波长发展,甚至更小的波长也在进一步研究之中。现有光刻工艺中,通常会因为显影不充分而造成光阻残留,进而影响后续半导体器件的质量;为了评估显影机台的显影能力及显影光阻的效果,一般要在形成的半导体器件后进行切片,制作成电子扫描电镜样品,观察光阻是否有残留,使成本增加且影响半导体器件的成品率。在某晶圆显影工艺中,当光罩的透射率小于2%时,在显影后的检查中会发现光阻残渣,造成这种残渣出现的原因是当光罩的透射率很低,甚至小于2%时,由于未曝光区的光阻不溶解于水,晶圆表面的亲水性很低,导致曝光区的光阻因为表面张力效果而不能完全的溶解掉,从而会导致晶圆表面图形区的光阻残渣降低了显影效果。由于光阻残渣的存在,严重影响了产品的良率。
技术实现思路
本专利技术旨在提供了一种蚀刻制程中的光阻层显影处理方式。本专利技术提供如下技术方案:一种蚀刻制程中的光阻层显影处理方式,其特征在于,包括以下步骤:(1)溅镀:在集成电路芯片表面溅镀金属膜;(2)光阻涂布:用光阻涂布机在芯片表面涂覆厚度为15-40微米的光阻;(3)曝光:用曝光机,对无需生长金凸块位置的光阻进行曝光;(4) ...
【技术保护点】
1.一种蚀刻制程中的光阻层显影处理方式,其特征在于,包括以下步骤:(1)溅镀:在集成电路芯片表面溅镀金属膜;(2)光阻涂布:用光阻涂布机在芯片表面涂覆厚度为15‑40微米的光阻;(3)曝光:用曝光机,对无需生长金凸块位置的光阻进行曝光;(4)显影:用显影机和显影液去除掉未曝光区的光阻,将需要生长金凸块的位置打开开窗;(5)电镀金:在芯片上光阻开窗区镀10‑15微米高度的金凸块;(6)光阻去除;(7)进行电浆处理和金蚀刻处理去除溅镀金属膜中的金层;(8)钛钨蚀刻以去除溅镀金属膜中的钛钨膜;(9)用蚀刻液处理上述得到的晶圆上形成待蚀刻层,在待蚀刻层上形成光阻层,在光阻层上形成抗反射层;对抗反射层和光阻层进行曝光显影处理。
【技术特征摘要】
1.一种蚀刻制程中的光阻层显影处理方式,其特征在于,包括以下步骤:(1)溅镀:在集成电路芯片表面溅镀金属膜;(2)光阻涂布:用光阻涂布机在芯片表面涂覆厚度为15-40微米的光阻;(3)曝光:用曝光机,对无需生长金凸块位置的光阻进行曝光;(4)显影:用显影机和显影液去除掉未曝光区的光阻,将需要生长金凸块的位置打开开窗;(5)电镀金:在芯片上光阻开窗区镀10-15微米高度的金凸块;(6)光阻去除;(7)进行电浆处理和金蚀刻处理去除溅镀金属膜中的金层;(8)钛钨蚀刻以去除溅镀金属膜中的钛钨膜;(9)用蚀刻液处理上述得到的晶圆上形成待蚀刻层,在待蚀刻层上形成光阻层,在光阻层上形成抗反射层;对...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱翔宇,张家伟,江富杰,李司元,
申请(专利权)人:合肥新汇成微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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