Flash存储器的数据写入和读取方法、装置制造方法及图纸

本申请涉及一种Flash存储器的数据写入和读取方法、装置。所述方法包括：获取待处理数据；针对所述Flash存储器的第一存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第一存储块中的数据未被擦除时，针对所述Flash存储器的第二存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第二存储块中的数据被擦除时，将所述待处理数据写入所述第二存储块中。采用本方法能够避免对不使用的存储块进行擦除工作，提高Flash存储器的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
Flash存储器的数据写入和读取方法、装置
本申请涉及计算机
，特别是涉及一种数据处理方法、装置、计算机设备和存储介质。
技术介绍
在电子产品的开发过程中，需要使用掉电仍能保存数据的存储器来保存一些参数或重要数据，比如故障码、自学习值等。Flash存储器就是一种可快速地擦除和写入的存储器，具有掉电保护功能、存储量大，并且可多次擦写。而且现在一般的单片机内部都有Flash区域，用于存储特定数据。若频繁地对Flash存储器进行擦写，会影响FLASH存储器的使用寿命，而FLASH存储器的寿命直接影响到电子产品的使用寿命。因此，为了保证电子产品的使用寿命，应尽量减少FLASH存储器擦除的次数；且在单片机保存少量数据的时，都保存在固定的位置，这将导致数据保存对应的页面需要在有数据变化的时候进行擦除操作，这就很容易达到FLASH的擦写次数上限，进而导致整个处理器无法运行。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够减少FLASH存储器擦除的次数的一种Flash存储器的数据写入和读取方法、装置、计算机设备和存储介质。一种Flash存储器的数据写入方法，所述方法包括：获取待处理数据；针对所述Flash存储器的第一存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第一存储块中的数据未被擦除时，针对所述Flash存储器的第二存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第二存储块中的数据被擦除时，将所述待处理数据写入所述第二存储块中。在其中一个实施例中，所述方法还包括：当所述Flash存储器的第二存储块中的数据未被擦除时，针对所述Flash存储器的第三存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第三存储块中的数据被擦除时，则将所述待处理数据写入所述第三存储块中。在其中一个实施例中，所述方法还包括：当所述Flash存储器的第三存储块中的数据未被擦除时，针对所述Flash存储器的第四存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第四存储块中的数据被擦除时，则将所述待处理数据写入所述第四存储块中。在其中一个实施例中，所述当所述Flash存储器的第二存储块中的数据被擦除时，将所述待处理数据写入所述第二存储块中，包括：当所述Flash存储器的第二存储块中的数据被擦除时，将所述待处理数据写入第二存储块的第一页；以及将所述待处理数据写入第二存储块的第二页。一种Flash存储器的数据读取方法，所述方法包括：读取所述Flash存储器的第一存储块中的数据；当所述Flash存储器的第一存储块中的数据读取失败时，读取所述Flash存储器的第二存储块中的数据；输出读取后的数据。在其中一个实施例中，所述读取所述Flash存储器的第一存储块中的数据，包括：读取所述第一存储块中第一页的数据；当所述第一存储块中第一页的数据读取失败时，读取所述第一存储块中第二页的数据；当所述第一存储块中第二页的数据读取失败时，确定所述第一存储块读取失败。一种Flash存储器的数据写入装置，所述装置包括：待处理数据获取模块，用于获取待处理数据；第一擦除模块，用于针对所述Flash存储器的第一存储块中的数据进行擦除；第二擦除模块，用于当所述Flash存储器的第一存储块中的数据未被擦除时，针对所述Flash存储器的第二存储块中的数据进行擦除；第一写入模块，用于当所述Flash存储器的第二存储块中的数据被擦除时，将所述待处理数据写入所述第二存储块中。在其中一个实施例中，所述装置还包括：第三擦除模块，用于当所述Flash存储器的第二存储块中的数据未被擦除时，针对所述Flash存储器的第三存储块中的数据进行擦除；第二写入模块，用于当所述Flash存储器的第三存储块中的数据被擦除时，则将所述待处理数据写入所述第三存储块中。在其中一个实施例中，所述装置还包括：第四擦除模块，用于当所述Flash存储器的第三存储块中的数据未被擦除时，针对所述Flash存储器的第四存储块中的数据进行擦除；第三写入模块，用于当所述Flash存储器的第四存储块中的数据被擦除时，则将所述待处理数据写入所述第四存储块中。在其中一个实施例中，所述第一写入模块包括：分页写入子模块，用于当所述Flash存储器的第二存储块中的数据被擦除时，将所述待处理数据写入第二存储块的第一页；以及将所述待处理数据写入第二存储块的第二页。一种Flash存储器的数据读取装置，所述装置包括：第一读取模块，用于读取所述Flash存储器的第一存储块中的数据；第二读取模块，用于当所述Flash存储器的第一存储块中的数据读取失败时，读取所述Flash存储器的第二存储块中的数据；输出模块，用于输出读取后的数据。在其中一个实施例中，所述第一读取模块包括：第一读取子模块，用于读取所述第一存储块中第一页的数据；第二读取子模块，用于当所述第一存储块中第一页的数据读取失败时，读取所述第一存储块中第二页的数据；读取失败子模块，用于当所述第一存储块中第二页的数据读取失败时，确定所述第一存储块读取失败。一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：获取待处理数据；针对所述Flash存储器的第一存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第一存储块中的数据未被擦除时，针对所述Flash存储器的第二存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第二存储块中的数据被擦除时，将所述待处理数据写入所述第二存储块中。一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：读取所述Flash存储器的第一存储块中的数据；当所述Flash存储器的第一存储块中的数据读取失败时，读取所述Flash存储器的第二存储块中的数据；输出读取后的数据。一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：获取待处理数据；针对所述Flash存储器的第一存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第一存储块中的数据未被擦除时，针对所述Flash存储器的第二存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第二存储块中的数据被擦除时，将所述待处理数据写入所述第二存储块中。一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：读取所述Flash存储器的第一存储块中的数据；当所述Flash存储器的第一存储块中的数据读取失败时，读取所述Flash存储器的第二存储块中的数据；输出读取后的数据。上述Flash存储器的数据写入和读取方法、装置、计算机设备和存储介质，通过获取待处理数据；针对所述Flash存储器的第一存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第一存储块中的数据未被擦除时，针对所述Flash存储器的第二存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第二存储块中的数据被擦除时，将所述待处理数据写入所述第二存储块中；由于一块Flash存储块的大小足可以满足所需写的数据长度，所以只需擦除一块Flash存储块。这样可避免对不使用的存储块进行擦除工作，提高Flash存储器的使用寿命。附图说明图1是一个实施例的一种Flash存储器的数据写入方法的流程示意图；图2是一个实施例的一种Flas本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Flash存储器的数据写入方法，其特征在于，包括：获取待处理数据；针对所述Flash存储器的第一存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第一存储块中的数据未被擦除时，针对所述Flash存储器的第二存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第二存储块中的数据被擦除时，将所述待处理数据写入所述第二存储块中。

【技术特征摘要】
1.一种Flash存储器的数据写入方法，其特征在于，包括：获取待处理数据；针对所述Flash存储器的第一存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第一存储块中的数据未被擦除时，针对所述Flash存储器的第二存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第二存储块中的数据被擦除时，将所述待处理数据写入所述第二存储块中。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述Flash存储器的第二存储块中的数据未被擦除时，针对所述Flash存储器的第三存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第三存储块中的数据被擦除时，则将所述待处理数据写入所述第三存储块中。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述Flash存储器的第三存储块中的数据未被擦除时，针对所述Flash存储器的第四存储块中的数据进行擦除；当所述Flash存储器的第四存储块中的数据被擦除时，则将所述待处理数据写入所述第四存储块中。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述当所述Flash存储器的第二存储块中的数据被擦除时，将所述待处理数据写入所述第二存储块中，包括：当所述Flash存储器的第二存储块中的数据被擦除时，将所述待处理数据写入第二存储块的第一页；以及将所述待处理数据写入第二存储块的第二页。5.一种Flash存储器的数据读取方法，其特征在于，包括：读取所述Flash存储器的第一存储块中的数据；当所述Flash存储器的第一存储块中的数据读取失败时，读取所述Flash存储器的第二存储块中的数据...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭修其，陈湘华，方正，邝杰源，张永光，张斌彧，
申请(专利权)人：广州锦红源电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44