研磨装置用承载头及用于该承载头的隔膜制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及研磨装置用承载头及用于该承载头的隔膜，将沿着底板的半径方向配置于第一隔壁外侧的第二隔壁以与第一隔壁不同的厚度形成，借助于此，可以使研磨量偏差实现最小化，并且提高研磨品质。

【技术实现步骤摘要】
研磨装置用承载头及用于该承载头的隔膜
本技术涉及研磨装置用承载头及用于该承载头的隔膜，更具体而言，涉及一种可以使研磨量偏差实现最小化并且提高研磨品质的研磨装置用承载头及用于该承载头的隔膜。
技术介绍
化学机械式研磨(ChemicalMechanicalPolishing；CMP)工序是以向制作具备研磨层的半导体所需的晶片与研磨盘之间供应了浆料的状态进行相对旋转，从而使晶片的表面平坦化的工序。如图1所示，化学机械式研磨装置1以使研磨垫11配置于研磨盘10上表面的状态自转，利用承载头20，使基板W被加压于研磨垫11的表面并旋转，平坦地研磨基板W的表面。为此，具备对研磨垫11的表面进行重整的调节器30，以便研磨垫11的表面保持既定的状态，通过浆料供应管40，向研磨垫11的表面供应执行化学研磨的浆料。参照图2，承载头20包括：本体部22；底座部24，其与本体部22一同旋转；卡环26，其以环绕底座部24的环状，能上下移动地安装，与底座部24一同旋转；弹性材质的隔膜28，其固定于底座部24，在与底座部24之间的空间形成压力腔C1、C2、C3、C4、C5。隔膜28包括：底板28a，其接触晶片W的板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，包括：底板，其对基板进行加压；第一隔壁，其在所述底板的上表面延伸形成，具有第一厚度；第二隔壁，其配置于所述第一隔壁的外侧，在所述底板的上表面延伸形成，具有与所述第一厚度不同的第二厚度。

【技术特征摘要】
2018.06.08 KR 10-2018-00663481.一种研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，包括：底板，其对基板进行加压；第一隔壁，其在所述底板的上表面延伸形成，具有第一厚度；第二隔壁，其配置于所述第一隔壁的外侧，在所述底板的上表面延伸形成，具有与所述第一厚度不同的第二厚度。2.根据权利要求1所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，所述第二隔壁的所述第二厚度厚于所述第一隔壁的所述第一厚度。3.根据权利要求2所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，所述第一隔壁以具有第一直径的闭合截面形状形成，所述第二隔壁以具有比所述第一直径更大的第二直径的闭合截面形状，从所述底板延伸形成。4.根据权利要求3所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，所述第一隔壁与所述第二隔壁的闭合截面为圆形。5.根据权利要求4所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，所述第一隔壁与所述第二隔壁以所述底板的中心为基准，配置成同心。6.根据权利要求2所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，所述第一隔壁与所述第二隔壁中的至少一个包括从所述底板沿垂直方向延伸形成的区间。7.根据权利要求6所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，所述第一厚度是第一隔壁的从所述底板沿垂直方向延伸形成的区间的厚度，所述第二厚度是第二隔壁的从所述底板沿垂直方向延伸形成的区间的厚度。8.根据权利要求6所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，所述第一厚度与所述第二厚度中的至少一个厚度为平均厚度。9.根据权利要求2所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，所述第二隔壁的所述第二厚度与所述第二隔壁的所述第二直径成正比，并且设定为与所述第一厚度相比线性增加的尺寸。10.根据权利要求1所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，所述第二隔壁的所述第二厚度薄于所述第一隔壁的所述第一厚度。11.根据权利要求10所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，所述第二隔壁的所述第二厚度与所述第二隔壁的所述第二直径成正比，并且设定为与所述第一厚度相比线性减小的尺寸。12.根据权利要求1至11中的任意一项所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，所述底板与所述第一隔壁及所述第二隔壁以柔韧性材质形成。13.根据权利要求1至11中的任意一项所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，所述底板具有整体上相同的厚度。14.根据权利要求1至11中的任意一项所述的研磨装置用承载头的隔膜，其特征在于，包括第三隔壁，所述第三隔壁配置于所述第二隔壁的外侧，在所述底板的上表面延伸形成，具有厚于所述第二厚度的第三厚度。15.一种研磨装置用承载头，其特征在于，包括：承载头本体；隔膜，其包括底板、第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：申盛皓，孙准晧，
申请(专利权)人：凯斯科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR