一种降压型DC_DC变换器电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种降压型DC_DC变换器电路，涉及集成电路电源管理技术领域。该变换器电路包括连接于电源电压并为整个电路提供稳压电源的线性稳压子电路，线性稳压子电路还分别连接有电平位移子电路、振荡子电路、驱动子电路以及误差放大器子电路；驱动子电路分别连接于电平位移子电路和振荡子电路，并为两者提供驱动电流；误差放大器子电路连接于振荡子电路，误差放大器子电路将变换器电路的第一采样电压和第一参考电压比较，并输出误差放大信号至振荡子电路，振荡子电路输出振荡信号至电平位移子电路进行电平位移。本实用新型专利技术通过线性稳压子电路产生稳压电源，以使得电路中所有的器件都工作在耐压值范围内，保证了电路的正常工作。

【技术实现步骤摘要】
一种降压型DC_DC变换器电路
本技术涉及集成电路电源管理
，特别是涉及一种降压型DC_DC变换器电路。
技术介绍
降压型DC-DC（Directcurrent-Directcurrent，直流-直流）变换器应用于SOC（SystemOnChip，芯片级系统）时由于可能集成大规模的数字电路，越来越趋向使用更小尺寸的CMOS（ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体）工艺。此应用产生一个问题就是小尺寸的CMOS工艺中场效应管的耐压值达不到输入电源的电压值，故无法按照传统的电路实现。传统的降压型DC-DC变换器如图1所示，其直接采用系统的输入电源电压VIN作为其控制电路的电源，这要求整个控制电路使用的所有器件的耐压值都必须超过输入电源电压VIN，而目前很多低压CMOS工艺中的常规场效应管耐压无法达到要求。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种降压型DC_DC变换器电路，旨在使整个变换器电路的所有器件都工作在耐压值范围内。为实现上述目的，本技术提供一种降压型DC_DC变换器电路，所述电路包括连接于电源电压并为整个电路提供稳压电源的线性稳压子电路，所述线性稳压子电路还分别连接有电平位移子电路、振荡子电路、驱动子电路以及误差放大器子电路；所述驱动子电路分别连接于所述电平位移子电路和所述振荡子电路，并用以驱动后续电路；所述误差放大器子电路连接于所述振荡子电路，所述误差放大器子电路将变换器电路的第一采样电压和第一参考电压比较，并输出误差放大信号至所述振荡子电路，所述振荡子电路输出振荡信号至所述电平位移子电路进行电平位移；所述驱动子电路还连接有第一PMOS管，所述第一PMOS管连接有电感，所述电感另一端连接有第一NMOS管，所述第一NMOS管连接于所述驱动子电路；所述第一NMOS管还并联有第一电容，所述第一电容还并联有相互连接的第一电阻和第二电阻。优选地，所述第一PMOS管和所述第一NMOS管均为LDMOS管，其中，所述第一PMOS管为LDPMOS管，所述第一NMOS管为LDNOMS管。优选地，所述线性稳压子电路包括第一线性稳压子电路和第二线性稳压子电路；所述第一线性稳压子电路包括连接于所述电源电压的第一放大器和第二NMOS管，所述第二NMOS管连接有第三电阻，所述第三电阻串联有第四电阻，所述第三电阻和第四电阻还并联有第二电容；所述第三电阻合第四电阻连接于所述第一放大器的第一输入端，所述第一放大器的第二输入端还连接有第二参考电压，所述第一放大器比较所述第二参考电压以及经所述第三电阻的第二采样电压，并输出比较结果至所述第二NMOS管，所述比较结果经所述第二NMOS管以输出第一稳压电源；所述第二线性稳压子电路包括连接于所述电源电压的第二放大器和第五电阻，所述第二放大器连接有第三NMOS管，所述第五电阻串联有第六电阻，所述第五电阻和第六电阻还并联有第三电容；所述第五电阻和第六电阻连接于所述第二放大器的第一输入端，所述第二放大器的第二输入端还连接有第三参考电压，所述第二放大器比较所述第三参考电压以及经所述第五电阻的第三采样电压，并输出比较结果至所述第三NMOS管，所述比较结果经所述第三NMOS管以输出第二稳压电源。优选地，所述第二NMOS管和所述第三NMOS管均为LDNMOS管。优选地，所述第二NMOS管的漏极连接于所述电源电压，栅极连接于所述第一放大器的输出端，源极连接于所述第三电阻的一端和所述第二电容的一端，所述第三电阻的另一端连接于所述第四电阻的一端，所述第四电阻的另一端和所述第二电容的另一端接地；所述第一放大器的第一输入端连接于所述第三电阻和所述第四电阻相连的端，第二输入端连接于参考电压；第一稳压电源输出端连接于所述第二NMOS管的源极。优选地，所述第二放大器第一输入端连接于所述第五电阻和所述第六电阻相连的端，所述第五电阻的另一端连接于电源电压和第三电容的一端，所述第六电阻的另一端连接于所第三电容的另一端和所述第三NMOS管的漏极；所述第三NMOS管的源极接地，栅极连接于所述第二放大器的输出端；第二稳压电源输出端连接于所述第三NMOS管的漏极。优选地，所述驱动子电路包括连接于电源电压的第一驱动子电路和接地的第二驱动子电路；所述第一驱动子电路分别连接于所述电平位移子电路、所述第一PMOS管以及第二稳压电源输出端；所述第二驱动子电路分别连接于所述振荡子电路、所述第一NMOS管以及第一稳压电源输出端。优选地，所述电平位移子电路分别连接于所述第一稳压电源输出端、所述第二稳压电源输出端以及所述振荡子电路，所述电平位移子电路接收所述振荡子电路发送的振荡信号，将所述第一稳压电源、所述第二稳压电源、地端以及电源电压进行电平位移。优选地，所述振荡子电路连接于第一稳压电源输出端。优选地，所述误差放大器子电路连接于所述第一稳压电源输出端，所述误差放大器子电路的第一输入端连接于第一电阻和第二电阻相连的端，所述误差放大器子电路的第二输入端连接于第一参考电压，所述第一电阻的另一端连接于电感的一端，所述第二电阻的另一端接地；所述电感的一端还连接于所述第一NMOS管的漏极，所述电感的另一端连接于所述第一PMOS管的漏极；所述第一NMOS管的源极接地，栅极连接于所述第二驱动子电路；所述第一PMOS管的源极连接于电源电压，栅极连接于第一驱动子电路。本技术技术方案通过线性稳压子电路产生稳压电源，为变换器电路中其余子电路的器件提供电源，通过调整稳压电源的大小，以使得电路中所有的器件都工作在耐压值范围内，保证了电路的正常工作，这样就实现了采用低耐压值的器件实现高输入电源电压的降压式变换电路的应用。附图说明图1为现有技术中降压型DC-DC变换器的电路示意图；图2为本技术降压型DC_DC变换器电路的原理示意图。本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。下面结合附图对本技术进一步说明。如图2所示，本技术实施例提供一种降压型DC_DC变换器电路，所述电路包括连接于电源电压VIN并为整个电路提供稳压电源的线性稳压子电路，所述线性稳压子电路还分别连接有电平位移子电路、振荡子电路OSC、驱动子电路以及误差放大器子电路ERRORAMP；所述驱动子电路分别连接于所述电平位移子电路和所述振荡子电路OSC，并用以驱动后续电路；所述误差放大器子电路ERRORAMP连接于所述振荡子电路OSC，所述误差放大器子电路ERRORAMP将变换器电路的第一采样电压VFB和第一参考电压VREF1比较，并输出误差放大信号至所述振荡子电路OSC，所述振荡子电路OSC输出振荡信号至所述电平位移子电路进行电平位移；所述驱动子电路还连接有第一PMOS管LDMP1，所述第一PMOS管LDMP1连接有电感L，所述电感L另一端连接有第一NMOS管LDMN1，所述第一NMOS管LDMN1连接于所述驱动子电路；所述第一NMOS管LDMN1还并联有第一电容C1，所述第一电容C1还并联有相互连接的第一电阻R1和第二电阻R2。本实施例技术方案通过线性稳压子电路产生稳压电源，为变换器电路中其余子电路的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降压型DC_DC变换器电路，其特征在于，所述电路包括连接于电源电压并为整个电路提供稳压电源的线性稳压子电路，所述线性稳压子电路还分别连接有电平位移子电路、振荡子电路、驱动子电路以及误差放大器子电路；所述驱动子电路分别连接于所述电平位移子电路和所述振荡子电路，并用以驱动后续电路；所述误差放大器子电路连接于所述振荡子电路，所述误差放大器子电路将变换器电路的第一采样电压和第一参考电压比较，并输出误差放大信号至所述振荡子电路，所述振荡子电路输出振荡信号至所述电平位移子电路进行电平位移；所述驱动子电路还连接有第一PMOS管，所述第一PMOS管连接有电感，所述电感另一端连接有第一NMOS管，所述第一NMOS管连接于所述驱动子电路；所述第一NMOS管还并联有第一电容，所述第一电容还并联有相互连接的第一电阻和第二电阻。

【技术特征摘要】
1.一种降压型DC_DC变换器电路，其特征在于，所述电路包括连接于电源电压并为整个电路提供稳压电源的线性稳压子电路，所述线性稳压子电路还分别连接有电平位移子电路、振荡子电路、驱动子电路以及误差放大器子电路；所述驱动子电路分别连接于所述电平位移子电路和所述振荡子电路，并用以驱动后续电路；所述误差放大器子电路连接于所述振荡子电路，所述误差放大器子电路将变换器电路的第一采样电压和第一参考电压比较，并输出误差放大信号至所述振荡子电路，所述振荡子电路输出振荡信号至所述电平位移子电路进行电平位移；所述驱动子电路还连接有第一PMOS管，所述第一PMOS管连接有电感，所述电感另一端连接有第一NMOS管，所述第一NMOS管连接于所述驱动子电路；所述第一NMOS管还并联有第一电容，所述第一电容还并联有相互连接的第一电阻和第二电阻。2.根据权利要求1所述的降压型DC_DC变换器电路，其特征在于，所述第一PMOS管和所述第一NMOS管均为LDMOS管，其中，所述第一PMOS管为LDPMOS管，所述第一NMOS管为LDNOMS管。3.根据权利要求1所述的降压型DC_DC变换器电路，其特征在于，所述线性稳压子电路包括第一线性稳压子电路和第二线性稳压子电路；所述第一线性稳压子电路包括连接于所述电源电压的第一放大器和第二NMOS管，所述第二NMOS管连接有第三电阻，所述第三电阻串联有第四电阻，所述第三电阻和第四电阻还并联有第二电容；所述第三电阻合第四电阻连接于所述第一放大器的第一输入端，所述第一放大器的第二输入端还连接有第二参考电压，所述第一放大器比较所述第二参考电压以及经所述第三电阻的第二采样电压，并输出比较结果至所述第二NMOS管，所述比较结果经所述第二NMOS管以输出第一稳压电源；所述第二线性稳压子电路包括连接于所述电源电压的第二放大器和第五电阻，所述第二放大器连接有第三NMOS管，所述第五电阻串联有第六电阻，所述第五电阻和第六电阻还并联有第三电容；所述第五电阻和第六电阻连接于所述第二放大器的第一输入端，所述第二放大器的第二输入端还连接有第三参考电压，所述第二放大器比较所述第三参考电压以及经所述第五电阻的第三采样电压，并输出比较结果至所述第三NMOS管，所述比较结果经所述第三NMOS管以输出第二稳压电源。4.根据权利要求3所述的降压型DC_DC变换器电路，其特征在于，所述第二NMOS管和所述第三NMOS管均为LD...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡乔，
申请(专利权)人：成都锐成芯微科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51