CPU供电电路制造技术

一种CPU供电电路，包括一脉宽调制控制芯片及至少一对与所述脉宽调制控制芯片相连的场效应管，所述脉宽调制控制芯片输出信号切换所述场效应管的开关状态从而控制输出至CPU的电压，所述场效应管的开关频率与所述CPU的电源引脚的纹波频率不同。本发明专利技术CPU供电电路可防止电流谐振现象，安全性及稳定性较高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种供电电路，特别是一种CPU供电电路。
技术介绍
目前，许多主板均采用如图1所示的CPU供电电路，该CPU供电电路利用一 PWM(Pulse-Width Modulation，脉宽调制)控制芯片输出四路PWM信号，每一路PWM信号通过一个驱动IC(Integrated Circuit，集成电路)控制一对MOSFET (场效应管)的导通、断开以调整电压输出。这些MOSFET的开关频率通常为220kHZ(千赫兹)，然而在CPU的温度过高时，CPU的过热保护引脚(PR0CH0T#)自动跳变为低电平，此时CPU的电源引脚(Vcore) 的纹波频率约为220kHZ。该纹波频率此时与所述MOSFET的开关频率十分接近，易形成近似于电流谐振的现象，产生较大的冲击电流，可导致烧坏MOSFET或CPU的后果。
技术实现思路
鉴于以上内容，有必要提供一种更加安全稳定的CPU供电电路。一种CPU供电电路，包括一脉宽调制控制芯片及至少一对与所述脉宽调制控制芯片相连的场效应管，所述脉宽调制控制芯片输出信号切换所述场效应管的开关状态从而控制输出至CPU的电压，所述场效应管的开关频率与所述CPU的电源引脚的纹波频率不同。相较于现有技术，本专利技术CPU供电电路中场效应管的开关频率与CPU的电源引脚的纹波频率不同，以防产生电流谐振现象，可提高CPU供电电路的安全性及稳定性。附图说明图1是一传统的CPU供电电路的示意图。图2是本专利技术较佳实施方式CPU供电电路的电路图。图3是图2中MOSFET管Ql导通、Q2截止时的工作原理图。图4是图2中MOSFET管Ql截止、Q2导通时的工作原理图。主要元件符号说明PWM控制芯片 10RC 电路20MOSFET 管Q1、Q2电感Ll电容C1、C2、C3电阻R1、R具体实施例方式请参阅图2，本专利技术CPU供电电路(单相或多相供电电路)包括一 PWM控制芯片 10，一对MOSFET管Ql、Q2，一电感Ll及一电容Cl。在该CPU供电电路中，该对MOSFET管QU Q2均为N沟道金属氧化物半导体场效应管，起到电子开关的作用；所述电感Ll和电容 Cl起到储存电能和滤波的作用。所述MOSFET管Ql的栅极与所述PWM控制芯片10相连，所述MOSFET管Ql的漏极与一 12V电源相连，所述MOSFET管Ql源极与场效应管Q2的漏极相连，所述MOSFET管Q2 的栅极与所述PWM控制芯片10相连，所述MOSFET管Q2的源极接地。所述MOSFET管Ql的源极及Q2的漏极共同连接至所述电感Ll的一端，所述电感Ll的另一端连接至一电压输出端Vout ；所述电容Cl的一端与该电压输出端Vout相连，另一端接地。所述PWM控制芯片10包括一电压比较引脚COMP及一输出电压反馈引脚FB。所述输出电压反馈引脚FB可接收电压输出端的反馈信息，因而可实时监控输出电压的大小。所述电压比较引脚COMP将输出电压与一预设的电压值作比较，以实时调节补偿输出电压值。 所述PWM控制芯片10的C0MP、FB引脚之间连接有一 RC(电阻电容)电路20，所述RC电路包括一电阻Rl、一电容C2及一电容C3。所述电阻Rl与所述电容C2串联并连接于所述PWM 控制芯片10的COMP、FB引脚之间。所述电容C3与所述电阻Rl及电容C2串接的电路并联。所述PWM控制芯片10还包括一用于调节开关频率的引脚FS，所述FS引脚与一电阻R2的一端相连，所述电阻R2的另一端接地。所述电阻R2的阻值与所述MOSFET管Ql、 Q2的开关频率呈反比，电阻R2的阻值越大，MOSFET管Ql、Q2的开关频率越低；电阻R2的阻值越小，MOSFET管Q1、Q2的开关频率越高。在一实施例中，若将所述电阻R2的阻值设置为120k0hm(千欧姆)，所述MOSFET管Q1、Q2的开关频率为220kHZ。增大或减小电阻R2的阻值可使所述MOSFET管Ql、Q2的开关频率减小或增加。请参阅图3，当MOSFET管Ql导通(开关闭合)，MOSFET管Q2截止(开关断开) 时，12V的直流电源经过电感Ll给电容Cl充电并给CPU供电。电流经过电感Ll的时候，由于电感Ll的阻抗，从电感Ll出来的电压不是12V，而是从OV慢慢上升的，因而供给CPU的电压小于12V。此时，电感Ll将一部分电能转换成磁能存储在电感Ll中，电容Cl也存储有电能。请参阅图4，当MOSFET管Ql截止(开关断开)，MOSFET管Q2导通(开关闭合) 时，所述12V供电电源断开。电感Ll把储存的磁能转换成电流释放出来，给电容Cl充电并给CPU供电。此时电感Ll成为供电电源。当MOSFET管Ql导通(开关闭合)，MOSFET管Q2截止(开关断开)时，电感Ll的电压是从OV慢慢上升的。因此MOSFET管Ql导通的时间越长，供给CPU的电压越高。控制 MOSFET管Ql及Q2开关时间就可以把12V电压降到适合的电压供给CPU。MOSFET管Ql及 Q2开关时间及开关频率由所述PWM控制芯片10输出PWM信号控制。为了防止产生电流谐振现象，所述MOSFET管Ql、Q2的开关频率应不同于CPU的 Vcore引脚的纹波频率220kHZ，两者的差值最好在士5%以上，也即MOSFET管Ql、Q2的开关频率大于231kHZ或小于209kHZ。在本专利技术一较佳实施方式中，所述电阻R2的阻值为IOOkOhm,所述MOSFET管Q1、 Q2的开关频率为250kHZ，此时，所述MOSFET管Q1、Q2的开关频率与CPU的Vcore引脚的纹波频率相差较大，所述CPU供电电路可给CPU提供适当的工作电压，且不会产生电流谐振现象。权利要求1.一种CPU供电电路，包括一脉宽调制控制芯片及至少一对与所述脉宽调制控制芯片相连的场效应管，所述脉宽调制控制芯片输出信号切换所述场效应管的开关状态从而控制输出至CPU的电压，其特征在于所述场效应管的开关频率与所述CPU的电源引脚的纹波频率不同。2.如权利要求1所述的CPU供电电路，其特征在于所述场效应管的开关频率与所述 CPU的电源引脚的纹波频率相差5%以上。3.如权利要求1所述的CPU供电电路，其特征在于所述脉宽调制控制芯片包括一调节开关频率的引脚，所述调节开关频率的引脚外接一接地电阻，所述接地电阻的阻值与所述场效应管的开关频率相关。4.如权利要求3所述的CPU供电电路，其特征在于所述接地电阻的阻值为100千欧姆。5.如权利要求4所述的CPU供电电路，其特征在于所述场效应管的开关频率为250千赫兹。6.如权利要求1所述的CPU供电电路，其特征在于所述脉宽调制控制芯片包括一电压比较引脚及一输出电压反馈引脚，所述电压比较引脚与所述输出电压反馈引脚之间连接有一电阻电容电路。7.如权利要求6所述的CPU供电电路，其特征在于所述电阻电容电路包括串联连接于所述脉宽调制控制芯片的电压比较引脚及输出电压反馈引脚之间的一第一电容及一电阻，所述第一电容连接于所述脉宽调制控制芯片的电压比较引脚及所述电阻之间，所述电阻连接于所述第一电容及所述脉宽调制控制芯片的输出电压反馈引脚之间。8.如权利要求7所述的CPU供电电路，其特征在于所述电阻电容电路还包括一连接于所述脉宽调制控制芯片的电压比较引脚及输出电压反馈引脚之间的第二电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＣＰＵ供电电路，包括一脉宽调制控制芯片及至少一对与所述脉宽调制控制芯片相连的场效应管，所述脉宽调制控制芯片输出信号切换所述场效应管的开关状态从而控制输出至ＣＰＵ的电压，其特征在于：所述场效应管的开关频率与所述ＣＰＵ的电源引脚的纹波频率不同。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡可友，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94