半导体装置的形成方法制造方法及图纸

本公开实施例提供湿工艺为主的方法形成自组装单层于特定的晶体管上，以调整高介电常数介电物‑金属栅极的临界电压。在一实施例中，方法包括形成栅极结构于基板上，且栅极结构包含栅极介电层、阻挡层形成于栅极介电层上、以及氧化物层形成于阻挡层上。上述方法也将氧化物层暴露至水溶液以形成自组装单层于氧化物层上，且水溶液包含金属氧化物于溶解金属的酸中。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本公开实施例涉及半导体装置，更具体涉及具有鳍状场效晶体管的半导体装置。
技术介绍
半导体集成电路产业已经历指数生长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路均比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路的演进中，功能密度(单位芯片面积所具有的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(如最小构件或线路)减少而增加。尺寸缩小的工艺通常有利于增加产能并降低相关成本。上述尺寸缩小也增加集成电路的工艺复杂度。举例来说，制作场效晶体管如鳍状场效晶体管时，可采用金属栅极取代公知的多晶硅栅极以改善装置效能。形成金属栅极堆叠的工艺的称作置换栅极或栅极后制工艺，其最后制作的栅极堆叠可减少形成栅极后的后续工艺(如高温工艺)的数目。金属栅极通常包含栅极介电层、功函数金属层、与金属栅极。功函数金属层可采用不同材料以用于不同种类的晶体管(如p型鳍状场效晶体管或n型鳍状场效晶体管)，可微调晶体管的临界电压，并依需求增进装置的电性效能。然而，功函数金属层的沉积面临挑战，特别是在进阶与更进阶的工艺节点中，缩小的集成电路结构与复杂表面形貌等部分。挑战之一为在小栅极长度中沉积功函数金属时，需要沉积/图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一栅极结构于一基板上，该栅极结构包括一栅极介电层、一阻挡层形成于该栅极介电层上、以及一氧化物层形成于该阻挡层上；以及将该氧化物层暴露至一水溶液，以形成一自组装单层于该氧化物层上，其中该水溶液包含金属氧化物于一溶解金属的酸中。

【技术特征摘要】
2017.09.18 US 15/707,9901.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一栅极结构于一基板上，该栅极结构包括一栅极介...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄如立，江志隆，庄英良，叶明熙，黄国彬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71