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本公开实施例提供湿工艺为主的方法形成自组装单层于特定的晶体管上，以调整高介电常数介电物‑金属栅极的临界电压。在一实施例中，方法包括形成栅极结构于基板上，且栅极结构包含栅极介电层、阻挡层形成于栅极介电层上、以及氧化物层形成于阻挡层上。上述方法...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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