一种基于FFT特征提取的热点检测方法技术

本发明专利技术公开一种基于FFT特征提取的热点检测方法，其将GDSII版图文件转化为二值(0/1)文本作为算法输入格式；对样本做随机镜像翻转；利用快速傅里叶变换对样本进行特征提取，得到特征的矩阵表示；构建CNN网络结构，将代表样本特征的矩阵输入到CNN网络中进行训练；利用训练好的模型对测试样本进行分类，检测分类效果。本发明专利技术的热点检测方法改善了正负样本不平衡对训练模型性能的影响；能够快速过滤版图中的无效信息，并保留版图中最具代表性的特征，对分类识别的准确性和检测的运行时间都有很大提升；同时采用了卷积神经网络训练效果更佳，具有更大的扩展性。

【技术实现步骤摘要】
一种基于FFT特征提取的热点检测方法
本专利技术涉及图像识别领域，尤其涉及一种基于FFT特征提取的热点检测方法。
技术介绍
在深亚微米时代，由于集成电路中晶体管尺寸与波长的差距拉大，光刻过程中光的衍射现象越来越突出，当光刻电路设计版图(Mask)到硅晶片上时，硅晶片上的电路会存在潜在的电路缺陷，如开路和短路故障。因此，在将电路设计版图转移到硅晶片之前，必须对版图进行缺陷检测，准确找出那些在光刻后容易产生缺陷模式的区域。随着超大规模集成电路技术的飞速发展，晶体管的特征尺寸变得越来越小，电路设计版图越来越复杂，给电路光刻技术带来了很大的挑战。当前光的波长已达到了193nm限制，远远大于晶体管现有的特征尺寸，所以当将标准的电路设计版图刻录到硅晶片上时，在光的衍射作用下，光刻到硅晶片上的电路图案，会产生某些缺陷模式。这些模式的出现，极有可能在电路的实际运行中，产生开路或短路现象，烧毁电路，导致芯片成品率降低，带来巨大的经济损失。虽然，芯片制造行业提出了很多生产设计技术，如设计检验规则(DRC)、光学临近矫正(OPC)、多图案光刻(MPL)等，但缺陷模式仍存在。因此，在将电路版图转移到硅晶片之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于FFT特征提取的热点检测方法，包括以下步骤：S1、将GDSII版图文件转化为二值(0/1)文本作为算法输入格式，所述算法输入格式有利于检测性能和时间改进；S2、对样本做随机镜像翻转以消除样本不平衡带来的影响；S3、利用快速傅里叶变换(FFT)对样本进行特征提取，得到特征的矩阵表示；S4、构建CNN网络结构，将代表样本特征的矩阵输入到CNN网络中进行训练，以生成效果良好的网络模型；S5、利用训练好的模型对测试样本进行分类，检测分类效果。

【技术特征摘要】
1.一种基于FFT特征提取的热点检测方法，包括以下步骤：S1、将GDSII版图文件转化为二值(0/1)文本作为算法输入格式，所述算法输入格式有利于检测性能和时间改进；S2、对样本做随机镜像翻转以消除样本不平衡带来的影响；S3、利用快速傅里叶变换(FFT)对样本进行特征提取，得到特征的矩阵表示；S4、构建CNN网络结构，将代表样本特征的矩阵输入到CNN网络中进行训练，以生成效果良好的网络模型；S5、利用训练好的模型对测试样本进行分类，检测分类效果。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤S1具体为，根据GDSII版图文件给出的版图中各个多边形顶点坐标，标记出多边形的轮廓；然后取一条水平线，由下往上一行行对版图进行扫描，当扫描线经过多边形轮廓时，会与多边形轮廓相交于两点a1,a2；然后将线段a1-a2之间的像素用1填充，剩余背景部分用0填充。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述步骤S3中，利用快速傅里叶变换(FFT)对样本进行特征提取具体包括以下步骤：S101、将每块电路设计图分为nxn的子块，每一子块表示为Bij，其中i为行数，j为列数，i,j＝0,1,2,…,n-1；S102、将每一个子块Bij进行FFT处理，经过FFT后，图像的低频信息会分布在图像的四角，所述低频信息能够有效的代表图像；S103、根据每个子块的FFT处理矩阵Fij，将nxn个子块的特征提取向量整...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺旭，邓宇，周世哲，李蕊，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43