抛光后陶瓷清洗剂、抛光后陶瓷清洗工艺及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种抛光后陶瓷清洗剂、抛光后陶瓷清洗工艺及其应用，涉及陶瓷抛光清洗技术领域。抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：羧基酸类络合剂15～20％，多元醇醚类有机溶剂10～20％，非离子表面活性剂8～25％，阴离子表面活性剂0.5～1％，其余为水。该清洗工艺使用上述清洗剂对抛光后陶瓷进行清洗。本发明专利技术缓解了现有的碱性清洗剂对陶瓷产品残留的抛光蜡、油脂洗不干净，造成陶瓷表面有白点、脏污等不良问题，且清洗剂本身仍存在不安全环保、使用后不易水洗等问题。本发明专利技术清洗剂不仅能够有效去除陶瓷上的抛光蜡，包括蜡脂和金属氧化物，也能有效去除陶瓷上的脏污和油脂，清洗效果好，清洗后的陶瓷光亮洁净、无白点。

【技术实现步骤摘要】
抛光后陶瓷清洗剂、抛光后陶瓷清洗工艺及其应用
本专利技术涉及陶瓷抛光清洗
，具体而言，涉及一种抛光后陶瓷清洗剂、抛光后陶瓷清洗工艺及其应用。
技术介绍
目前，陶瓷已在电子行业中得以运用，由于陶瓷具有很好的耐磨性，硬度仅次于金刚石，同时陶瓷致密性使其具有比钢化玻璃更强的强度，陶瓷的上述两个特性十分适用于用来制作高端手表、手机及其他电子原件的外壳等配件。同时陶瓷的生产制作过程比传统的塑料和玻璃等的生产制造过程更加环保和节能，陶瓷材料已逐渐取代传统的塑料、不锈钢材料等作为电子产品的外壳或其他部件使用。抛光是陶瓷产品(例如陶瓷盖板等)加工的重要一环，通过抛光可以获得光亮、平整的陶瓷产品，在陶瓷抛光过程中常会用到抛光蜡，同时陶瓷上会存在脏污和油脂，因此抛光后陶瓷的清洗十分重要，对清洗的要求也越来越高。抛光蜡的主要成分包括硬脂酸、软脂酸、油酸、松香等粘剂以及磨剂等，其中松香等成分在热力学上不稳定，有结晶的趋向，结晶后会变成白色粉末，如果清洗不干净，溶剂挥发后就形成了晶体粉末的白色残留物，蜡中还存在金属氧化物，如果清洗不干净，会对产品使用及性能造成影响，不能满足需求。现有的碱性清洗剂对陶瓷产品残留的抛光蜡、油脂洗不干净，造成陶瓷表面有白点、脏污等不良问题，且清洗剂本身仍存在不安全环保、使用后不易水洗等问题。有鉴于此，特提出本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种抛光后陶瓷清洗剂，该清洗剂通过羧基酸类络合剂、多元醇醚类有机溶剂、以及非离子表面活性剂和阴离子表面活性剂的相互协同配合，不仅能够有效去除陶瓷上的抛光蜡，包括蜡脂和金属氧化物，也能够有效去除陶瓷上的脏污和油脂，清洗效果好，清洗后的陶瓷光亮洁净、无白点，该清洗剂为酸性清洗剂，使用温度能够较碱性清洗剂更低，清洗更干净，此外，该清洗剂几种成分稳定性好，沸点高、不易燃，毒性低、气味小、安全环保且成本低。本专利技术的目的之二在于提供一种抛光后陶瓷清洗工艺，该工艺使用上述抛光后陶瓷清洗剂对抛光后陶瓷进行清洗，具有与上述清洗剂同样的优势，使用该清洗剂清洗后抛光后陶瓷表面洁净，不会产生白点，良率高，工艺稳定，方便批量化进行清洗，清洗后产品良率稳定。本专利技术的目的之三在于提供一种上述抛光后陶瓷清洗剂或上述抛光后陶瓷清洗工艺在陶瓷类产品抛光清洗中的应用。为了实现本专利技术的上述目的，特采用以下技术方案：一种抛光后陶瓷清洗剂，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：羧基酸类络合剂15～20％，多元醇醚类有机溶剂10～20％，非离子表面活性剂8～25％，阴离子表面活性剂0.5～1％，其余为水。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：羧基酸类络合剂15～18％，多元醇醚类有机溶剂12～18％，非离子表面活性剂10～25％，阴离子表面活性剂0.6～1％，其余为水。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：羧基酸类络合剂16～18％，多元醇醚类有机溶剂15～18％，非离子表面活性剂10～20％，阴离子表面活性剂0.8～1％，其余为水。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，所述羧基酸类络合剂选自草酸、酒石酸、柠檬酸、葡萄糖酸或乙醇酸中的一种或几种。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：乙醇酸15～20％，二丙二醇二甲醚10～20％，平平加5～20％，十二烷基苯磺酸钠0.5～1％，渗透剂JFC3～5％，其余为水。优选地，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：乙醇酸15～18％，二丙二醇二甲醚12～16％，平平加8～18％，十二烷基苯磺酸钠0.6～1％，渗透剂JFC3～4％，其余为水。进一步优选地，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：乙醇酸16～18％，二丙二醇二甲醚12～15％，平平加10～15％，十二烷基苯磺酸钠0.8～1％，渗透剂JFC3～4％，其余为水。一种抛光后陶瓷清洗工艺，使用上述抛光后陶瓷清洗剂对抛光后的陶瓷进行清洗。优选地，使用质量分数5～15％的抛光后陶瓷清洗剂溶液对抛光后的陶瓷进行清洗；优选地，使用的抛光后陶瓷清洗剂溶液的温度为75～85℃，优选78～82℃，进一步优选78～80℃。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，清洗为超声清洗；优选地，超声清洗时间为5～15min，优选6～12min，进一步优选8～10min；优选地，超声频率为28～40KHz，优选32～40KHz，进一步优选40KHz；优选地，超声电流为2～5A，优选2～4A，进一步优选2～3A。进一步，在本专利技术提供的技术方案的基础上，使用抛光后陶瓷清洗剂对抛光后的陶瓷进行清洗后进行水洗和干燥；优选地，水洗温度为60～65℃，优选62～65℃，进一步优选62～63℃；优选地，水洗时超声；优选地，超声清洗时间为2～10min，优选2～8min，进一步优选3～5min；优选地，超声频率为28～40KHz，优选32～40KHz，进一步优选40KHz；优选地，超声电流为2～5A，优选2～4A，进一步优选2～3A；优选地，干燥温度为100～110℃，优选100～108℃，进一步优选100～105℃；优选地，干燥时间为2～8min，优选2～6min，进一步优选3～5min。优选地，一种典型的抛光后陶瓷清洗工艺，包括以下步骤：(a)将抛光后陶瓷清洗剂配成质量份数为5～15％的清洗溶液，对抛光后陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为75～85℃，超声清洗时间为5～15min，超声频率为40KHz，超声电流为2～5A；(b)用水对步骤(a)清洗后的陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为60～65℃，超声清洗时间为3～5min，超声频率为40KHz，超声电流为2～5A；(c)对步骤(b)清洗后的陶瓷进行干燥，干燥温度为100～110℃，干燥时间为3～5min。上述抛光后陶瓷清洗剂或上述抛光后陶瓷清洗工艺在陶瓷类产品抛光清洗中的应用。与已有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：(1)本专利技术抛光后陶瓷清洗剂以非离子表面活性剂和阴离子表面活性剂配合使用，非离子表面活性剂对抛光蜡有很好的去除效果，并通过羧基酸类络合剂和蜡中的金属氧化物的络合作用，使抛光蜡去除得更加彻底，阴离子表面活性剂能够有效去除陶瓷上的油脂和脏污，并通过多元醇醚类有机溶剂溶解蜡脂和油渍，通过特定比例浓度的羧基酸类络合剂、多元醇醚类有机溶剂、以及非离子表面活性剂和阴离子表面活性剂相互配合，不仅能够有效彻底地去除陶瓷上的抛光蜡，包括蜡脂和金属氧化物，而且同时去除脏污和油脂，清洗效果好。(2)本专利技术通过使用该清洗剂对抛光后陶瓷进行清洗，清洗后的陶瓷表面光亮洁净，无白点产生，产品良率高。(3)本专利技术清洗剂属于酸性清洗剂，与现有的碱性清洗剂相比，使用温度更低、清洗效果更好，此外，该清洗剂几种成分稳定性好，沸点高、不易燃，毒性低、气味小、安全环保且成本低。(4)本专利技术清洗工艺稳定易操作，方便批量化进行，产品良率稳定。具体实施方式下面将结合实施例对本专利技术的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本专利技术，而不应视为限制本专利技术的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抛光后陶瓷清洗剂，其特征在于，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：羧基酸类络合剂15～20％，多元醇醚类有机溶剂10～20％，非离子表面活性剂8～25％，阴离子表面活性剂0.5～1％，其余为水。

【技术特征摘要】
1.一种抛光后陶瓷清洗剂，其特征在于，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：羧基酸类络合剂15～20％，多元醇醚类有机溶剂10～20％，非离子表面活性剂8～25％，阴离子表面活性剂0.5～1％，其余为水。2.按照权利要求1所述的抛光后陶瓷清洗剂，其特征在于，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：羧基酸类络合剂15～18％，多元醇醚类有机溶剂12～18％，非离子表面活性剂10～25％，阴离子表面活性剂0.6～1％，其余为水。3.按照权利要求1所述的抛光后陶瓷清洗剂，其特征在于，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：羧基酸类络合剂16～18％，多元醇醚类有机溶剂15～18％，非离子表面活性剂10～20％，阴离子表面活性剂0.8～1％，其余为水。4.按照权利要求1-3任一项所述的抛光后陶瓷清洗剂，其特征在于，所述羧基酸类络合剂选自草酸、酒石酸、柠檬酸、葡萄糖酸或乙醇酸中的一种或几种。5.按照权利要求1所述的抛光后陶瓷清洗剂，其特征在于，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：乙醇酸15～20％，二丙二醇二甲醚10～20％，平平加5～20％，十二烷基苯磺酸钠0.5～1％，渗透剂JFC3～5％，其余为水；优选地，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：乙醇酸15～18％，二丙二醇二甲醚12～16％，平平加8～18％，十二烷基苯磺酸钠0.6～1％，渗透剂JFC3～4％，其余为水；优选地，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：乙醇酸16～18％，二丙二醇二甲醚12～15％，平平加10～15％，十二烷基苯磺酸钠0.8～1％，渗透剂J...

【专利技术属性】
技术研发人员：饶桥兵，蔡杰勇，
申请(专利权)人：蓝思科技长沙有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43