一种显示器件的封装结构、显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种显示器件的封装结构、显示装置，涉及显示技术领域，为解决现有的封装层无法保证对位于显示器件的周边区域的信号线的封装效果，影响显示器件的使用寿命的问题。所述显示器件的封装结构包括：衬底基板和设置在所述衬底基板表面的显示器件，所述显示器件上覆盖有封装层，所述显示器件包括显示区域和围绕所述显示区域的周边区域，所述周边区域设置有信号线图形，所述信号线图形具有坡度角小于90度的斜侧面。本实用新型专利技术提供的显示器件的封装结构用于实现自发光显示。

【技术实现步骤摘要】
一种显示器件的封装结构、显示装置
本技术涉及显示
，尤其涉及一种显示器件的封装结构、显示装置。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，显示器件的应用越来越广泛，为了延长显示器件的使用寿命，目前显示器件的封装问题逐渐受到人们的关注。以有机发光二极管(英文：Organiclightemittingdiode，以下简称OLED)显示器件的封装为例，现有技术中一般采用薄膜封装工艺对OLED显示器件进行薄膜封装，以实现在保证显示器件的使用寿命的同时，满足OLED显示器件的薄型化发展需求。但是现有技术中在采用薄膜封装技术对显示器件进行封装时，封装层无法保证对位于显示器件的周边区域的信号线的封装效果，容易导致水和氧气从信号线所在的位置处侵入到显示器件内部，影响显示器件的使用寿命。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种显示器件的封装结构、显示装置，用于解决现有的封装层无法保证对位于显示器件的周边区域的信号线的封装效果，影响显示器件的使用寿命的问题。为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：本技术的第一方面提供一种显示器件的封装结构，包括：衬底基板和设置在所述衬底基板表面的显示器件，所述显示器件上覆盖有封装层，所述显示器件包括显示区域和围绕所述显示区域的周边区域，所述周边区域设置有信号线图形，所述信号线图形具有坡度角小于90度的斜侧面。进一步地，所述斜侧面呈凹凸结构，所述凹凸结构包括多个间隔设置的凸起部，相邻所述凸起部之间形成凹陷槽。进一步地，所述斜侧面沿所述信号线图形的延伸方向延伸，所述信号线图形在沿垂直于所述信号线图形的延伸方向的最大宽度在2μm-30μm之间，所述信号线图形在沿垂直于所述信号线图形的延伸方向的最小宽度在2μm-24μm之间。进一步地，所述凹陷槽在沿垂直于所述信号线图形的延伸方向的凹陷深度在6μm以内。进一步地，所述凸起部的坡度角小于凹陷槽的槽底的坡度角。进一步地，所述凸起部在所述衬底基板上的正投影呈矩形、三角形、梯形和/或半圆形。进一步地，所述信号线图形包括层叠设置的第一信号线子图形和第二信号线子图形，所述第一信号线子图形位于所述第二信号线子图形与所述衬底基板之间，在相同刻蚀液的刻蚀作用下，所述第一信号线子图形与所述第二信号线子图形的刻蚀选择比小于1。进一步地，所述信号线图形与所述显示器件中的其中一层导电膜层同层同材料设置。进一步地，所述信号线图形包括电源线图形。基于上述显示器件的封装结构的技术方案，本技术的第二方面提供一种显示装置，包括上述显示器件的封装结构。本技术提供的技术方案中，在显示器件的周边区域设置有具有坡度角小于90度的斜侧面的信号线图形，这样在对该显示器件进行封装时，沉积在信号线图形上的封装层不仅与信号线图形的侧面具有更大的接触面积，而且在封装层形成的过程中，封装材料能够很好的沉积在信号图形背向衬底基板的表面和信号线图形的斜面之间相交的边缘处，从而很好的保证了对信号线图形的封装效果。因此，本技术实施例提供的技术方案能够保证对位于显示器件的周边区域的信号线图形的封装效果，有效避免水和氧气从信号线图形的边缘位置处侵入到显示器件内部，影响显示器件的使用寿命。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1为本技术实施例提供的显示器件的俯视示意图；图2为本技术实施例提供的信号线图形的第一截面示意图；图3为本技术实施例提供的信号线图形的第二截面示意图；图4为本技术实施例提供的信号线图形的第一俯视示意图；图5为本技术实施例提供的信号线图形的第二俯视示意图；图6A～6H为本技术实施例提供的薄膜晶体管阵列层的制作流程图。附图标记：1-衬底基板，2-缓冲层，3-多晶硅存储电容，4-多晶硅有源层，5-光刻胶，6-栅极绝缘层，7-栅极，8-层间绝缘层，9-源电极，10-漏电极，11-钝化层，12-像素电极，13-像素定义层，15-源电极接触孔，16-漏电极接触孔，17-过孔，18-有机平坦化层，19-显示器件，191-显示区域，192-周边区域，193-信号线图形，1931-凸起部，1932-凹陷槽，20-封装层。具体实施方式为了进一步说明本技术实施例提供的显示器件的封装结构、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。以显示器件为OLED显示器件为例，现有的OLED显示器件的结构一般包括：形成在衬底基板上的薄膜晶体管阵列层，制作在薄膜晶体管阵列层上的发光单元；其中，薄膜晶体管阵列层包括薄膜晶体管阵列、各种控制电路，以及用于控制控制电路和薄膜晶体管正常工作的栅线、数据线和其它信号线等，栅线、数据线和其它信号线用于为控制电路和薄膜晶体管提供相应的信号，以使得控制电路与薄膜晶体管配合工作，从而驱动发光单元发光。示例性的，上述其它信号线可包括电源线，但不仅限于此。下面以其它信号线包括电源线为例进行说明，现有的OLED显示器件中主要包括显示区域和围绕显示区域的周边区域，OLED显示器件中包括的栅线、数据线、薄膜晶体管阵列、控制电路和发光单元一般位于显示区域，OLED显示器件中包括的电源线一般位于周边区域。在对OLED显示器件进行封装时，主要是在OLED显示器件的表面制作能够覆盖OLED显示器件的封装层，以通过该封装层将OLED显示器件完全与外界隔绝。但是由于封装层是直接覆盖在位于周边区域的电源线上，而该电源线沿其自身延伸方向的两侧的坡度角一般为直角，从而导致在采用薄膜封装技术对显示器件进行封装时，封装层无法保证对电源线沿其自身延伸方向的两侧边缘的封装效果，导致水和氧气容易从信号线的边缘位置处侵入到显示器件内部，影响显示器件的使用寿命。基于上述问题的存在，本技术实施例提供了一种显示器件的封装结构，如图1和图2所示，包括：衬底基板1和设置在衬底基板表面的显示器件19，显示器件19上覆盖有封装层20，显示器件19包括显示区域191和围绕显示区域191的周边区域192，周边区域192设置有信号线图形193，信号线图形193具有坡度角α小于90度的斜侧面。具体地，在制作上述信号线图形193时，可具体采用浸没式刻蚀工艺，即将形成有用于制作信号线图形193的信号线薄膜的衬底基板1放入浸渍槽内，并使衬底基板1保持静止，从而使得浸渍槽内的刻蚀液对位于衬底基板1上的信号线薄膜进行刻蚀，形成具有坡度角小于90度的斜侧面的信号线图形193。需要说明，在实际制作信号线图形193时，可通过多种方式控制信号线图形193的坡度角的大小，下面列举几种具体的方式，但不仅限于此。第一种方式，由于所制作的信号线图形193需要具备能够传输电信号的能力，因此可具体采用Cr、Al、Cu等金属材料来制作信号线图形193，在采用这些金属材料制作信号线图形193时，所选用的刻蚀液一般包括HF+HNO3+CH3COOH+H2O，或者H3PO4+HNO3+CH3COOH+H2O，在利用上述刻蚀液对信号线薄膜进行刻蚀以得到信号线图形193时，可通过增加氧化剂HNO3的体积百分比(例如体积百分比大于20％)，实现所形成的信号线图形193具有较小的坡度角。第二种方式，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示器件的封装结构，包括：衬底基板和设置在所述衬底基板表面的显示器件，所述显示器件上覆盖有封装层，其特征在于，所述显示器件包括显示区域和围绕所述显示区域的周边区域，所述周边区域设置有信号线图形，所述信号线图形具有坡度角小于90度的斜侧面。

【技术特征摘要】
1.一种显示器件的封装结构，包括：衬底基板和设置在所述衬底基板表面的显示器件，所述显示器件上覆盖有封装层，其特征在于，所述显示器件包括显示区域和围绕所述显示区域的周边区域，所述周边区域设置有信号线图形，所述信号线图形具有坡度角小于90度的斜侧面。2.根据权利要求1所述的显示器件的封装结构，其特征在于，所述斜侧面呈凹凸结构，所述凹凸结构包括多个间隔设置的凸起部，相邻所述凸起部之间形成凹陷槽。3.根据权利要求2所述的显示器件的封装结构，其特征在于，所述斜侧面沿所述信号线图形的延伸方向延伸，所述信号线图形在沿垂直于所述信号线图形的延伸方向的最大宽度在2μm-30μm之间，所述信号线图形在沿垂直于所述信号线图形的延伸方向的最小宽度在2μm-24μm之间。4.根据权利要求2或3所述的显示器件的封装结构，其特征在于，所述凹陷槽在沿垂直于所述信号线图形的延伸方向的凹陷深度在6μm以内。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙春平，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11