一种高指向性的发光二极管芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高指向性的发光二极管芯片，包括n型半导体层、发光层和p型半导体层的发光二极管外延结构、衬底、n型电极、侧面高反射结构；其中：所述衬底与n型半导体层连接，所述n型半导体层与发光层连接，所述发光层与p型半导体层连接，所述n型半导体层上制备有n型电极。本实用新型专利技术的优点在于：在发光二极管芯片的侧面沉积高反射结构，该高反射结构为透明介电层和高反射金属层组合结构或者为高反射多层膜结构，通过发光二极管芯片侧面的高反射金属层或高反射多层膜来改变发光二极管中横向的平行于出光面的光线的出光方向，使绝大部分光线从出光面的法线方向射出从而改善发光二极管光的指向性。

【技术实现步骤摘要】
一种高指向性的发光二极管芯片
本技术涉及发光二极管生产
，尤其涉及一种高指向性的发光二极管芯片。
技术介绍
随着半导体发光技术的不断发展，发光二极管(LED)已被广泛的应用于显示装置和固态照明设备。然而一些应用中(局部照明设备或显示装置)需要作为光源的发光二极管的指向性越高越好。常规的发光二极管芯片，包括正装结构，倒装结构以及垂直结构，其有源层所发出的光朝向多个方向。发光二极管芯片发出的光一部分从出光面发出，还有一部分的光从发光二极管芯片的侧面发出，对于一些需要光源高度指向性的应用,常规的发光二极管芯片出光角度过大,存在不足。另外，在超高解析度显示装置的应用中，相邻的发光二极管芯片发出的光之间相互交错影响，将严重影响显示效果。在目前热门研究的mini发光二极管以及微型发光二极管(MicroLED)等小尺寸发光二极管芯片，由于侧面的面积占总发光面积比例相对较大，导致其发光的指向性更差。目前增加发光二极管指向性的方式多是通过改变封装方法或封装结构的设计，或者照明装置的设计来达成，比较容易导致生产成本的增加或生产工艺的复杂性。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本技术提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高指向性的发光二极管芯片，包括n型半导体层、发光层和p型半导体层的发光二极管外延结构、衬底、n型电极、侧面高反射结构；其特征在于：所述衬底与n型半导体层连接，所述n型半导体层与发光层连接，所述发光层与p型半导体层连接，所述n型半导体层上制备有n型电极，所述高反射结构形成于所述n型半导体层、发光层、p型半导体层、衬底的侧面。

【技术特征摘要】
1.一种高指向性的发光二极管芯片，包括n型半导体层、发光层和p型半导体层的发光二极管外延结构、衬底、n型电极、侧面高反射结构；其特征在于：所述衬底与n型半导体层连接，所述n型半导体层与发光层连接，所述发光层与p型半导体层连接，所述n型半导体层上制备有n型电极，所述高反射结构形成于所述n型半导体层、发光层、p型半导体层、衬底的侧面。2.根据权利要求1所述的一种高指向性的发光二极管芯片，其特征在于：所述n型半导体层、发光层和p型半导体层组成的发光二极管外延结构为氮化镓(GaN)基发光二极管外延层。3.根据权利要求1所述的一种高指向性的发光二极管芯片，其特征在于：所述高反射结构采用透明介电层与高反射金属层组合结构，其中高反射金属层采用金(Au)、铝(Al)、银(Ag)或其合金之一。4.根据权利要求3所述的一种高指向性的发光二极管芯片，其特征在于：所述透明介电层材料为氧化硅、氮化硅、氮化镁、氧化钛、氧化锆中的一种。5.根据权利要求1所述的一种高指向性的发光二极管芯片，其特征在于：所述高反射结构为高反射多...

【专利技术属性】
技术研发人员：武良文，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江西,36