反熔丝及存储装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供一种反熔丝及存储装置，其中，反熔丝包括至少一个反熔丝单元，反熔丝单元包括：场效应管，其包括衬底和设置于衬底的第一掺杂区、第二掺杂区以及栅电极；和第一电极，其设置于衬底，并与衬底形成反熔丝电容，第一电极与第一掺杂区连接，所述衬底、所述栅电极、所述第二掺杂区作为所述反熔丝单元的控制端口，通过所述控制端口向所述反熔丝单元写入数据，或者，通过所述控制端口确定所述反熔丝单元是否被写入数据，通过将第一电极与衬底分别作为反熔丝电容的一对极板，可以省略反熔丝单元的一端口。

【技术实现步骤摘要】
反熔丝及存储装置
本技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种反熔丝及存储装置。
技术介绍
常用的一次性可编程存储结构有电熔丝(efuse)或者反熔丝(antifuse)或者浮栅结构等。电熔丝经过编程后会发生明显的物理熔断现象，熔断部分容易被观测，从而导致编程内容可被破解，使得电熔丝的安全性较低。与电熔丝相比，反熔丝在经过编程后不会出现明显的可以被观测的现象，安全性较高。而浮栅结构经过编程后其内存储有电荷，但是存储的电荷容易受环境的影响发生损失，容易导致存储失效。与浮栅结构相比，反熔丝在编程后其中的反熔丝电容被击穿，会形成稳定的导电回路，鲁棒性更好、存储内容更加稳定。由于反熔丝具有上述技术优势，使得反熔丝在一次性编程领域得到了广泛的应用。反熔丝一般包括多个反熔丝单元，一个反熔丝单元一般包括场效应管和反熔丝电容，但是反熔丝单元的控制端口较多，在控制反熔丝单元时，需要多个端口同时满足设定要求，导致控制方法较为复杂，从而不利于反熔丝的普及与应用。例如，反熔丝电容的一个极板与场效应管的一端相连，则反熔丝单元的控制端口包括：反熔丝电容的另一极板、场效应管的另外两个端口、场效应管的衬底等，因此，在实现反熔丝单元的控制时，需要反熔丝电容的另一极板、场效应管的另外两个端口、场效应管的衬底同时满足设定要求，导致控制方法较为复杂。
技术实现思路
本技术实施例的目的在于提供一种反熔丝及存储装置，用以至少解决现有技术中的上述问题。为实现本技术实施例的目的，本技术实施例提供了一种反熔丝，所述反熔丝包括至少一个反熔丝单元，其中，所述反熔丝单元包括：场效应管，其包括衬底和设置于所述衬底的第一掺杂区、第二掺杂区以及栅电极；和第一电极，其设置于所述衬底，并与衬底形成反熔丝电容，所述第一电极与所述第一掺杂区连接，所述衬底、所述栅电极、所述第二掺杂区作为所述反熔丝单元的控制端口，通过所述控制端口向所述反熔丝单元写入数据，或者，通过所述控制端口确定所述反熔丝单元是否被写入数据。可选地，在本技术的任一实施例中，所述反熔丝还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第一电极与所述衬底之间。可选地，在本技术的任一实施例中，所述场效应管还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述栅电极与所述衬底之间。可选地，在本技术的任一实施例中，所述第二绝缘层以及所述第一绝缘层同时形成。可选地，在本技术的任一实施例中，所述第一电极为多晶硅极板，和/或，所述栅电极为多晶硅极板。可选地，在本技术的任一实施例中，所述反熔丝还包括第一金属连接孔，所述第一掺杂区与所述第一电极通过所述第一金属连接孔连接。可选地，在本技术的任一实施例中，所述第一金属连接孔为共享连接孔，所述第一掺杂区以及所述第一电极共用所述共享连接孔，以通过所述共享连接孔连接所述第一掺杂区以及所述第一电极。可选地，在本技术的任一实施例中，所述反熔丝还包括第二金属连接孔以及金属连线层，所述第二金属连接孔用于连接第二掺杂区域与所述金属连线层，或者用于连接所述栅电极与所述金属连线层。可选地，在本技术的任一实施例中，进一步包括隔离单元，所述隔离单元用于隔离所述反熔丝电容和与其邻反熔丝电容。可选地，在本技术的任一实施例中，多个所述反熔丝单元成行列式排布形成反熔丝阵列，反熔丝阵列中相邻设置的两行或两列所述反熔丝电容共用一个所述隔离单元。可选地，在本技术的任一实施例中，所述隔离单元为浅沟槽隔离单元或者第三掺杂区。可选地，在本技术的任一实施例中，若所述隔离单元为所述浅沟槽隔离单元，则所述浅沟槽隔离单元与所述反熔丝电容的接触位置包括绝缘部。可选地，在本技术的任一实施例中，若所述隔离单元为所述第三掺杂区，则所述衬底与所述第三掺杂区接触，且所述第三掺杂区域上设置有外接端口，以使所述衬底通过所述外接端口接出。可选地，在本技术的任一实施例中，若所述衬底为P型衬底，则所述第一掺杂区、第二掺杂区均为N型掺杂；或者，若所述衬底为N型衬底，则所述第一掺杂区、第二掺杂区均为P型掺杂。可选地，在本技术的任一实施例中，所述衬底与一固定电压连接。为实现本技术实施例的目的，本技术实施例还提供了一种存储装置，其包括如上所述的反熔丝。本技术实施例提供的技术方案中，反熔丝包括至少一个反熔丝单元，所述反熔丝单元包括：场效应管，其包括衬底和设置于所述衬底的第一掺杂区、第二掺杂区以及栅电极；和第一电极，其设置于所述衬底，并与衬底形成反熔丝电容，所述第一电极与所述第一掺杂区连接，所述衬底、所述栅电极、所述第二掺杂区作为所述反熔丝单元的控制端口，通过所述控制端口向所述反熔丝单元写入数据，或者，通过所述控制端口确定所述反熔丝单元是否被写入数据。通过将第一电极与衬底分别作为反熔丝电容的一对极板，可以省略反熔丝单元的一端口，且由于场效应管与反熔丝电容连接，即可将所述衬底、所述栅电极、所述第二掺杂区作为所述反熔丝单元的控制端口，通过调整场效应管的栅电极的电压以及第二掺杂区与衬底之间的电压差等来向反熔丝单元写入数据，或者读取已写入反熔丝单元的数据，使得反熔丝的操作方法更加简单。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术实施例中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例一提供的反熔丝的结构示意图；图2a为图1所示反熔丝所对应的阵列版图；图2b为图2a中一个反熔丝单元的结构示意图；图3为本技术实施例二提供的另一种反熔丝的结构示意图；图4为图3所示反熔丝所对应的阵列版图；图5为本技术实施例三提供的一种反熔丝的结构示意图图6为本技术实施例四提供的另一种反熔丝的结构示意图。附图标记说明：101，基体；102，衬底；103，第一掺杂区；104，第二掺杂区；105，栅电极；106，第一电极；107，第一绝缘层；108，第二绝缘层；109，第一金属连接孔；110，第二金属连接孔；111，金属连线层；112，浅沟槽隔离单元；113，绝缘部；114，场效应管；115，反熔丝电容；116，第三掺杂区；117，外接端口；21，反熔丝单元。具体实施方式以下将配合图示及实施例来详细说明本技术的实施方式，借此对本技术如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。图1为本技术实施例一提供的反熔丝的结构示意图。在具体使用时，反熔丝可以包括一个或多个反熔丝单元，例如图1中包括两个反熔丝单元，两个反熔丝单元对称设置在浅沟槽隔离单元112的两侧，如图1所示，每个反熔丝单元包括：场效应管114和第一电极104。场效应管114包括衬底102和设置于所述衬底102的第一掺杂区103、第二掺杂区104以及栅电极105；反熔丝单元还包括第一电极106，第一电极106设置在衬底102上，并与衬底102形成反熔丝电容115，所述第一电极106与所述衬底102作为所述反熔丝电容115的一对极板。在一具体应用中，场效应管114为NMOS晶体管，当然场效应管114也可以为其他类型的场效应管。本实施例中，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反熔丝，其特征在于，所述反熔丝包括至少一个反熔丝单元，其中，所述反熔丝单元包括：场效应管，其包括衬底和设置于所述衬底的第一掺杂区、第二掺杂区以及栅电极；和第一电极，其设置于所述衬底，并与衬底形成反熔丝电容，所述第一电极与所述第一掺杂区连接；所述衬底、所述栅电极、所述第二掺杂区作为所述反熔丝单元的控制端口，通过所述控制端口向所述反熔丝单元写入数据，或者，通过所述控制端口确定所述反熔丝单元是否被写入数据。

【技术特征摘要】
1.一种反熔丝，其特征在于，所述反熔丝包括至少一个反熔丝单元，其中，所述反熔丝单元包括：场效应管，其包括衬底和设置于所述衬底的第一掺杂区、第二掺杂区以及栅电极；和第一电极，其设置于所述衬底，并与衬底形成反熔丝电容，所述第一电极与所述第一掺杂区连接；所述衬底、所述栅电极、所述第二掺杂区作为所述反熔丝单元的控制端口，通过所述控制端口向所述反熔丝单元写入数据，或者，通过所述控制端口确定所述反熔丝单元是否被写入数据。2.根据权利要求1所述的反熔丝，其特征在于，所述反熔丝单元还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第一电极与所述衬底之间。3.根据权利要求2所述的反熔丝，其特征在于，所述场效应管还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述栅电极与所述衬底之间。4.根据权利要求3所述的反熔丝，其特征在于，所述第二绝缘层以及所述第一绝缘层同时形成。5.根据权利要求1-4中任一项所述的反熔丝，其特征在于，所述第一电极为多晶硅极板，和/或，所述栅电极为多晶硅极板。6.根据权利要求1-4任一项所述的反熔丝，其特征在于，所述反熔丝单元还包括第一金属连接孔，所述第一掺杂区与所述第一电极通过所述第一金属连接孔连接。7.根据权利要求6所述的反熔丝，其特征在于，所述第一金属连接孔为共享连接孔，所述第一掺杂区以及所述第一电极共用所述共享连接孔，以通过所述共享连接孔连接所述第一掺杂区以及所述第一电极。8.根据权利要求6所述的反熔丝，其特征在于，所述反熔...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文轩，沈健，王红超，周红星，
申请(专利权)人：深圳市为通博科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：广东,44