一种测定聚碳硅烷中异质元素含量的方法技术

本发明专利技术提供了一种测定聚碳硅烷中异质元素含量的方法，该方法首先用强氧化性化学试剂消解样品，通过化学试剂组分与含量的调配，实现了聚碳硅烷的充分消解，得到澄清的消解溶液，然后利用电感耦合等离子体发射光谱仪测定其中待测异质元素的谱线强度，通过比对待测异质元素的标准溶液的谱线强度与质量含量的标准曲线而得到消解溶液中异质元素的含量，进而换算得到聚碳硅烷中待测异质元素的含量。与传统的比色法相比，本发明专利技术方法使用的化学试剂较少，操作方便，测定速度快，测定效率高，并且测定结果误差较小，精确度较高。

【技术实现步骤摘要】
一种测定聚碳硅烷中异质元素含量的方法
本专利技术属于化学测试
，具体涉及一种测定聚碳硅烷(PCS)中异质元素含量的方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)是一种高性能陶瓷材料，可广泛应用在高性能SiC陶瓷纤维、陶瓷基复合材料、陶瓷涂层、陶瓷薄膜、泡沫陶瓷、陶瓷微粉等方面。聚碳硅烷(PCS)是最常用的先驱体法制备高性能SiC材料的先驱体，一般由聚二甲基硅烷(PDMS)在高温(400-500℃)高压条件下通过裂解重排反应制得。为改善最终SiC材料的耐高温性、抗氧化性、电磁性能等，通常在裂解重排时将异质元素络合物引入到PCS主链上，得到含异质元素聚碳硅烷，例如含铝聚碳硅烷(PACS)，异质元素包括铝、铁、钛、锆、钴、镍、硼等。聚碳硅烷中异质元素的主要作用是提高其陶瓷产率，并且在PCS烧结过程中防止超高温下晶粒过分长大，使之形成近化学计量比的SiC。因此，异质元素含量对最终SiC陶瓷材料的结构和性能有着重要影响。目前，测定PCS中异质元素含量常用的方法是将PCS用熔融强碱溶解，然后用比色法进行测定。例如，含铝聚碳硅烷中铝含量的测定采用的是EDTA络合硝酸铅反滴定法，该方法用到的溶液(如EDT本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测定聚碳硅烷中异质元素含量的方法，其特征是：采用强氧化性化学试剂消解该聚碳硅烷，得到澄清的消解溶液，用蒸馏水或去离子水将其稀释至10‑10000倍体积，得到待测试液；所述的聚碳硅烷的质量为0.1份时，所述的强氧化性化学试剂配方为：2‑10体积份的硝酸，0.2‑1体积份的高氯酸，0.2‑1体积份的双氧水，0.5‑2体积份的氢氟酸；所述的消解如下进行：先将容器敞口升温至100‑180℃并且保温1‑5小时，然后将该容器密封，并放置在密封的耐高温高压的消解容器中，在150‑250℃下消解；使用待测异质元素的标准溶液配置具有一定质量分数的含待测异质元素的溶液，利用电感耦合等离子体发射光谱仪测定该...

【技术特征摘要】
1.一种测定聚碳硅烷中异质元素含量的方法，其特征是：采用强氧化性化学试剂消解该聚碳硅烷，得到澄清的消解溶液，用蒸馏水或去离子水将其稀释至10-10000倍体积，得到待测试液；所述的聚碳硅烷的质量为0.1份时，所述的强氧化性化学试剂配方为：2-10体积份的硝酸，0.2-1体积份的高氯酸，0.2-1体积份的双氧水，0.5-2体积份的氢氟酸；所述的消解如下进行：先将容器敞口升温至100-180℃并且保温1-5小时，然后将该容器密封，并放置在密封的耐高温高压的消解容器中，在150-250℃下消解；使用待测异质元素的标准溶液配置具有一定质量分数的含待测异质元素的溶液，利用电感耦合等离子体发射光谱仪测定该含待测异质元素的溶液，得到待测异质元素的谱线强度与质量含量的标准曲线；利用电感耦合等离子体发射光谱...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫高明，钟希强，朱丽辉，苗玉龙，何流，钟俊俊，杨建行，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：浙江,33