The invention provides a method for encapsulating transition parts of high frequency components and guaranteeing welding airtightness of transition parts, including transition parts, which include metal rings, glass insulators with perforations arranged in metal rings and lead wires arranged in glass insulators. The air tightness between metal rings and glass insulators is ideal due to low temperature degassing, medium temperature treatment and high temperature closure. Additional metal rings facilitate the welding between metal and shell in the later stage. In the later stage, the welding between metal and metal is used instead of the welding between original metal and glass insulator, which reduces the difficulty of the later stage processing and improves the airtightness of the cover of high frequency components, so that the application scope of transition parts is wider, not only limited to the welding of metal shell used in high frequency components. \u3002
【技术实现步骤摘要】
一种高频组件封装过渡件及保证过渡件焊接气密性的方法
本专利技术涉及电子封装
,具体涉及一种高频组件封装过渡件及保证过渡件焊接气密性的方法。
技术介绍
在电子元器件领域,金属外壳是封装芯片的外衣,包括过渡件和引线,金属外壳在使用过程中利用过渡件对引线固定,由引线对内部芯片进行接通,现有的过渡件大多为玻璃绝缘子,金属外壳和绝缘子在焊接过程中,由于不同材质间的线膨胀系数等性能存在差异,容易产生气泡,气泡表面上的不同材质连接处易产生应力,形成应力集中点,该处易发展成为裂纹源,因绝缘子具有很大的脆性,一旦金属外壳受到外力、温度等因素冲击时,引起受力状态发生变化、玻璃强度降低,导致裂纹源易被激发而扩展形成为玻璃裂纹,当界面气泡间的裂纹相连并贯通整个界面时,就形成漏气通道,该金属外壳就会因气密性不合格而失效,气密性是金属外壳质量和可靠性考核的重要指标之一,也是金属外壳生产过程中的必须监控项,而金属外壳的气密性主要是通过玻璃绝缘子与金属封接实现,直接对玻璃绝缘子和金属罩壳之间焊接的效率较低,占用空间较大,如果电子元器件使用气密性不合格的金属外壳,外界水汽、有害离子或气体等会进入电子元器件的腔体内部,导致元件表面产生漏电、参数变差等失效现象。
技术实现思路
本专利技术提供一种高频组件封装过渡件及保证过渡件焊接气密性的方法,利用加装的金属环方便后期与金属罩壳的焊接,在后期处理过程中利用金属与金属之间的焊接代替金属与玻璃绝缘子之间的焊接,进而降低后期的处理难度。为解决上述技术问题,本专利技术采用如下技术方案:一种高频组件封装过渡件,包括过渡件,所述过渡件包括金属环、布置于金属 ...
【技术保护点】
1.一种高频组件封装过渡件,包括过渡件(1),其特征在于:所述过渡件(1)包括金属环(2)、布置于金属环内带有贯穿孔的玻璃绝缘子(3)和布置于玻璃绝缘子内的引线(4)。
【技术特征摘要】
1.一种高频组件封装过渡件,包括过渡件(1),其特征在于:所述过渡件(1)包括金属环(2)、布置于金属环内带有贯穿孔的玻璃绝缘子(3)和布置于玻璃绝缘子内的引线(4)。2.根据权利要求1所述的一种高频组件封装过渡件,其特征在于:所述金属环(2)和引线(4)均经过预氧化处理。3.根据权利要求1所述的一种保证过渡件焊接气密性的方法,包括如下步骤:S1:过渡件组装和夹装,将预氧化引线穿入玻璃绝缘子的贯穿孔,并将预氧化金属环套置在玻璃绝缘子外环,利用夹装工具固定住过渡件的轴向端部;S2:低温除气,将夹装完成的过渡件放入真空炉内进行低温抽真空并保温静置;S3:中温处理,将低温除气处理后过渡件的真空炉进行第二次抽真空,并进行加热和保温静置;S4:高温...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯东,于辰伟,杨磊,张玉君,
申请(专利权)人:合肥圣达电子科技实业有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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