一种氧化镓半导体肖特基二极管及其制作方法技术

本发明专利技术的氧化镓(Ga2O3)半导体肖特基二极管，包括半导体层、阳极电极和阴极电极，特征在于：半导体层为Ga2O3薄膜，阳极电极为锡的氧化物(SnOx)。本发明专利技术的肖特基二极管的制作方法，包括：a).制备Ga2O3薄片；b).薄片清洗；c).Ga2O3薄片刻蚀；d).制备阴极和金属接触点层；e).退火处理；f).制备SnOx薄膜；g).制备阳极金属触点层。本发明专利技术的氧化镓半导体肖特基二极管，理想因子（为1.02）非常接近1、势垒高度为1.17 eV、开关比超过10

【技术实现步骤摘要】
一种氧化镓半导体肖特基二极管及其制作方法
本专利技术涉及一种氧化镓半导体肖特基二极管及其制作方法，更具体的说，尤其涉及一种使用锡的氧化物（SnOx）作为肖特基阳极的氧化镓半导体肖特基二极管及其制作方法。
技术介绍
肖特基势垒二极管（Schottkybarrierdiodes,SBDs）作为半导体电路中的基本元器件，在射频识别标签，太阳能电池，放大器，光探测器和逻辑门等方面有很大的应用，高性能的肖特基二极管起着至关重要的作用。高性能的肖特基二极管同样可以用于大阵列电阻式随机存取存储器和相变存储器来减小寄生电流。氧化镓（Ga2O3）作为一种宽带隙金属氧化物半导体，凭借着4.5-4.9eV的宽带隙以及6-8MV/cm的大的击穿场强等优点成为了电子和光电子学的研究热点。大尺寸高质量的Ga2O3单晶可以通过常规的低成本熔融法制备，如，导模法（edge-definedfilm-fedgrowth,EFG）、提拉法、区熔法。目前，国内外对于Ga2O3SBDs已有很多研究报道，但大多数采用惰性金属如金(Au)，铂(Pt)，钯(Pd)，镍(Ni)等作为肖特基阳极材料。如文献[Farzana,E.,Zh本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化镓半导体肖特基二极管，包括半导体层以及设置于半导体层两侧的阳极电极和阴极电极，阳极电极与半导体层为肖特基接触，阴极电极与半导体层为欧姆接触；其特征在于：所述半导体层为Ga2O3薄膜，阳极电极为SnOx薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种氧化镓半导体肖特基二极管，包括半导体层以及设置于半导体层两侧的阳极电极和阴极电极，阳极电极与半导体层为肖特基接触，阴极电极与半导体层为欧姆接触；其特征在于：所述半导体层为Ga2O3薄膜，阳极电极为SnOx薄膜。2.根据权利要求1所述的氧化镓半导体肖特基二极管，其特征在于：所述Ga2O3薄膜为没有故意掺杂的Ga2O3或者掺杂Cr、Si、Ge、Sn、Ti、Zr和Hf中的1种及以上元素的Ga2O3，Ga2O3薄膜的晶形为α、β、γ、δ、ε中的任意一种，Ga2O3单晶在室温下的载流子浓度范围为1×1014cm-3至1×1018cm-3。3.根据权利要求1或2所述的氧化镓半导体肖特基二极管，其特征在于：作为半导体层的Ga2O3薄膜厚度为30～600μm。4.根据权利要求1或2所述的氧化镓半导体肖特基二极管，其特征在于：作为阳极电极的SnOx薄膜的厚度为20～200nm。5.根据权利要求1或2所述的氧化镓半导体肖特基二极管，其特征在于：所述阳极电极的外表面上设置有阳极金属触点层，阴极电极的外表面上设置有阴极金属触点层，阳极金属触点层、阴极电极、阴极金属触点层的材质分别为Ti、Ti、Au，其厚度范围均为10～500nm。6.一种氧化镓半导体肖特基二极管的制作方法，其特征在于，通过以下步骤来实现：a).制备Ga2O3薄片，采用机械切割或者机械剥离的方法从Ga2O3单晶上得到厚度范围为30～600μm的Ga2O3薄片；b).薄片清洗，将步骤a)中得到的Ga2O3薄片进行清洗；c).Ga2O3薄片刻蚀，将清洗好的Ga2O3薄片一面朝上，该面记为正面，利用等离子体对Ga2O3薄片的正面进行刻蚀，以使正面形成更好的欧姆接触；d).制备阴极和金属接触点层，在Ga2O3薄片刻蚀后的正面上依次蒸发不同的金属，以形成阴极电极和阴极金属触点层；e).退火处理，将步骤d)得到的样品在惰性气体氛围中进行快速退火处理；f).制备SnOx薄膜，利用掩膜版或光刻技术在Ga2O3薄片的另一个表面定义阳极电极的...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛倩，杜路路，徐明升，宋爱民，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：山东,37