The invention provides an integrated humidity sensor and a manufacturing method thereof. The manufacturing method comprises the following steps: S1, providing a substrate with a control circuit, and forming a rewiring layer on one side of the substrate with a control circuit; the rewiring layer comprises a mutually independent first electrode and a second electrode; the second electrode contacts with the pin of the control circuit; and S2 uses a sol gel method to form a humidity sensitive film on the first electrode. The above method adopts advanced fan in package technology to realize the integration of humidity sensor. The humidity sensitive thin film of humidity sensor is prepared by sol gel method, and is applied to the working electrode by dispensing. It can not only be compatible with the general fan in process, but also avoid the pollution caused by the grafting of humidity sensitive polymer to the packaging component in the existing technology. Moreover, the above manufacturing method is simple, can realize the integration of ultra-thin humidity sensor system, and can be produced in batches.
【技术实现步骤摘要】
集成式湿度传感器及其制造方法
本专利技术涉及传感器
，具体而言，涉及一种集成式湿度传感器及其制造方法。
技术介绍
随着自动化工业的推进及气候环境的日益关注，湿度传感器广泛应用于各行业领域，如汽车、仪表、气候监测等。湿度传感器的装配形式也由传统的分立封装往系统集成方向进行发展。目前已经进行了各种尝试将湿度传感器集成到CMOS结构中，但由于湿敏电阻材料的介入，需要对传统的CMOS工艺流程进行大量修改，为了不影响传统CMOS工艺，通过封装工艺实现湿度传感器的集成是行之有效的方法。现有技术中公开了一种利用电接枝技术将湿敏聚合物定位到IC衬底上的技术方案，制作流程为：在IC衬底的绝缘层表面上形成第一导电金属层，将湿敏聚合物电接枝到第一导电金属层上；制作第二层金属层形成平板电容；在第二层金属层上进行钝化层固化、开口及UBM制备；对湿敏电阻材料上方的钝化层进行开口暴露。传感器的感测电极可以为上下两层金属，也可以是共面叉指型，IC衬底包括了MEMS或者CMOS衬底或者ASIC衬底。该专利采用了电接枝技术制备聚合物湿敏电阻材料，需要搭建用于电接枝的电路外部系统，在制备过程中需...
【技术保护点】
1.一种集成式湿度传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，提供具有控制电路(120)的衬底(100)，并在所述衬底(100)具有所述控制电路(120)的一侧形成重新布线层(20)，所述重新布线层(20)包括相互独立的第一电极(21)和第二电极(22)，所述第二电极(22)与所述控制电路(120)的引脚接触；S2，采用溶胶‑凝胶法在所述第一电极(21)上形成湿敏薄膜(80)。
【技术特征摘要】
1.一种集成式湿度传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，提供具有控制电路(120)的衬底(100)，并在所述衬底(100)具有所述控制电路(120)的一侧形成重新布线层(20)，所述重新布线层(20)包括相互独立的第一电极(21)和第二电极(22)，所述第二电极(22)与所述控制电路(120)的引脚接触；S2，采用溶胶-凝胶法在所述第一电极(21)上形成湿敏薄膜(80)。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述重新布线层(20)的步骤包括以下过程：在所述衬底(100)上沉积形成种子层；在所述种子层上涂布光刻胶并光刻以得到重布线层线路图形，然后在所述种子层表面未被所述重布线层线路图形覆盖的部分电镀铜金属；去除所述光刻胶，并刻蚀去除所述种子层中未被所述铜金属覆盖的部分，以形成所述重新布线层(20)。3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，在形成所述重新布线层(20)的步骤之前，所述步骤S1包括以下步骤：S11，在所述衬底(100)上形成与所述控制电路(120)的引脚连接的焊盘(10)；S12，在所述衬底(100)上形成具有第一开口(31)的第一钝化层(30)，所述第一开口(31)与至少部分所述焊盘(10)对应设置，在形成所述重新布线层(20)的步骤中，形成的所述第二电极(22)与所述焊盘(10)接触设置。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述湿敏薄膜(80)的步骤包括：将包括湿敏电阻材料的原料与有机溶剂混合均匀，得到湿敏溶胶前驱体；将所述湿敏溶胶前驱体点涂在所述第一电极(21)上并进行陈化处理，得到湿敏溶胶，优选所述陈化处理的温度为20～85℃；将所述湿敏溶胶固化，得到所述湿敏薄膜(80)，优选所述固化的温度为300～600℃。5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述湿敏电阻材料为金属醇盐或无机盐，优选所述湿敏电阻材料选自氧化钛、氧化锆、氧化锌、氧化銦和氧化锡中的任一种或多种。6.根据权利要求1、4和5中任一项所述的制造方法，其特征在于，在形成所述湿敏薄膜(80)的步骤之前，所述步骤S2包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏梅英，曹立强，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11
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