饱和自振荡推挽式隔离DC-DC转换器制造技术

一种饱和自振荡推挽式隔离DC‑DC转换器包括：DC输入；变压器，包括第一初级绕组和第二初级绕组、第一次级绕组和第二次级绕组以及第一反馈绕组和第二反馈绕组；第一场效应晶体管；第二场效应晶体管；以及驱动电路，连接至所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。所述驱动电路包括偏置电路，所述偏置电路在所述转换器的启动期间经由所述第一反馈绕组和所述第二反馈绕组向所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的栅极施加偏置电压，其中在所述转换器的启动之后所述偏置电压减小为零或者基本上为零；以及复位电路，当关断所述转换器时所述复位电路将所述偏置电路复位。所述转换器是自振荡推挽式DC‑DC转换器。

Saturated Self-oscillating Push-pull Isolated DC-DC Converter

A saturated self-oscillating push-pull isolated DC DC converter includes: DC input; transformers, including the first primary winding and the second primary winding, the first and second primary windings, as well as the first and second feedback windings; the first field effect transistor; the second field effect transistor; and drive circuits connected to the first field effect transistor and the second field effect transistor. The transistor should be used. The driving circuit includes a bias circuit which applies a bias voltage to the gate of the first and second field effect transistors via the first feedback winding and the second feedback winding during the start-up of the converter, in which the bias voltage is reduced to zero or substantially zero after the start-up of the converter; and a reset circuit. When the converter is turned off, the reset circuit resets the bias circuit. The converter is a self-oscillating push-pull DC DC converter.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】饱和自振荡推挽式隔离DC-DC转换器
本技术涉及功率转换，更具体地，本技术涉及驱动饱和自振荡推挽式隔离DC-DC转换器中的FET(场效应晶体管)的电路。
技术介绍
双极结型晶体管(BJT)已经用作饱和自振荡推挽式隔离DC-DC转换器中的驱动开关。然而，因为BJT是电流控制器件，它们通常表现出比诸如MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)之类的电压控制器件更大的开关损耗。这些开关损耗成为在相对高的开关频率下操作的饱和自振荡推挽式隔离DC-DC转换器中的功耗的重要来源。因此，当将BJT用在饱和自振荡推挽式隔离DC-DC转换器中时，DC-DC转换器的变压器必须设计为具有大数量的初级匝数和/或大横截面的芯面积以降低开关频率。另外，BJT典型地具有随温度广泛变化的增益，其可能导致多种问题，包括难以在低操作温度下启动。
技术实现思路
本技术的优选实施例提供了一种电路，所述电路驱动具有相对高的开关频率的饱和自振荡推挽式隔离DC-DC转换器的开关，其允许减小变压器的总尺寸。另外，本技术的优选实施例要求变压器初级绕组上相对小数量的匝数，并且本技术的优选实施例通过使用要求非常小的栅极驱动电流的FET(具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种饱和自振荡推挽式隔离DC‑DC转换器，包括：DC输入；变压器，包括第一初级绕组和第二初级绕组、第一次级绕组和第二次级绕组以及第一反馈绕组和第二反馈绕组；第一场效应晶体管；第二场效应晶体管；以及驱动电路，连接至所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，所述驱动电路包括：偏置电路，所述偏置电路包括串联连接在所述DC输入和地之间的电容器和电阻器，并且所述偏置电路在所述转换器的启动期间经由所述第一反馈绕组和所述第二反馈绕组向所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的栅极施加偏置电压，其中在所述转换器的启动之后所述偏置电压减小为零或者基本上为零；以及复位电路，当关断所述转换器时所述复位电路将所述偏置...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.24 US 62/068,0121.一种饱和自振荡推挽式隔离DC-DC转换器，包括：DC输入；变压器，包括第一初级绕组和第二初级绕组、第一次级绕组和第二次级绕组以及第一反馈绕组和第二反馈绕组；第一场效应晶体管；第二场效应晶体管；以及驱动电路，连接至所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，所述驱动电路包括：偏置电路，所述偏置电路包括串联连接在所述DC输入和地之间的电容器和电阻器，并且所述偏置电路在所述转换器的启动期间经由所述第一反馈绕组和所述第二反馈绕组向所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的栅极施加偏置电压，其中在所述转换器的启动之后所述偏置电压减小为零或者基本上为零；以及复位电路，当关断所述转换器时所述复位电路将所述偏置电路复位；其中所述转换器是自振荡推挽式DC-DC转换器；所述电容器的第一端子连接至所述DC输入；所述电容器的第二端子连接至所述电阻器的第一端子以及所述第一反馈绕组和第二反馈绕组的中心抽头；所述电阻器的第一端子连接至所述电容器的第二端子以及所述第一反馈绕组和所述第二反馈绕组的中心抽头；...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗希特·西达帕拉，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：日本,JP