有机发光器件制造技术

技术编号:20519266 阅读:42 留言:0更新日期:2019-03-06 03:24
公开有机发光器件。所述有机发光器件包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层,其中所述发射层包括主体和掺杂剂,其中所述发射层发射磷光,其中所述掺杂剂为有机金属化合物,和其中所述发射层满足在说明书中描述的某些参数。

【技术实现步骤摘要】
有机发光器件对相关申请的交叉引用本申请要求在韩国知识产权局于2017年9月5日提交的韩国专利申请No.10-2017-0113561和于2018年9月4日提交的韩国专利申请No.10-2018-0105124的优先权、和由其产生的所有权益,将其内容全部引入本文中作为参考。
本公开内容涉及有机发光器件。
技术介绍
有机发光器件(OLED)为产生全色图像的自发射器件。另外,OLED具有宽的视角并且呈现出优异的驱动电压和响应速度特性。OLED包括阳极、阴极、以及设置在阳极和阴极之间的有机层,其中有机层包括发射层。空穴传输区域可设置在阳极和发射层之间,和电子传输区域可设置在发射层和阴极之间。从阳极提供的空穴可通过空穴传输区域朝着发射层移动,和从阴极提供的电子可通过电子传输区域朝着发射层移动。空穴和电子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态以由此产生光。多种类型的有机发光器件是已知的。然而,在具有低的驱动电压、高的效率、高的亮度、和长的寿命的OLED方面仍然存在需要。
技术实现思路
提供满足某些参数且因此具有长的寿命的有机发光器件。额外的方面将部分地在随后的描述中阐明,且部分地将由所述描述明晰,或者可通过所提供的实施方式的实践获悉。根据一种实施方式的方面,有机发光器件可包括第一电极;面对所述第一电极的第二电极;以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层,其中所述发射层可包括主体和掺杂剂,所述发射层可发射磷光,所述掺杂剂可为有机金属化合物,所述掺杂剂的光致发光量子产率(PLQY)可为约0.8或更大且约1.0或更小,所述掺杂剂的衰减时间可为约0.1微秒或更大且约2.9微秒或更小,0.1电子伏≤HOMO(掺杂剂)-HOMO(主体)≤约0.4电子伏,其中HOMO(掺杂剂)代表所述掺杂剂的最高占据分子轨道(HOMO)能级(以电子伏表示),和在其中在所述发射层中包括的所述主体包括一种类型的主体的情况中,HOMO(主体)代表所述一种类型的主体的HOMO能级(以电子伏表示);或者在其中在所述发射层中包括的所述主体为两种或更多种不同类型的主体的混合物的情况中,HOMO(主体)代表所述两种或更多种不同类型的主体的HOMO能级(以电子伏表示)之中的最高HOMO能级,所述掺杂剂的PLQY可为膜1的PLQY,所述掺杂剂的衰减时间可由关于膜1的时间分辨光致发光(TRPL)光谱计算,膜1为通过在10-7托的真空度下在石英基板上以90:10的重量比真空沉积在所述发射层中包括的所述主体和所述掺杂剂而获得的具有40纳米的厚度的膜。HOMO(掺杂剂)可为通过使用光电子能谱仪在环境气氛中关于通过在10-7托的真空度下在氧化铟锡(ITO)基板上以85:15的重量比真空沉积1,4-二(三苯基甲硅烷基)苯和在所述发射层中包括的所述掺杂剂而获得的具有40纳米的厚度的膜测量的负的值,和i)在其中所述主体包括一种类型的主体的情况中,HOMO(主体)可为通过使用光电子能谱仪在环境气氛中关于通过在10-7托的真空度下在ITO基板上真空沉积所述一种类型的主体而获得的具有40纳米的厚度的膜测量的负的值;或ii)在其中所述主体为两种或更多种不同类型的主体的混合物的情况中,HOMO(主体)可为通过使用光电子能谱仪在环境气氛中关于通过在10-7托的真空度下在ITO基板上真空沉积所述两种或更多种不同类型的主体的每一种而获得的具有40纳米的厚度的膜测量的负的值之中的最大的负的值。所述有机发光器件可进一步包括设置在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区域,其中所述空穴传输区域可包括含胺的化合物。根据另一实施方式的方面,有机发光器件可包括:第一电极;面对所述第一电极的第二电极;堆叠在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括至少一个发射层的数量为m的发射单元;和设置在m个发射单元之中的每两个相邻的发射单元之间的数量为m-1的电荷产生层,m-1个电荷产生层各自包括n-型电荷产生层和p-型电荷产生层,其中m为2或更大的整数,从所述数量为m的发射单元的至少一个发射的光的最大发射波长不同于从其它发射单元的至少一个发射的光的最大发射波长,所述发射层包括主体和掺杂剂,所述发射层发射磷光,所述掺杂剂为有机金属化合物,所述掺杂剂的光致发光量子产率(PLQY)为约0.8或更大且约1.0或更小,所述掺杂剂的衰减时间为约0.1微秒或更大且约2.9微秒或更小,0.1电子伏≤HOMO(掺杂剂)-HOMO(主体)≤约0.4电子伏,其中HOMO(掺杂剂)代表所述掺杂剂的最高占据分子轨道(HOMO)能级(以电子伏表示),并且在其中在所述发射层中包括的所述主体包括一种类型的主体的情况中,HOMO(主体)代表所述一种类型的主体的HOMO能级(以电子伏表示);或者在其中在所述发射层中包括的所述主体为两种或更多种不同类型的主体的混合物的情况中,HOMO(主体)代表所述两种或更多种不同类型的主体的HOMO能级(以电子伏表示)之中的最高HOMO能级,所述掺杂剂的PLQY为膜1的PLQY,所述掺杂剂的衰减时间是由关于膜1的时间分辨光致发光(TRPL)光谱计算的,膜1为通过在10-7托的真空度下在石英基板上以90:10的重量比真空沉积在所述发射层中包括的所述主体和所述掺杂剂而获得的具有40纳米的厚度的膜,HOMO(掺杂剂)为通过使用光电子能谱仪在环境气氛中关于通过在10-7托的真空度下在ITO基板上以85:15的重量比真空沉积1,4-二(三苯基甲硅烷基)苯和在所述发射层中包括的所述掺杂剂而获得的具有40纳米的厚度的膜测量的负的值,和i)在其中所述主体包括一种类型的主体的情况中,HOMO(主体)为通过使用光电子能谱仪在环境气氛中关于通过在10-7托的真空度下在ITO基板上真空沉积所述一种类型的主体而获得的具有40纳米的厚度的膜测量的负的值;或ii)在其中所述主体为两种或更多种不同类型的主体的混合物的情况中,HOMO(主体)为通过使用光电子能谱仪在环境气氛中关于通过在10-7托的真空度下在ITO基板上真空沉积所述两种或更多种不同类型的主体的每一种而获得的具有40纳米的厚度的膜测量的负的值之中的最大的负的值。根据还一实施方式的方面,有机发光器件可包括:第一电极;面对所述第一电极的第二电极;和堆叠在所述第一电极和所述第二电极之间的数量为m的发射层,其中m为2或更大的整数,从所述数量为m的发射层的至少一个发射的光的最大发射波长不同于从其它发射层的至少一个发射的光的最大发射波长,所述发射层包括主体和掺杂剂,所述发射层发射磷光,所述掺杂剂为有机金属化合物,所述掺杂剂的光致发光量子产率(PLQY)为约0.8或更大且约1.0或更小,所述掺杂剂的衰减时间为约0.1微秒或更大且约2.9微秒或更小,0.1电子伏≤HOMO(掺杂剂)-HOMO(主体)≤约0.4电子伏,其中HOMO(掺杂剂)代表所述掺杂剂的最高占据分子轨道(HOMO)能级(以电子伏表示),并且在其中在所述发射层中包括的所述主体包括一种类型的主体的情况中,HOMO(主体)代表所述一种类型的主体的HOMO能级(以电子伏表示);或者在其中在所述发射层中包括的所述主体为两种或更多种不同类型的主体的混合物的情况中,HOMO(主体)代表所述两种或更多种不同类型的主体的HOMO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.有机发光器件,包括:第一电极;面对所述第一电极的第二电极;以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层,其中所述发射层包括主体和掺杂剂,所述发射层发射磷光,所述掺杂剂为有机金属化合物,所述掺杂剂的光致发光量子产率为0.8或更大且1.0或更小,所述掺杂剂的衰减时间为0.1微秒或更大且2.9微秒或更小,0.1电子伏≤HOMO(掺杂剂)‑HOMO(主体)≤0.4电子伏,其中HOMO(掺杂剂)代表所述掺杂剂的以电子伏表示的最高占据分子轨道(HOMO)能级,并且在其中在所述发射层中包括的所述主体包括一种类型的主体的情况中,HOMO(主体)代表所述一种类型的主体的以电子伏表示的HOMO能级;或者在其中在所述发射层中包括的所述主体为两种或更多种不同类型的主体的混合物的情况中,HOMO(主体)代表所述两种或更多种不同类型的主体的以电子伏表示的HOMO能级之中的最高HOMO能级,所述掺杂剂的光致发光量子产率为膜1的光致发光量子产率,所述掺杂剂的衰减时间是由关于膜1的时间分辨光致发光光谱计算的,膜1为通过在10‑7托的真空度下在石英基板上以90:10的重量比真空沉积在所述发射层中包括的所述主体和所述掺杂剂而获得的具有40纳米的厚度的膜,HOMO(掺杂剂)为通过使用光电子能谱仪在环境气氛中关于通过在10‑7托的真空度下在氧化铟锡基板上以85:15的重量比真空沉积1,4‑二(三苯基甲硅烷基)苯和在所述发射层中包括的所述掺杂剂而获得的具有40纳米的厚度的膜测量的负的值,和i)在其中所述主体包括一种类型的主体的情况中,HOMO(主体)为通过使用光电子能谱仪在环境气氛中关于通过在10‑7托的真空度下在氧化铟锡基板上真空沉积所述一种类型的主体而获得的具有40纳米的厚度的膜测量的负的值;或ii)在其中所述主体为两种或更多种不同类型的主体的混合物的情况中,HOMO(主体)为通过使用光电子能谱仪在环境气氛中关于通过在10‑7托的真空度下在氧化铟锡基板上真空沉积所述两种或更多种不同类型的主体的每一种而获得的具有40纳米的厚度的膜测量的负的值之中的最大的负的值。...

【技术特征摘要】
2017.09.05 KR 10-2017-0113561;2018.09.04 KR 10-2011.有机发光器件,包括:第一电极;面对所述第一电极的第二电极;以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层,其中所述发射层包括主体和掺杂剂,所述发射层发射磷光,所述掺杂剂为有机金属化合物,所述掺杂剂的光致发光量子产率为0.8或更大且1.0或更小,所述掺杂剂的衰减时间为0.1微秒或更大且2.9微秒或更小,0.1电子伏≤HOMO(掺杂剂)-HOMO(主体)≤0.4电子伏,其中HOMO(掺杂剂)代表所述掺杂剂的以电子伏表示的最高占据分子轨道(HOMO)能级,并且在其中在所述发射层中包括的所述主体包括一种类型的主体的情况中,HOMO(主体)代表所述一种类型的主体的以电子伏表示的HOMO能级;或者在其中在所述发射层中包括的所述主体为两种或更多种不同类型的主体的混合物的情况中,HOMO(主体)代表所述两种或更多种不同类型的主体的以电子伏表示的HOMO能级之中的最高HOMO能级,所述掺杂剂的光致发光量子产率为膜1的光致发光量子产率,所述掺杂剂的衰减时间是由关于膜1的时间分辨光致发光光谱计算的,膜1为通过在10-7托的真空度下在石英基板上以90:10的重量比真空沉积在所述发射层中包括的所述主体和所述掺杂剂而获得的具有40纳米的厚度的膜,HOMO(掺杂剂)为通过使用光电子能谱仪在环境气氛中关于通过在10-7托的真空度下在氧化铟锡基板上以85:15的重量比真空沉积1,4-二(三苯基甲硅烷基)苯和在所述发射层中包括的所述掺杂剂而获得的具有40纳米的厚度的膜测量的负的值,和i)在其中所述主体包括一种类型的主体的情况中,HOMO(主体)为通过使用光电子能谱仪在环境气氛中关于通过在10-7托的真空度下在氧化铟锡基板上真空沉积所述一种类型的主体而获得的具有40纳米的厚度的膜测量的负的值;或ii)在其中所述主体为两种或更多种不同类型的主体的混合物的情况中,HOMO(主体)为通过使用光电子能谱仪在环境气氛中关于通过在10-7托的真空度下在氧化铟锡基板上真空沉积所述两种或更多种不同类型的主体的每一种而获得的具有40纳米的厚度的膜测量的负的值之中的最大的负的值。2.如权利要求1所述的有机发光器件,其中所述掺杂剂的发射光谱的最大发射波长的发射能量为2.31电子伏或更大且2.48电子伏或更小,并且所述掺杂剂的发射光谱的最大发射波长的发射能量是由关于膜1的发射光谱的最大发射波长计算的。3.如权利要求1所述的有机发光器件,其中所述掺杂剂的光致发光量子产率为0.9或更大且1.0或更小。4.如权利要求1所述的有机发光器件,其中所述掺杂剂的衰减时间为1.0微秒或更大且2.9微秒或更小。5.如权利要求1所述的有机发光器件,其中0.1电子伏≤HOMO(掺杂剂)-HOMO(主体)≤0.25电子伏。6.如权利要求1所述的有机发光器件,其中所述掺杂剂的光致发光量子产率为0.975或更大且1.0或更小,所述掺杂剂的衰减时间为2.0微秒或更大且2.5微秒或更小,和0.15电子伏≤HOMO(掺杂剂)-HOMO(主体)≤0.25电子伏。7.如权利要求1所述的有机发光器件,其中所述掺杂剂为不含铱的有机金属化合物。8.如权利要求1所述的有机发光器件,其中所述掺杂剂为包括铂(Pt)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铥(Tm)、铑(Rh)、钌(Ru)、铼(Re)、铍(Be)、镁(Mg)、铝(Al)、钙(Ca)、锰(Mn)、钴(Co)、铜(Cu)、锌(Zn)、镓(Ga)、锗(Ge)、钯(Pd)、银(Ag)、或金(Au)的有机金属化合物。9.如权利要求1所述的有机发光器件,其中所述掺杂剂为包括铂的有机金属化合物。10.如权利要求1所述的有机发光器件,其中所述掺杂剂具有方形平面配位结构。11.如权利要求1所述的有机发光器件,其中所述掺杂剂包括金属M和有机配体,其中所述金属M和所述有机配体能够一起形成一个、两个或三个环金属化的环。12.如权利要求1所述的有机发光器件,其中所述掺杂剂包括金属M和四齿有机配体,其中所述金属M和所述四齿有机配体能够一起形成三个或四个环金属化的环,所述金属M为铂(Pt)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铥(Tm)、铑(Rh)、钌(Ru)、铼(Re)、铍(Be)、镁(Mg)、铝(Al)、钙(Ca)、锰(Mn)、钴(Co)、铜(Cu)、锌(Zn)、镓(Ga)、锗(Ge)、钯(Pd)、银(Ag)、或金(Au),和所述四齿有机配体包括苯并咪唑基团和吡啶基团。13.如权利要求1所述的有机发光器件,其中所述主体包括电子传输主体和空穴传输主体,所述电子传输主体包括至少一个电子传输部分,所述空穴传输主体不包括电子传输部分,和所述至少一个电子传输部分选自氰基、π电子贫化的含氮的环状基团、和由下式之一表示的基团:其中,在上式中,*、*'、和*"各自表示与相邻原子的结合位点。14.如权利要求13所述的有机发光器件,其中所述电子传输主体包括至少一个π电子贫化的不含氮的环状基团和至少一个电子传输部分,所述空穴传输主体包括至少一个π电子贫化的不含氮的环状基团且不包括电子传输部分,和所述至少一个电子传输部分为氰基或π电子贫化的含氮的环状基团。15.如权利要求14所述的有机发光器件,其中所述π电子贫化的含氮的环状基团为咪唑基团、吡唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、唑基团、异唑基团、吡啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、嘧啶基团、吲唑基团、嘌呤基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、噌啉基团、菲啶基团、吖啶基团、菲咯啉基团、吩嗪基团、苯并咪唑基团、异-苯并噻唑基团、苯并唑基团、异苯并唑基团、三唑基团、四唑基团、二唑基团、三嗪基团、噻二唑基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、氮杂咔...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭丞燕具贤金象同金志桓李晟熏崔玹豪洪锡焕黃圭荣
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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