金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法技术

本发明专利技术提供一种金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法，该金属膜蚀刻液组合物包含蚀刻引发剂、无机酸、有机酸、有机盐以及余量的水，且在常温下，粘度为1～3.3cp。通过使用金属膜蚀刻液组合物，能够形成蚀刻不良减少且具有提高了的均匀性的微细尺寸的导电图案。

Composition of metal film etching solution and method for forming conductive pattern by using it

The invention provides a composition of metal film etching solution and a method for forming conductive pattern by using the composition. The composition of metal film etching solution comprises etching initiator, inorganic acid, organic acid, organic salt and residual water, and its viscosity is 1-3.3cp at room temperature. By using a metal film etching solution composition, a fine-sized conductive pattern with reduced etching defects and improved uniformity can be formed.

【技术实现步骤摘要】
金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法
本专利技术涉及金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法。更详细而言，涉及包含酸成分的金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法。
技术介绍
例如，作为半导体装置和显示装置的驱动电路中的一部分，利用薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：TFT)。TFT例如在有机发光显示(OLED)装置或液晶显示装置(LCD)的基板上按照各个像素排列，像素电极、对电极、源电极、漏电极、数据线、电源线等配线可以与上述TFT电连接。为了形成上述电极或配线，可以在显示器基板上形成金属膜，在上述金属膜上形成光致抗蚀剂后，使用蚀刻液组合物将上述金属膜部分地去除。为了减小配线电阻而防止信号传递延迟，且确保配线的耐化学性、稳定性，上述金属膜可以形成为包含彼此具有不同化学特性的异种金属或异种导电物质的多层膜。例如，为了呈现低电阻特性，可以形成含银(Ag)膜，且为了提高耐化学性、稳定性和透过度，可以追加形成氧化铟锡(IndiumTinOxide：ITO)之类的透明导电性氧化物膜。上述蚀刻液组合物一般包含大量的酸成分。根据上述酸成分的种类，蚀刻特性会发生变化，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属膜蚀刻液组合物，其包含蚀刻引发剂、无机酸、有机酸、有机盐以及余量的水，且在常温下，粘度为1～3.3cp。

【技术特征摘要】
2017.08.28 KR 10-2017-01085011.一种金属膜蚀刻液组合物，其包含蚀刻引发剂、无机酸、有机酸、有机盐以及余量的水，且在常温下，粘度为1～3.3cp。2.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，所述蚀刻引发剂包含选自由硫化过氧化物、过氧化氢、过硫酸盐和过硝酸盐组成的组中的至少一种。3.根据权利要求2所述的金属膜蚀刻液组合物，所述蚀刻引发剂包含过硫酸氢钾制剂。4.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，所述无机酸包含硝酸。5.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，所述有机酸包含第一有机酸以及酸性比所述第一有机酸弱的第二有机酸。6.根据权利要求5所述的金属膜蚀刻液组合物，所述第一有机酸包含乙酸，所述第二有机酸包含选自由亚氨基二乙酸(IDA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、甘氨酸、水杨酸、柠檬酸、甲酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、丁酸、葡糖酸、乙醇酸和戊酸组成的组中的至少一种。7.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，所述有机盐包含乙酸盐或草酸盐系化合物。8.根据权利要求7所述的金属膜蚀刻液组合物，所述有机盐包含乙酸钠和乙酸铵中的至少一种。9.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，组合物总重量中，包含：所述蚀刻引发剂0.5～20重量％；所述无机酸1～10重量％；所述有机酸10～60重量...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈庆辅，金童基，南基龙，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR