一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术属于显示器器件领域，具体涉及一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：(1)在基板上沉积栅极；(2)在栅极表面阳极氧化生长栅极绝缘层；(3)在栅极绝缘层上沉积有源层；(4)在有源层上制备源电极和漏电极，并利用湿法刻蚀进行图形化；(5)将器件进行空气常压退火，退火温度为350℃；(6)在沟道上方制备钝化层。一般制备完器件后，沟道区域含有残留物，会导致器件电学性能恶化，但经过350℃前退火，可以消除沟道区的残留物，提高器件性能。因此，制备小型化器件时，由于当沟道尺寸很小时沟道区的残留物很难去除，需要经过350℃前退火消除沟道区的残留物，从而提高器件性能。

A back channel etched amorphous oxide thin film transistor and its preparation method

The invention belongs to the field of display devices, in particular to a back channel etched amorphous oxide thin film transistor and a preparation method thereof. The preparation method comprises the following steps: (1) depositing grid on the substrate; (2) anodizing growth of grid insulating layer on the grid surface; (3) depositing active layer on the grid insulating layer; (4) preparing source electrode and drain electrode on the active layer, and using wet etching for graphical processing; (5) annealing the device at atmospheric pressure with annealing temperature of 350 C; (6) preparing passivation layer above the channel. \u3002 Generally, after the device is prepared, the channel area contains residues, which will lead to the deterioration of the electrical performance of the device. However, after annealing at 350 C, the residual in the channel area can be eliminated and the device performance can be improved. Therefore, in the preparation of miniaturized devices, because it is difficult to remove the residual in the channel area when the channel size is very small, the residual in the channel area needs to be annealed before 350 C to improve the device performance.

【技术实现步骤摘要】
一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术属于显示器器件领域，具体涉及一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
近年来，平板显示面板的应用发展迅速，大尺寸、高分辨显示成为当下显示追求的热点。非晶氧化物薄膜晶体管在液晶显示(LCD)和有机发光二极管(OLED)的平板显示中起重要作用。对于要实现大尺寸、高分辨显示面板制备，需要制备出小尺寸薄膜晶体管。背沟道刻蚀型结构是一种可以实现器件小型化的方法。然而，在制备小型化器件的过程中，器件沟道区域会存在一些光刻胶之类的残留物，很难去除，导致器件性能恶化。
技术实现思路
为解决现有技术的缺点和不足之处，本专利技术的目的在于提供一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。本专利技术的目的通过下述技术方案实现：一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：(1)在基板上沉积栅极；(2)在栅极表面阳极氧化生长栅极绝缘层；(3)在栅极绝缘层上沉积有源层；(4)在有源层上制备源电极和漏电极，并利用湿法刻蚀进行图形化；(5)将器件进行空气常压退火，退火温度为350℃；(6)在沟道上方制备钝化层。优选的，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在基板上沉积栅极；(2)在栅极表面阳极氧化生长栅极绝缘层；(3)在栅极绝缘层上沉积有源层；(4)在有源层上制备源电极和漏电极，并利用湿法刻蚀进行图形化；(5)将器件进行空气常压退火，退火温度为350℃；(6)在沟道上方制备钝化层。

【技术特征摘要】
1.一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在基板上沉积栅极；(2)在栅极表面阳极氧化生长栅极绝缘层；(3)在栅极绝缘层上沉积有源层；(4)在有源层上制备源电极和漏电极，并利用湿法刻蚀进行图形化；(5)将器件进行空气常压退火，退火温度为350℃；(6)在沟道上方制备钝化层。2.根据权利要求1所述的一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤(1)具体为：在玻璃基板上直流磁控溅射沉积制备厚度为300～500nm的Al:Nd薄膜作为栅极。3.根据权利要求1所述的一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤(2)具体为：在栅极表面阳极氧化生长厚度为200～300nm的AlOx:Nd栅极绝缘层。4.根据权利要求1所述的一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤(3)具体为：采用射频磁控溅射在栅极绝缘层上沉积厚度为5～20nm的掺硅氧化锡氧化物半导体薄膜作为有源层。5.根据权利要求4所述的一种背沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁洪龙，刘贤哲，姚日晖，袁炜键，张啸尘，邓宇熹，周尚雄，李志航，史沐杨，彭俊彪，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44