【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
本专利技术涉及电子器件领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)作为一种常用电子器件，在电子领域具有广泛的应用。薄膜晶体管一般包括栅极、有源层、源极和漏极等，在一些薄膜晶体管中源极和漏极采用双层金属结构，然而，上层金属扩散至有源层中的沟道位置处，从而对薄膜晶体管的特性造成不良影响，使得薄膜晶体管的稳定性降低；例如降低了薄膜晶体管的开态电流等。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，能够降低源极和/或漏极中的第二金属层中的金属原子扩散至沟道区域的几率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管，包括设置于基板上的有源层以及与所述有源层接触的源极和漏极；其中，所述源极和所述漏极包括层叠设置的第一金属层、第二金属层，且所述第一金属层相对于所述第二金属层靠近所述有源层；所述源极中的第二金属层与所述有源层在所述基板上的正投影的交叠区域的面积，小于所述源极...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括设置于基板上的有源层以及与所述有源层接触的源极和漏极；其中，所述源极和所述漏极包括层叠设置的第一金属层、第二金属层，且所述第一金属层相对于所述第二金属层靠近所述有源层；所述源极中的第二金属层与所述有源层在所述基板上的正投影的交叠区域的面积，小于所述源极中的第一金属层与所述有源层在所述基板上的正投影的交叠区域的面积；和/或，所述漏极中的第二金属层与所述有源层在所述基板上的正投影的交叠区域的面积，小于所述漏极中的第一金属层与所述有源层在所述基板上的正投影的交叠区域的面积。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括设置于基板上的有源层以及与所述有源层接触的源极和漏极；其中，所述源极和所述漏极包括层叠设置的第一金属层、第二金属层，且所述第一金属层相对于所述第二金属层靠近所述有源层；所述源极中的第二金属层与所述有源层在所述基板上的正投影的交叠区域的面积，小于所述源极中的第一金属层与所述有源层在所述基板上的正投影的交叠区域的面积；和/或，所述漏极中的第二金属层与所述有源层在所述基板上的正投影的交叠区域的面积，小于所述漏极中的第一金属层与所述有源层在所述基板上的正投影的交叠区域的面积。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极中的第二金属层在靠近所述沟道区域一侧的边缘，与所述漏极中的第二金属层在靠近所述沟道区域一侧的边缘之间的距离，至少在部分区域大于所述沟道区域的长度。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极中的第二金属层在靠近所述沟道区域一侧的边缘在任意位置处，到所述沟道区域的距离均大于零；所述漏极中的第二金属层在靠近所述沟道区域一侧的边缘在任意位置处，到所述沟道区域的距离均大于零。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极中的第二金属层在靠近所述沟道区域一侧的边缘在任意位置处到所述沟道区域的距离均为第一距离；所述漏极中的第二金属层在靠近所述沟道区域一侧的边缘在任意位置处，到所述沟道区域的距离均为第二距离。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一距离与所述第二距离相等。6.根据权利要求3-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极中的第二金属层在靠近所述沟道区域一侧的边缘在任意位置处，到所述沟道区域的距离为2μm～7μm；所述漏极中的第二金属层在靠近所述沟道区域一侧的边缘在任意位置处，到所述沟道区域的距离为2μm～7μm。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括依次设置于所述基板上的栅极、栅极绝缘层、所述有源层、源漏图案层；所述源漏图案层包括所述源极和所述漏极。8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二金属层的材质包括铜。9.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管。10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：操彬彬，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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