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本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，涉及电子器件领域，能够降低源极和/或漏极中的第二金属层中的金属原子扩散至沟道区域的几率；该薄膜晶体管包括设置于基板上的有源层以及与有源层接触的源极和漏极；其中，源极和漏极包括层...该专利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。