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本发明属于显示器器件领域，具体涉及一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：(1)在基板上沉积栅极；(2)在栅极表面阳极氧化生长栅极绝缘层；(3)在栅极绝缘层上沉积有源层；(4)在有源层上制备源电极和漏电极...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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