一种电阻等效二极管结构制造技术

本发明专利技术公开了一种电阻等效二极管结构，包括Psub衬底，所述Psub衬底上设置有由SAB及正下方的N+区(或P+区)组成的电阻器件核心区，所述电阻器件核心区的左右各设置一由电阻器件基础层N+(或P+)和高浓度衬底P+ring(或N+ring)的反向偏置二极管核心区；此为电阻等效二极管结构。本发明专利技术提出的是一种电阻等效二极管的结构，电路设计时节省独立二极管器件，只需设计真实的电阻器件。而需要实现二极管的功能则在集成电路版图中通过改变传统电阻器件的结构，在电阻两极设计等效二极管，即一种电阻器件同时实现两种功能。此种电阻等效的二极管组合也能全方位的实现电荷泄放能力。

A Resistance Equivalent Diode Structure

The invention discloses a resistance equivalent diode structure, including a Psub substrate, which is equipped with a core region of a resistance device consisting of SAB and the N+region (or P+region) directly below the Psub substrate. The core region of the resistance device is provided with a reverse biased diode core region consisting of a resistance device base layer N+ (or P+) and a high concentration substrate P+ring (or N+ring), which is a resistance equivalent diode. Structure. The invention provides a structure of a resistance equivalent diode, which saves independent diode devices in circuit design and only needs to design real resistance devices. In order to realize the function of the diode, an equivalent diode is designed at the two poles of the resistor by changing the structure of the traditional resistor device in the layout of the integrated circuit, that is, a resistor device realizes two functions at the same time. This kind of resistance equivalent diode combination can also realize the charge release ability in all directions.

【技术实现步骤摘要】
一种电阻等效二极管结构
本专利技术属于半导体集成电路
，特别涉及一种利用电阻器件同时实现电阻和二极管两种功能的电阻等效二极管结构。
技术介绍
目前半导体集成电路工艺越来越先进，工艺尺寸从微米级到亚微米级再到深亚微米级这一系列的升级过程，使得芯片规模动辄就是百万级别晶体管。现有半导体集成电路芯片的优点是芯片功能强大，运算能力强，覆盖面广；缺点是芯片版图设计要求严苛，面积变大，芯片流片成本变高。所以迫切需要设计一种优化集成电路版图面积的结构。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：现有半导体集成电路芯片版图设计要求严苛，面积变大，芯片流片成本变高。本专利技术采用如下技术手段：一种电阻等效二极管结构，包括Psub衬底，所述Psub衬底上设置有由SAB及正下方的N+区组成的电阻器件核心区，所述电阻器件核心区的左右各设置一由电阻器件基础层N+和高浓度衬底P+ring组成的反向偏置二极管核心区；此为N型电阻等效二极管结构；或者，所述Psub衬底上设置有由SAB及正下方的P+区组成的电阻器件核心区，所述电阻器件核心区的左右各设置一由电阻器件基础层P+和高浓度衬底N+ring组成的反向偏置二极管核心区；此为P型电阻等效二极管结构。更进一步地，所述N型电阻等效二极管结构中，反向偏置二极管的泄放电荷能力与反向偏置二极管核心区的电阻器件基础层N+区的面积成正比。更进一步地，所述P型电阻等效二极管结构中，反向偏置二极管的泄放电荷能力与反向偏置二极管核心区的电阻器件基础层P+区的面积成正比。更进一步地，所述N型电阻等效二极管结构中的等效电阻是N扩散电阻，版图结构由在N扩散基础上注入金属与连接孔组成的低阻端口和在中间N扩散基础上注入SAB层的高阻部分组成，实现电阻的功能。更进一步地，所述P型电阻等效二极管结构中的等效电阻是P型扩散电阻，版图结构由在P扩散基础上注入金属与连接孔组成的低阻端口和在中间P扩散基础上注入SAB层的高阻部分组成，实现电阻的功能。更进一步地，所述N型电阻等效二极管结构中的等效二极管D是在N扩散基础上注入金属与连接孔组成的N极和外围接地的衬底P+ring组成的P极形成二极管PN节，实现二极管保护功能。更进一步地，所述P型电阻等效二极管结构中的等效二极管D是在P扩散基础上注入金属与连接孔组成的P极和外围接电源的衬底N+ring组成的N极形成二极管PN节，实现二极管保护功能。更进一步地，在集成电路版图中通过在电阻两极增设等效二极管，利用一种电阻器件同时实现电阻和二极管两种功能。本专利技术的有益效果如下：本专利技术提出的是一种电阻等效二极管的结构，电路设计时节省独立二极管器件，只需设计真实的电阻器件。而需要实现二极管的功能则在集成电路版图中通过改变传统电阻器件的结构，在电阻两极设计等效二极管，即一种电阻器件同时实现两种功能。此种电阻等效的二极管组合也能全方位的实现电荷泄放能力。附图说明图1是本专利技术电阻等效二极管原理图；图2是本专利技术电阻等效二极管复用版图结构示意图；图3是本专利技术电阻等效二极管(N型二极管)复用工艺结构示意图；图4是本专利技术电阻等效二极管(P型二极管)复用版图结构示意图；图5是本专利技术电阻等效二极管(P型二极管)复用工艺结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术作进一步详细说明。针对现有半导体集成电路芯片版图设计要求严苛，面积变大，芯片流片成本变高的问题，本专利技术提供一种电阻等效二极管结构，原理如图1所示，包括Psub衬底，其中，所述Psub衬底上设置有由SAB及正下方的N+区组成的电阻器件核心区，所述电阻器件核心区的左右各设置一由电阻器件基础层N+和高浓度衬底P+ring组成的反向偏置二极管核心区；此为N型电阻等效二极管结构；或者，所述Psub衬底上设置有由SAB及正下方的P+区组成的电阻器件核心区，所述电阻器件核心区的左右各设置一由电阻器件基础层P+和高浓度衬底N+ring组成的反向偏置二极管核心区；此为P型电阻等效二极管结构。采用本专利技术的电阻等效二极管的结构，电路设计时节省独立二极管器件，只需设计真实的电阻器件。而需要实现二极管的功能则在集成电路版图中通过改变传统电阻器件的结构，在电阻两极设计等效二极管，即一种电阻器件同时实现两种功能。此种电阻等效的二极管组合也能全方位的实现电荷泄放能力。实施例一本实施例提供一种如图2-3所示的电阻等效二极管(N型二极管)结构。在电阻等效二极管电路中用虚线表示的D(N型二极管)，实际在电路中不需要表现出来，而需要实现二极管的功能则在集成电路版图中通过改变传统电阻器件R(N型电阻)的结构，在电阻两极设计等效二极管，即一种电阻器件同时实现两种功能。此种电阻等效的二极管组合也能全方位的实现电荷泄放能力。具体版图结构如图2所示：R(N型电阻)是N扩散电阻，而版图结构由在N扩散基础上注入金属与连接孔组成的低阻端口(D)和在中间N扩散基础上注入SAB(salicideblock)层的高阻部分(R)组成，实现电阻的功能；另外，外围环绕接地的衬底P+ring起到隔离噪音的作用。D(N型二极管)结构是在N扩散基础上注入金属与连接孔组成的N极和外围接地的衬底P+ring组成的P极形成二极管PN节，实现二极管保护功能。即这种版图复用设计结构最大的好处就是减小了模块的面积，在集成电路芯片中使用多个这种结构会大大的减小芯片面积。如图3所示，是针对电阻R(N型电阻)的器件结构创新的工艺结构示意图。在衬底Psub上面分别有三个区域，第一区域是由SAB(salicideblock)及正下方的N+区组成的电阻器件核心区；第二和第三区域分别是左右各一由电阻器件基础层N+和高浓度衬底P+ring组成反向偏置二极管核心区。其中反向偏置二极管泄放电荷能力与反向偏置二极管核心区的电阻器件基础层N+区的面积成正比。实施例二本实施例提供一种如图4-5所示的电阻等效二极管(P型二极管)结构。在电阻等效二极管电路中用虚线表示的D(P型二极管)，实际在电路中不需要表现出来，而需要实现二极管的功能则在集成电路版图中通过改变传统电阻器件R(P型电阻)的结构，在电阻两极设计等效二极管，即一种电阻器件同时实现两种功能。此种电阻等效的二极管组合也能全方位的实现电荷泄放能力。具体版图结构如图4所示：R(P型电阻)是P扩散电阻，而版图结构由在P扩散基础上注入金属与连接孔组成的低阻端口(D)和在中间P扩散基础上注入SAB(salicideblock)层的高阻部分(R)组成，实现电阻的功能；另外，外围环绕接电源的衬底N+ring起到隔离噪音的作用。D(P型二极管)结构是在P扩散基础上注入金属与连接孔组成的P极和外围接电源的衬底N+ring组成的N极形成二极管PN节，实现二极管保护功能。即这种版图复用设计结构最大的好处就是减小了模块的面积，在集成电路芯片中使用多个这种结构会大大的减小芯片面积。如图5所示，是针对电阻R(P型电阻)的器件结构创新的工艺结构示意图。在衬底Psub上面分别有三个区域，第一区域是由SAB(salicideblock)及正下方的P+区组成的电阻器件核心区；第二和第三区域分别是左右各一由电阻器件基础层P+和高浓度衬底N+ring组成反向偏置二极管核心区。其中反向偏置二极管泄放电荷能力与反向偏置二极管核心区的电阻器件基础本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电阻等效二极管结构，其特征在于：包括Psub衬底，所述Psub衬底上设置有由SAB及正下方的N+区组成的电阻器件核心区，所述电阻器件核心区的左右各设置一由电阻器件基础层N+和高浓度衬底P+ring组成的反向偏置二极管核心区；此为N型电阻等效二极管结构；或者，所述Psub衬底上设置有由SAB及正下方的P+区组成的电阻器件核心区，所述电阻器件核心区的左右各设置一由电阻器件基础层P+和高浓度衬底N+ring组成的反向偏置二极管核心区；此为P型电阻等效二极管结构。

【技术特征摘要】
1.一种电阻等效二极管结构，其特征在于：包括Psub衬底，所述Psub衬底上设置有由SAB及正下方的N+区组成的电阻器件核心区，所述电阻器件核心区的左右各设置一由电阻器件基础层N+和高浓度衬底P+ring组成的反向偏置二极管核心区；此为N型电阻等效二极管结构；或者，所述Psub衬底上设置有由SAB及正下方的P+区组成的电阻器件核心区，所述电阻器件核心区的左右各设置一由电阻器件基础层P+和高浓度衬底N+ring组成的反向偏置二极管核心区；此为P型电阻等效二极管结构。2.根据权利要求1所述的电阻等效二极管结构，其特征在于：所述N型电阻等效二极管结构中，反向偏置二极管的泄放电荷能力与反向偏置二极管核心区的电阻器件基础层N+区的面积成正比。3.据权利要求1所述的电阻等效二极管结构，其特征在于：所述P型电阻等效二极管结构中，反向偏置二极管的泄放电荷能力与反向偏置二极管核心区的电阻器件基础层P+区的面积成正比。4.据权利要求1所述的电阻等效二极管结构，其特征在于：所述N型电阻等效二极管结构中的等效电阻是N扩散电阻，...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷慧萍，王聪，张永光，王静，谢育桦，彭新朝，徐以军，冯玉明，张亮，黄穗彪，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44