一种范德华异质结器件及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种范德华异质结器件，包括从下到上依次设置的基底、二碲化钼纳米片、二硫化钼纳米片和金属电极，所述二碲化钼纳米片的横截面积大于所述二硫化钼纳米片的横截面积。本发明专利技术的范德华异质结器件可以实现导电极性的动态调节。在不同的偏压条件下，基于该范德华异质结器件的场效应晶体管可分别实现双极性和N型导电极性，并展现出超高电流开关比(～10

【技术实现步骤摘要】
一种范德华异质结器件及其制备方法和应用
本专利技术涉及半导体纳米材料
，尤其涉及一种范德华异质结器件及其制备方法和应用。
技术介绍
二维材料由于具有原子级超薄的厚度、无表面悬挂键等特征，受到了研究人员越来越多的关注，而可控的导电性质(例如：导电极性)是其得到实际应用的前提。现阶段，由于大量界面态的存在，对二维材料导电性质的调控还存在诸多挑战。通过表面化学掺杂可以对其进行有效地调控，但这会增加器件制备工艺的复杂性并且存在性能易退化等问题。更重要的是，这种方法是不可逆的，不能实现对二维材料导电性质的动态调节。最近，由二维材料组装而成的异质结构——范德华异质结逐渐兴起，为我们提供了一个全新的平台去实现单个材料无法实现的功能，例如隧道晶体管，发光二极管和太阳能电池等。尽管如此，这些异质结器件通常表现出固定的导电性质，而导电极性可动态调节的范德华异质结器件还未被报道。因此，开发出此类器件，不仅可以实现新颖的电子、光电子性质，也会进一步增高器件的集成度和硅基兼容性。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术提供一种范德华异质结器件及其制备方法和应用，所述范德华异质结器件的导电极性可动态调节。本专利技术提供一种范德华异质结器件，包括从下到上依次设置的基底、二碲化钼纳米片、二硫化钼纳米片和金属电极，所述二碲化钼纳米片的横截面积大于所述二硫化钼纳米片的横截面积。上述技术方案中，这样的结构设计使得从金属向二硫化钼纳米片和二碲化钼纳米片注入载流子(电子/空穴)的能力不同，因此通过改变偏压正负，调控(载流子)电子/空穴的注入方向即可实现导电极性的动态调节。优选地，所述二碲化钼纳米片的厚度为0.7～10nm。优选地，所述二硫化钼纳米片的厚度为10～20nm。优选地，所述二碲化钼纳米片的长度为10～50μm，宽度大于3μm且小于所述二硫化钼纳米片的长度，所述二硫化钼纳米片的长度为10～50μm，宽度大于3μm且小于所述二碲化钼纳米片长度的二分之一。上述技术方案中，采用厚度为0.7～10nm的二碲化钼纳米片能够使导电沟道具有良好的栅极调控作用；采用厚度为10～20nm的二硫化钼纳米片是为了防止载流子直接隧穿过二硫化钼，保证正负偏压能够调控载流子注入二硫化钼的能力；采用上述长、宽比例的二碲化钼纳米片和二硫化钼纳米片更容易进行转移操作，从而构筑器件。优选地，所述金属电极包括源极和漏极，所述源极设置在所述二硫化钼纳米片与所述二碲化钼纳米片的重叠区域上，以缩短载流子的传输距离。所述漏极设置在所述二碲化钼纳米片上。优选地，所述金属电极的材质为金、银、钛、铬、钯和铂中的一种或多种。更优选地，所述金属电极为铬金复合层，下层为铬，厚度为5～15nm，上层为金，厚度为40～80nm。上述技术方案中，采用铬是因为从铬向二硫化钼注入空穴的能力和从铬向二碲化钼注入空穴的能力不同，当施加不同方向的偏压时，器件的导电极性不同。此外铬具有很好的粘附性，但是直接暴露于空气中容易氧化，导致导电性变差，因此在上层蒸镀40～80nm的金。优选地，所述基底为Si/SiO2基底，硅层上的SiO2厚度为100～300nm。上述技术方案中，100～300nm的SiO2能够提供所需的栅电容，同时避免器件的电流泄漏。本专利技术第二目的为提供上述范德华异质结器件的制备方法，包括：先将所述二碲化钼纳米片转移至所述基底上，再将所述二硫化钼纳米片转移至所述二碲化钼纳米片上，最后制备所述金属电极。上述制备方法简单，且能实现产品功能。其中二碲化钼纳米片是作为导电沟道，直接放在基底上便能实现较好的栅极调控作用；其后转移二硫化钼纳米片至所述二碲化钼纳米片与金属电极之间是作为载流子通过的选择层。优选地，所述二碲化钼纳米片和所述二硫化钼纳米片采用胶带机械剥离块体材料的方法制得，并通过光学显微镜选定。采用胶带机械剥离块体材料得到的纳米片的晶体质量更好。优选地，将所述二硫化钼纳米片转移至所述二碲化钼纳米片上，具体包括：先将所述二硫化钼纳米片放置于聚甲基乙撑碳酸酯(PPC)支撑薄膜上，再将所述支撑薄膜放置于所述二碲化钼纳米片上，然后用有机溶剂去除所述支撑薄膜。所述有机溶剂为丙酮、氯仿或其它本领域已知的溶剂。上述技术方案中，采用的聚甲基乙撑碳酸酯具有很好的柔韧性和透明性，将二硫化钼纳米片放置在PPC上能够保证在转移过程中对准下层的二碲化米纳米片。此外PPC容易用有机溶剂去除，方便进一步在纳米片上面制备电极。优选地，所述金属电极通过标准电子束曝光和热蒸发镀膜机制备。本专利技术第三目的为提供上述范德华异质结器件或上述制备方法在制备导电极性可动态调节的场效应晶体管中的应用。所述范德华异质结器件还可工作为整流器和光伏电池。本专利技术的范德华异质结器件可以实现导电极性的动态调节。在不同的偏压条件下，基于该范德华异质结器件的场效应晶体管可分别实现双极型和N型导电极性，并展现出超高电流开关比(～107)、电流整流比(～106)和优异的光伏性能，可应用在新型二维电子及光电子器件。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的范德华异质结器件的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的范德华异质结器件的光学显微镜图；图3为本专利技术实施例提供的范德华异质结器件在正偏压条件下的电流-栅压转移曲线图；图4为本专利技术实施例提供的范德华异质结器件在负偏压条件下的电流-栅压转移曲线图；图5为本专利技术实施例提供的范德华异质结器件在温度为80开尔文时不同偏压条件下的电流-栅压转移曲线图；图6为本专利技术实施例提供的范德华异质结器件在温度为室温时不同栅压条件下的电流-偏压输出曲线图；图7为本专利技术实施例提供的范德华异质结器件在温度为77开尔文时不同栅压条件下的电流-偏压输出曲线图；图8为本专利技术实施例提供的范德华异质结器件工作为光伏电池时，在光功率密度为17.5毫瓦和栅压为-70伏特的条件下电流与偏压的关系图；图9为本专利技术实施例提供的范德华异质结器件工作为光伏电池时，在光功率密度为17.5毫瓦和栅压为-70伏特的条件下电功率与偏压的关系图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1本实施例提供一种范德华异质结器件，其结构示意图如图1所示，包括从下到上依次设置的基底1、二碲化钼纳米片2、二硫化钼纳米片3和金属电极4，二碲化钼纳米片2的横截面积大于二硫化钼纳米片3的横截面积。本实施例中，基底1为带有300nm厚二氧化硅的硅基底；二碲化钼纳米片2的厚度为6.4nm，长度为17.4μm，宽度为7.5μm；二硫化钼纳米片3的厚度为13.7nm，长度为11.4μm，宽度为4.2μm；金属电极4包括源极41和漏极42，源极41设置在二硫化钼纳米片3与二碲化钼纳米片2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种范德华异质结器件，其特征在于，包括从下到上依次设置的基底、二碲化钼纳米片、二硫化钼纳米片和金属电极，所述二碲化钼纳米片的横截面积大于所述二硫化钼纳米片的横截面积。

【技术特征摘要】
1.一种范德华异质结器件，其特征在于，包括从下到上依次设置的基底、二碲化钼纳米片、二硫化钼纳米片和金属电极，所述二碲化钼纳米片的横截面积大于所述二硫化钼纳米片的横截面积。2.根据权利要求1所述的一种范德华异质结器件，其特征在于，所述二碲化钼纳米片的厚度为0.7～10nm；和/或，所述二硫化钼纳米片的厚度为10～20nm。3.根据权利要求1所述的一种范德华异质结器件，其特征在于，所述二碲化钼纳米片的长度为10～50μm，宽度大于3μm且小于所述二硫化钼纳米片的长度，所述二硫化钼纳米片的长度为10～50μm，宽度大于3μm且小于所述二碲化钼纳米片长度的二分之一。4.根据权利要求1所述的一种范德华异质结器件，其特征在于，所述金属电极包括源极和漏极，所述源极设置在所述二硫化钼纳米片与所述二碲化钼纳米片的重叠区域上，所述漏极设置在所述二碲化钼纳米片上。5.根据权利要求4所述的一种范德华异质结器件，其特征在于，所述金属电极的材质为金、银、钛、铬、钯和铂中的一种或多种；优选为铬金复合层，下层为铬...

【专利技术属性】
技术研发人员：何军，尹蕾，程瑞清，王振兴，王峰，
申请(专利权)人：国家纳米科学中心，
类型：发明
国别省市：北京,11