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本发明公开了一种电阻等效二极管结构，包括Psub衬底，所述Psub衬底上设置有由SAB及正下方的N+区(或P+区)组成的电阻器件核心区，所述电阻器件核心区的左右各设置一由电阻器件基础层N+(或P+)和高浓度衬底P+ring(或N+ring)...
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