A CMOS TDI image sensor and its forming method include: a base, the base includes adjacent first and second regions, the first and second regions have first ions in the base, and the first channel in the first region has second ions, the second ions and the conductive class of the first ions in the first channel. A first gate structure on the surface of the first channel and a second gate structure on the surface of the base of the second region. The CMOS TDI image sensor has high charge readout efficiency and low dark current.
【技术实现步骤摘要】
CMOS-TDI图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种CMOS-TDI图像传感器及其形成方法。
技术介绍
时间延时积分(TimeDelayIntegration，TDI)图像传感器是线性图像传感器的一种演变。时间延时积分图像传感器的成像机理为对拍摄物体所经过的像素逐行进行曝光，将曝光结构累加，从而解决高速运动物体曝光时间不足所引起的成像信号弱问题。时间延时积分图像传感器能够增加有效曝光时间，提高图像信噪比。时间延时积分图像传感器分为CCD和CMOS两种。然而，由于CCD工艺的特殊性，无法在图像传感器伤集成其他处理电路，通用性和灵活性较差。另外一种TDI图像传感器为CMOS类型，该TDI图像传感器基于通用CMOS制造工艺，每个像素对应一个电荷转移区，转移至该区的电荷经过一个电荷放大模块转化为电压信号。传感器阵列逐行曝光速度与物体行进速度一致，每行像素输出一个电压信号。所有M行输出电压信号累加，对于M级TDI图像传感器，信号提升M倍，但电压域噪声也随之提升。然而，现有的CMOS-TDI图像传感器的性能仍较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题...
【技术保护点】
1.一种CMOS‑TDI图像传感器，其特征在于，包括：基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区，所述第一区和第二区基底内具有第一离子；位于所述第一区基底内的第一沟道，所述第一沟道内具有第二离子，所述第二离子与第一离子的导电类型相反；位于所述第一沟道表面的第一栅极结构；位于所述第二区基底表面的第二栅极结构。
【技术特征摘要】
1.一种CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，包括：基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区，所述第一区和第二区基底内具有第一离子；位于所述第一区基底内的第一沟道，所述第一沟道内具有第二离子，所述第二离子与第一离子的导电类型相反；位于所述第一沟道表面的第一栅极结构；位于所述第二区基底表面的第二栅极结构。2.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，n级像素区分别位于第一区和第二区内。3.如权利要求2所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，第1级至第n-1级的像素区位于第一区，第n级的像素区位于第二区。4.如权利要求2所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，第1级至第n-1级以及部分第n级的像素区位于第一区，部分第n级的像素区位于第二区。5.如权利要求4所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述第二栅极结构的个数为1个或者大于1个。6.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述第一栅极结构包括位于第一沟道表面的第一栅介质层和位于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王林，黄金德，
申请(专利权)人：昆山锐芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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