一种新型OLED驱动电路制造技术

本发明专利技术涉及一种新型OLED驱动电路，包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、电容C1及OLED；所述薄膜晶体管T1的控制端连接于n级扫描信号，源端连接于工作电压Vdata，漏端连接于T2的控制端、T5的漏端及电容C1的一端；所述薄膜晶体管T2的源端连接于T4的漏端，漏端连接于电容C1的B端；所述薄膜晶体管T3的控制端连接于n‑1级扫描信号，源端连接于基准电压Vref，漏端连接于电容C1的另一端及OLED的阳极；所述薄膜晶体管T4的控制端连接于控制信号Em，源端连接于工作电压VDD；所述薄膜晶体管T5的控制端连接于n‑1级扫描信号，源端连接于工作电压Vin；所述OLED的阴极接地。能够同时克服因OLED和TFT电性退化而造成驱动电流变化，以达到像素补偿和面板亮度均匀的效果。

A New OLED Driver Circuit

The invention relates to a novel OLED driving circuit, which includes thin film transistor T1, T2, T3, T4, T5, capacitor C1 and OLED; the control terminal of thin film transistor T1 is connected to N-level scanning signal, the source terminal is connected to working voltage Vdata, and the leakage terminal is connected to the control terminal of T2, the leakage terminal of T5 and the end of capacitor C1; the source terminal of thin film transistor T2 is connected to the leakage terminal of T4, and the leakage terminal is connected to the electric current. The control end of the thin film transistor T3 is connected to the n_1 scanning signal, the source end is connected to the reference voltage Vref, the drain end is connected to the other end of the capacitor C1 and the anode of OLED; the control end of the thin film transistor T4 is connected to the control signal Em, and the source end is connected to the working voltage VDD; the control end of the thin film transistor T5 is connected to the n_1 scanning signal, and the source end is connected to the working voltage VDD. The cathode of the OLED is grounded. It can overcome the change of driving current caused by the electrical degradation of OLED and TFT at the same time, so as to achieve the effect of pixel compensation and uniform brightness of panel.

【技术实现步骤摘要】
一种新型OLED驱动电路
本专利技术涉及有机发光二极管的
，特别涉及一种新型OLED驱动电路。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)依驱动方式可分为被动式矩阵驱动(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和主动式矩阵驱动(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两种。其中，PMOLED是当数据未写入时并不发光，只在数据写入期间发光。这种驱动方式结构简单、成本较低、较容易设计，主要适用于中小尺寸的显示器。最后，AM代表ActiveMatrix，是相对于PassiveMatrix而言的，是指每个OLED像素的驱动方式。在PassiveMatrix中，每个像素的控制是通过一个复杂的电极网络来实现的，从而实现某个像素的充放电，总体来说，PassiveMatrix的控制方式相对速度较慢，控制精度也稍低。而与PassiveMatrix不同，ActiveMatrix则是在每个LED上都加装了TFT和电容层，这样在某一行某一列通电激活相交的那个像素时，像素中的电容层能够在两次刷新之间保持充电状态，从而实现更快速和更精确的像素发光控制。由于AMOLED面板上的电压VDD于每个像素间都连接在一起，当驱动发光时，电压VDD上会有电流流过。考虑到VDD金属线本身具有阻抗，会有压降存在，造成每一像素的VDD会出现差异，导致不同像素间存在电流差异。如此一来，流经OLED的电流不同，所产生的亮度也不同，进而AMOLED面板不均匀。另外，由于制程的影响，每一像素中的薄膜晶体管的阈值电压均不相同，即使提供相同数值的电压Vdata，其所产生的电流仍然会有差异，这也将造成面板不均匀。此外，如果采用像素补偿电路对上述电压进行补偿，大部分补偿电路又会受限于扫描时间太短而影响补偿效果。解决这种方式在小尺寸上一般采用OLED内部补偿电路的方式，但是现在一般的补偿电路无法补偿TFT负向漂移状况，这样补偿电路就出现局限性。
技术实现思路
为此，需要提供一种新型OLED驱动电路，解决现有的OLED补偿电路无法补偿TFT负向漂移状况及因OLED恶化引起的电流变化的问题。为实现上述目的，专利技术人提供了一种新型OLED驱动电路，包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、电容C1及OLED；所述薄膜晶体管T1的控制端连接于n级扫描信号，源端连接于工作电压Vdata，漏端连接于T2的控制端、T5的漏端及电容C1的一端；所述薄膜晶体管T2的源端连接于T4的漏端，漏端连接于电容C1的B端；所述薄膜晶体管T3的控制端连接于n-1级扫描信号，源端连接于基准电压Vref，漏端连接于电容C1的另一端及OLED的阳极；所述薄膜晶体管T4的控制端连接于控制信号Em，源端连接于工作电压VDD；所述薄膜晶体管T5的控制端连接于n-1级扫描信号，源端连接于工作电压Vin；所述OLED的阴极接地。进一步优化，所述薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5为N型结构。区别于现有技术，上述技术方案，驱动电路采用薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5的五个开关、一个电容C1及一个OLED构成5T1C架构，从而将该驱动电路的运作时序一次划分为复位阶段、补偿阶段、数据写入阶段和发光阶段，而由于薄膜晶体管T2在复位阶段及数据写入阶段均处于关断状态，OLED并不会发光，延长了OLED的使用寿命。而且薄膜晶体管T2在发光处于开通状态，流经OLED的电流不仅与薄膜晶体管T1的阈值电压无关，而且与OLEDdevice驱动电压(阳极电压)无关，因而能够同时克服因OLED和TFT电性退化而造成驱动电流变化，以达到像素补偿和面板亮度均匀的效果。附图说明图1为具体实施方式所述新型OLED驱动电路的一种电路示意图；图2为具体实施方式所述新型OLED驱动电路的时序示意图；图3为具体实施方式所述新型OLED驱动电路在复位阶段t1的电路示意图；图4为具体实施方式所述新型OLED驱动电路在补偿阶段t2的电路示意图；图5为具体实施方式所述新型OLED驱动电路在数据写入阶段t3的电路示意图；图6为具体实施方式所述新型OLED驱动电路在发光阶段t4的电路示意图；图7为具体实施方式新型OLED驱动电路的TFTVth变化下的OLED阳极电压变化量的示意图。具体实施方式为详细说明技术方案的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。请参阅图1，本实施例所述新型OLED驱动电路，包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、电容C1及OLED；其中，所述薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5为N型结构。所述薄膜晶体管T1的控制端连接于n级扫描信号，源端连接于工作电压Vdata，漏端连接于T2的控制端、T5的漏端及电容C1的一端；所述薄膜晶体管T2的源端连接于T4的漏端，漏端连接于电容C1的B端；所述薄膜晶体管T3的控制端连接于n-1级扫描信号，源端连接于基准电压Vref，漏端连接于电容C1的另一端及OLED的阳极；所述薄膜晶体管T4的控制端连接于控制信号Em，源端连接于工作电压VDD；所述薄膜晶体管T5的控制端连接于n-1级扫描信号，源端连接于工作电压Vin；所述OLED的阴极接地。驱动电路采用薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5的五个开关、一个电容C1及一个OLED构成5T1C架构，从而将该驱动电路的运作时序一次划分为复位阶段、补偿阶段、数据写入阶段和发光阶段，而由于薄膜晶体管T2在复位阶段及数据写入阶段均处于关断状态，OLED并不会发光，延长了OLED的使用寿命。而且薄膜晶体管T2在发光处于开通状态，流经OLED的电流不仅与薄膜晶体管T1的阈值电压无关，而且与OLEDdevice驱动电压(阳极电压)无关，因而能够同时克服因OLED和TFT电性退化而造成驱动电流变化，以达到像素补偿和面板亮度均匀的效果。具体原理如下：图2给出了本实施例所述新型OLED驱动电路的时序示意图，将该驱动电路的运作时序一次划分为四个阶段，分别为：复位阶段t1、补偿阶段t2、数据写入阶段t3和发光阶段t4。跟具体地，在复位阶段t1，主要复位A和B点电压；在补偿阶段t2，主要提取薄膜晶体管T1的VTh；在数据写入阶段t3，主要是写入数据讯号；而在发光阶段t4，在驱动OLEDdevice时，提取OLED的驱动电压(阳极电压)实现OLEDdevice补偿。具体各个阶段的过程如下：图3所示新型OLED驱动电路在复位阶段t1的电路示意图，复位阶段t1：scan(n-1)讯号为高电位，薄膜晶体管T3和T5全部打开，此时A点电位为Vin，B点电位为Vref，其中Vini-Vref>TFT的Vth，保证薄膜晶体管T2能够打开，此阶段完成A点和B点电位的复位。图4所示新型OLED驱动电路在补偿阶段t2的电路示意图，补偿阶段t2：scan(n)和scan(n-1)低电位，Em为高电位，薄膜晶体管T2和T4打开，此时A点的电位为Vin，B点的电位会发生变化，当A和B点的电压差异为Vth时薄膜晶体管T2关闭，此时B点的电压为Vini-Vth；此时需注意，该补偿方式可以同时薄膜晶体管T2的正负shift，如当薄膜晶体管T2的Vth＝-1V时，此时B点电位会变为Vin+1V，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型OLED驱动电路，其特征在于，包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、电容C1及OLED；所述薄膜晶体管T1的控制端连接于n级扫描信号，源端连接于工作电压Vdata，漏端连接于T2的控制端、T5的漏端及电容C1的一端；所述薄膜晶体管T2的源端连接于T4的漏端，漏端连接于电容C1的B端；所述薄膜晶体管T3的控制端连接于n‑1级扫描信号，源端连接于基准电压Vref，漏端连接于电容C1的另一端及OLED的阳极；所述薄膜晶体管T4的控制端连接于控制信号Em，源端连接于工作电压VDD；所述薄膜晶体管T5的控制端连接于n‑1级扫描信号，源端连接于工作电压Vin；所述OLED的阴极接地。

【技术特征摘要】
1.一种新型OLED驱动电路，其特征在于，包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、电容C1及OLED；所述薄膜晶体管T1的控制端连接于n级扫描信号，源端连接于工作电压Vdata，漏端连接于T2的控制端、T5的漏端及电容C1的一端；所述薄膜晶体管T2的源端连接于T4的漏端，漏端连接于电容C1的B端；所述薄膜晶体管T3的控制端连接于n-1级扫描信号，...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35