紫外光复合光栅及等离子装置制造方法及图纸

本揭露有关于一种紫外光复合光栅及等离子装置。此紫外光复合光栅包含第一格栅及第二格栅。第一格栅设有多个第一穿孔，及第二格栅设有多个第二穿孔，且第一穿孔及第二穿孔是交错设置。第一格栅是由不透光材料所制成，且第二格栅是由滤光材料所制成。紫外光复合光栅可滤除波长小于180nm的紫外光。

【技术实现步骤摘要】
紫外光复合光栅及等离子装置
本揭露是有关一种紫外光复合光栅，且特别是提供一种适用于等离子装置的紫外光复合光栅。
技术介绍
半导体材料的发展驱使半导体装置的大幅成长。为了提升半导体装置的装置密度与效能，并降低其成本，半导体装置中各层薄膜的堆叠、表面性质与结构设计均是被积极地研究发展。为了形成不同的设计结构，蚀刻制程是常用的制程技术，其中蚀刻制程包含覆盖光阻层至半导体装置上，以避免蚀刻剂侵蚀被覆盖的区域。于蚀刻制程后，为了沉积及/或形成接续的薄膜，光阻层是进一步通过等离子处理移除。
技术实现思路
根据本揭露的一态样，提出一种紫外光复合光栅。此紫外光复合光栅包含第一格栅及第二格栅，其中第二格栅对准并平行于第一格栅。第一格栅设有多个第一穿孔，且第二格栅设有多个第二穿孔。这些第一穿孔错开第二穿孔。第一格栅是由不透光材料所制成。第二格栅是由绿光材料所制成，且此滤光材料可滤除波长小于180nm的紫外光。根据本揭露的另一态样，提出一种等离子装置。此等离子装置包含真空腔体、加热装置、紫外光复合光栅、及射频线圈。真空腔体的顶端设有气体入口。加热装置是配置以加热半导体晶圆，且加热装置设置于真空腔体的底端。紫外光复合光栅设置于气体入口及加热装置之间，且紫外光复合光栅平行于加热装置的加热面。紫外光复合光栅的垂直投影面积实质大于或等于半导体晶圆的垂直投影面积。此紫外光复合光栅包含上格栅及下格栅。下格栅对准并平行于上格栅。上格栅设有多个第一穿孔，且下格栅设有多个第二穿孔，其中第一穿孔错开第二穿孔。上格栅及下格栅的一者是由不透光材料所制成，且另一者是由滤光材料所制成，其中滤光材料可滤除波长小于180nm的紫外光。射频线圈设置于气体入口及紫外光复合光栅之间。附图说明从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的态样有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸可任意地增加或减少。图1A是绘示根据本揭露的一些实施例的紫外光复合光栅的立体示意图；图1B是绘示根据本揭露的一些实施例沿着图1A的剖切线A-A’剖切的紫外光复合光栅的剖面示意图；图2A是绘示根据本揭露的一些实施例的紫外光复合光栅的立体示意图；图2B是绘示根据本揭露的一些实施例沿着图2A的剖切线A-A’剖切的紫外光复合光栅的剖面示意图；图3A是绘示根据本揭露的一些实施例的紫外光复合光栅的立体示意图；图3B是绘示根据本揭露的一些实施例沿着图3A的剖切线A-A’剖切的紫外光复合光栅的剖面示意图；图4A是绘示根据本揭露的一些实施例的紫外光复合光栅的立体示意图；图4B是绘示根据本揭露的一些实施例沿着图4A的剖切线A-A’剖切的紫外光复合光栅的剖面示意图；图5A是绘示根据本揭露的一些实施例的等离子装置的剖面示意图；图5B是绘示根据本揭露的一些实施例的图5A的等离子装置产生等离子时，紫外光复合光栅的剖面示意图。具体实施方式以下的揭露提供了许多不同的实施例或例子，以实施专利技术的不同特征。以下所描述的构件与安排的特定例子是用以简化本揭露。当然这些仅为例子，并非用以做为限制。举例而言，在描述中，第一特征形成于第二特征上方或上，可能包含第一特征与第二特征以直接接触的方式形成的实施例，而也可能包含额外特征可能形成在第一特征与第二特征之间的实施例，如此第一特征与第二特征可能不会直接接触。此外，本揭露可能会在各例子中重复参考数字及/或文字。这样的重复是基于简单与清楚的目的，以其本身而言并非用以指定所讨论的各实施例及/或配置之间的关系。另外，在此可能会使用空间相对用语，以方便描述来说明如附图所绘示的一元件或一特征与另一(另一些)元件或特征的关系。除了在图中所绘示的方向外，这些空间相对用词意欲含括元件在使用或操作中的不同方位。设备可能以不同方式定位(旋转90度或在其他方位上)，因此可利用同样的方式来解释在此所使用的空间相对描述符号。此外，“所制成(madeof)”的用语可指为“包含(comprising)”或“所组成(consistingof)”等用语。于半导体制程中，蚀刻制程常用以在各薄膜中形成所要求的半导体结构以及各层的特定结构，例如：沟渠(trench)、通道(channel)、垫(pad)及/或窗(via)等。其中，光阻层是覆盖于不须被蚀刻的区域上，以避免被蚀刻介质侵蚀。当进行蚀刻制程后，光阻层须进一步移除，以沉积及/或形成接续的薄膜。一般光阻层可通过等离子处理移除。于等离子处理中，气体解离所形成的等离子是同时具有自由基与低波长的紫外光光子(亦即高能量的紫外光光子)，其中自由基可用以移除光阻层，但若这些低波长的紫外光光子直接照射待处理的半导体晶圆时，这些高能量的紫外光光子会破坏半导体晶圆，而使半导体晶圆形成更严重的硅缺陷。据此，等离子中的这些紫外光光子须通过光栅滤除。然而，随着半导体制程越趋复杂，其中的蚀刻处理、等离子处理及/或沉积制程等制程步骤亦使得半导体晶圆更容易产生空位(vacancy)及/或双空位(divacancy)等硅缺陷。当硅缺陷的数量过多或范围过大时，半导体晶圆容易破损毁坏。本揭露揭示一种紫外光复合光栅及其应用。通过本揭露的紫外光复合光栅，真空紫外光(VacuumUltra-Violet；VUV)可被滤除，以避免高能量的紫外光光子直接照射半导体晶圆，来避免产生更多的硅缺陷。此外，当滤除后的其他紫外光光子照射至半导体晶圆时，半导体晶圆中的硅缺陷亦可被有效地回复，而提升半导体晶圆的品质。请同时参照图1A及图1B，其中图1A是绘示根据本揭露的一些实施例的紫外光复合光栅的立体示意图，且图1B是绘示根据本揭露的一些实施例沿着图1A的剖切线A-A’剖切的紫外光复合光栅的剖面示意图。紫外光复合光栅100包含第一格栅110及第二格栅120，且第二格栅120是对准并平行于第一格栅110。第一格栅110设有多个第一穿孔111，且第二格栅120设有多个第二穿孔121。第一穿孔111是错开第二穿孔121，以使光线无法由紫外光复合光栅100的一侧直接穿过第一穿孔111与第二穿孔121，而无法照射至紫外光复合光栅100的另一侧。须理解的是，此处所言的“直接穿过穿孔”是指光线不经反射或折射等传递机制，而可以直线传递的路径直接穿过穿孔。第一格栅110是由不透光材料所制成。在一些实施例中，不透光材料可包含但不限于铝、其他适当的不透光材料或上述材料的任意混合。第二格栅120是由滤光材料所制成，且此滤光材料可滤除波长小于180nm的紫外光。在一些实施例中，此滤光材料可滤除真空紫外光。在一些实施例中，此滤光材料可包含但不限于石英材料、蓝宝石材料(sapphire)、其他适当的滤光材料或上述材料的任意混合。在一些具体例中，石英材料可包含但不限于商品名为GEType214的熔融石英(fusedquartz)、商品名为GEType219的熔融石英、其他可滤除波长小于180nm的紫外光的石英材料或上述材料的任意组合。据此，由于第一格栅110是由不透光材料所制成，第二格栅120是由滤光材料所制成，且第一穿孔111与第二穿孔121是交错设置，故紫外光复合光栅100可遮蔽波长小于180nm的紫外光。在一些实施例中，第一格栅110与第二格栅120间的距离D12实质是大于0毫本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种紫外光复合光栅，其特征在于，该紫外光复合光栅包含：一第一格栅，设有多个第一穿孔，其中该第一格栅是由一不透光材料所制成；以及一第二格栅，对准并平行于该第一格栅，其中该第二格栅设有多个第二穿孔，所述多个第二穿孔错开所述多个第一穿孔，该第二格栅是由一滤光材料所制成，该滤光材料滤除波长小于180nm的紫外光。

【技术特征摘要】
1.一种紫外光复合光栅，其特征在于，该紫外光复合光栅包含：一第一格栅，设有多个第一穿孔，其中该第一格栅是由一不透光材料所制成；以及一第二格栅，对准并平行于该第一格栅，其中该第二格栅设有多个第二穿孔，所述多个第二穿孔错开所述多个第一穿孔，该第二格栅是由一滤光材料所制成，该滤光材料滤除波长小于180nm的紫外光。2.根据权利要求1所述的紫外光复合光栅，其特征在于，该第一格栅与该第二格栅间的一距离是大于0且小于或等于4毫米。3.根据权利要求1所述的紫外光复合光栅，其特征在于，每一所述第一穿孔与每一所述第二穿孔的一孔径分别为3毫米至4毫米。4.根据权利要求1所述的紫外光复合光栅，其特征在于，该滤光材料包含石英材料。5.根据权利要求1所述的紫外光复合光栅，其特征在于，该紫外光复合光栅还包含：至少一第三格栅，对准并平行于该第一格栅及该第二格栅，且该至少一第三格栅分别设有多个第三穿孔，其中所述多个第三穿孔错开所述多个第一穿孔或所述多个第二穿孔。6.一种等离子装置，其特征在于，该等离子装置包含：一真空腔体，其中该真空腔体的一顶端设有一气体入口；一加热装置，配置以加热一半导体晶圆，且该加热装置设于该真空腔体的一底端；一...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛仁傑，苏庆忠，卢玠甫，卢竹佑，于隆基，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71