一种有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供一种有机电致发光器件，属于有机光电技术领域。该器件具有式化学式Ⅰ、Ⅱ所示的化合物，在第一电子传输层和第二电子传输层的共同作用下，有效实现了载流子注入平衡，提高了激子的产生和利用率。本发明专利技术提供的有机发光器件具有启动电压低、发光效率高、使用寿命长的优点，将该化合物作为电子传输层使用而制成的有机电致发光器件，表现出驱动电压低、发光效率高的优点，是性能优良的有机发光材料。

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光器件
本专利技术涉及有机光电
，具体涉及一种有机电致发光器件。
技术介绍
随着信息产业的进步，传统的显示器已不能满足人们的要求，如：阴极射线管(cathoderaytube,CRT)显示器体积大、驱动电压高；液晶显示器(liquidcrystaldisplay,LCD)亮度低、视角窄、工作温度范围小；等离子显示器(plasmadisplaypanel,PDP)造价昂贵、分辨率不高、耗电量大。有机电致发光二极管(organiclight-emittingdiodes,OLEDs)是以有机物为发光材料的新型电致发光器件，作为一种全新的显示技术在各种性能上拥有现有显示技术无以伦比的优势，凭借着其制备工艺简单、具有全固态、自主发光、亮度高、高分辨率、视角宽(170度以上)、响应速度快、厚度薄、体积小、重量轻、可使用柔性基板、低电压直流驱动(3-10V)、功耗低、工作温度范围宽等，使得它的应用市场十分广泛，如照明系统、通讯系统、车载显示、便携式电子设备、高清晰度显示甚至是军事领域。通常，OLED采用层状或层压结构，典型的有机发光器件其结构为一般包括阴极、阳极及处于电极之间的有机物层。器件的组成包括透明ITO阳极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、LiF/Al等功能层。有机电致发光器件通过在阴极、阳极两端施加电压，注入电流，电子和空穴经过各有机功能层后，在发光层结合形成激子，激子回到稳定的基态从而产生辐射发光。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种有机电致发光器件，本专利技术提供的第一电子传输层材料和第二电子传输层材料化合物稳定性好，电子迁移率高，玻璃化温度高，成膜性好，合成方法简单易操作，制备的有机电致发光器件具有良好的发光效率和寿命表现。本专利技术首先提供一种有机发光器件，包括阴极、阳极、位于所述阴极和所述阳极之间的有机物层，其中有机物层包括第一电子传输层与第二电子传输层，其特征在于，所述的第一电子传输层含有化学式(I)所示的化合物，所述的第二电子传输层含有化学式(Ⅱ)所示的化合物：其中R、R1、R2独立地选自氢、取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；其中R4、R5独立地选自氢、氰基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种，R4、R5至少一个为氰基；其中R6选自氢、卤素、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；其中X相同或者不同的选自CR3或者N，其中R3选自氢、取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种，并且至少一个为N；其中L选自单键、取代或未取代的C6～C30的二价芳基、取代或未取代的C3～C30的二价杂芳基中的一种。优选的，所述的R、R1、R2、R6独立地选自C1～C10的烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的任意一种。优选的，所述的R4、R5独立地选自氢、氰基、如下所示结构中的任意一种：优选的，所述的L选自单键或者如下所示结构中的任意一种：优选的，所述的第一电子传输层材料选自如下所示结构中的任意一种：优选的，所述的第二电子传输层材料选自如下所示结构中的任意一种：。本专利技术所述的第一电子传输层位于所述发光层和所述阳极之间。本专利技术所述的第二电子传输层位于所述发光层和所述的第一电子传输层之间。本专利技术的有益效果：本专利技术提供一种有机发光器件，通过设计器件结构，采用第一电子传输层与第二电子传输层，双层电子传输材料相结合的方式制备所述的有机发光器件。本专利技术中的第一电子传输层材料在一端引入吡啶、嘧啶和三嗪类容易接受电子的结构，增加载流子的传输性；在特定位置，引入桥连结构，一方面可以增大化合物分子量，使得到的材料具有高玻璃化转变温度并且能够防止结晶的作用，另一方面使得这类化合物在空间立体结构上有一定的扭曲，提高其成膜性；在侨联结构的另一端在引入氰基类容易接受电子的结构，增加载流子的传输性。本专利技术中的第二电子传输层材料中的三亚苯化合物具有容易接受空穴的能力，引入桥连结构，一方面可以增大化合物分子量，使得到的材料具有高玻璃化转变温度并且能够防止结晶的作用，另一方面使得这类化合物在空间立体结构上有一定的扭曲，提高其成膜性。另一端在特定位置引入吡啶、嘧啶和三嗪类容易接受电子的结构，增加载流子的传输性。此外，这种化合物使两个部分局部化，并且控制共轭体系的流动，使得化合物具有两极性，L又打断了两部分相互作用，使得激子向相邻的其他有机物层扩散的最小化。具体实施方式为了进一步理解本专利技术，下面结合实施例对本专利技术优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本专利技术的特征和优点，而不是对本专利技术权利要求的限制。需要说明的是，除非另有规定，本专利技术所使用的科技术语的含义与本领域技术人员通常所理解的含义相同。本专利技术所述烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，其可以为直链烷基、支链烷基或环烷基，实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、环戊基、环己基等，但不限于此。本专利技术所述芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，其可以为单环芳基或稠环芳基，实例可包括苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基或芘基等，但不限于此。本专利技术所述杂芳基是指芳基中一个或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫、氮或硅原子，所述杂芳基可以为单环或稠环，实例可包括吡啶基、吩噻嗪基、吩恶嗪基、嘧啶基、苯并嘧啶基、咔唑基、三嗪基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、吖啶基等，但不限于此。本专利技术所述的二价芳基是指芳烃分子的两个芳核碳上各去掉一个氢原子后，剩下的二价基团的总称，其可以为二价单环芳基或二价稠环芳基，例如可选自亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基、亚芘基、亚芴基或亚苯并菲基等，但不限于此。本专利技术所述二价杂芳基是指二价芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替换得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，所述二价杂芳基可以为二价单环杂芳基或二价稠环杂芳基，例如可以选自亚吡啶基、亚喹啉基、亚咔唑基、亚噻吩基、亚苯并噻吩基、亚呋喃基、亚苯并呋喃基、亚嘧啶基、亚苯并嘧啶基、亚咪唑基或亚苯并咪唑基等，但不限于此。本专利技术所述取代的烷基、取代的芳基、取代的杂芳基等中，所述取代基可以独立的选自氘原子、氰基、硝基、卤素原子、C1-C10的烷基、C1-C10的烷氧基、C1-C10的烷硫基、C1-C30的芳基、C1-C30的芳氧基、C1-C30的芳硫基、C3-C30的杂芳基，C1～C本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光器件，包括阴极、阳极、位于所述阴极和所述阳极之间的有机物层，其中有机物层包括第一电子传输层与第二电子传输层，其特征在于，所述的第一电子传输层含有化学式(I)所示的化合物，所述的第二电子传输层含有化学式(Ⅱ)所示的化合物：

【技术特征摘要】
1.一种有机发光器件，包括阴极、阳极、位于所述阴极和所述阳极之间的有机物层，其中有机物层包括第一电子传输层与第二电子传输层，其特征在于，所述的第一电子传输层含有化学式(I)所示的化合物，所述的第二电子传输层含有化学式(Ⅱ)所示的化合物：其中R、R1、R2独立地选自氢、取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；其中R4、R5独立地选自氢、氰基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种，R4、R5至少一个为氰基；其中R6选自氢、卤素、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；其中X相同或者不同的选自CR3或者N，其中R3选自氢、取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种，并且至少一个为N；其中L选自单键、取代或未取代的C6～C30的二价芳基、取代或...

【专利技术属性】
技术研发人员：张弘，蔡辉，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林,22