一种空穴传输元件及其有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供一种空穴传输元件及其有机发光器件，属于有机光电材料技术领域。本发明专利技术提供的一种空穴传输元件由联芳胺类基质材料和呋喃、噻吩轴烯类掺杂材料组成。该元件可以通过基质与掺杂材料之间的协同效果，显著提高器件的导电性能；不同的基质材料和掺杂材料组合可以取得显著高于NPB掺杂F4TCNQ的效果，继而取得更高的发光效率。此外，由于本申请中掺杂剂的极性普遍很大，可以更好地分散在基质材料中，有效避免了发光效率的降低。

【技术实现步骤摘要】
一种空穴传输元件及其有机电致发光器件
本专利技术涉及有机光电材料
，具体涉及一种空穴传输元件及其有机电致发光器件。
技术介绍
近年来，人们普遍发现在空穴传输物质，如TPD、NPB或者MTDATA等中掺杂强电子受体如2,3,4,6-四氟-四腈基-1,4-苯醌二甲烷(F4TCNQ)，可以有效地提高空穴迁移率。经研究发现，这是由于受体分子通过电子供体材料中的电子转移过程产生空穴，导致了电导率的显著改变。掺杂可以明显提高了空穴传输材料的空穴迁移率，对有机光电材料领域有着巨大的意义。然而，空穴传输材料具有较深的HOMO能级，常常需要更强的掺杂物质进行匹配。因此有必要继续探索不同掺杂物质与基质材料间的最好组合。另一方面，由于掺杂物质在有机层中不均匀的扩散，导致界面间载流子迁移率的不一致，明显影响了发光效率，这些问题都需要研究改进。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种空穴传输元件及其有机电致发光器件，特别是在空穴传输物质中，引入强电子受体分子，增加其空穴传输能力。采用本专利技术所述一种空穴传输元件制备的有机发光器件，具有更高的发光效率。本专利技术首先提供了一种空穴传输元件，其特本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种空穴传输元件，其特征在于，包含：一种有机电致发光掺杂材料，如结构式I所示；和一种有机电致发光基质材料，如结构式II所示，

【技术特征摘要】
1.一种空穴传输元件，其特征在于，包含：一种有机电致发光掺杂材料，如结构式I所示；和一种有机电致发光基质材料，如结构式II所示，其中，所述B选自O或者S；所述A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8独立的选自氰基、硝基、卤素、三氟甲基、三氟甲氧基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；H-L-G结构式II其中，L选自C6～C30的取代或未取代的亚芳基、C3～C30的取代或未取代的亚杂芳基中的一种；H选自以下结构式II-1：其中，P选自C6～C30的取代或未取代的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；M选自以下结构式II-1-1或结构式II-1-2：其中，n选自0～4的整数；D选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基、取代或未取代的C6～C30的芳胺基中的一种；X选自O、S、NR1、C(R2)2中的一种；R1选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；R2选自C1～C30的取代或未取代的烷基、C6～C30的取代或未取代的芳基中的一种；R2可以相互连结成环；CY1、CY2独立的选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者以下基团中的一种：其中，Y选自N(R4)、C(R5)2、S、SO2、O中的一种；R4选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；R5选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基中的一种；R5可以相互连结成环；表示单键的连接位点所在位置；虚线表示并环的连接位点所在位置；其中，E选自氢、C1～C30的取代或未取代的烷基、C6～C30的取代或未取代的芳基、C6～C30的取代或未取代的杂芳基；C6～C30的取代或未取代的芳胺基中的一种；t选自0～4的整数；R6选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的杂芳基的C3～C30中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙可一，高春吉，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林,22