【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电荷传输半导体材料和包含其的电子器件本专利技术涉及电荷传输半导体材料，其制备方法以及包含所述材料的半导体器件。自从Tang等,1987[C.W.Tang等,Appl.Phys.Lett.(应用物理快报)51(12)913(1987)]证明低工作电压以来，有机发光二极管已成为实现大面积显示器的有希望的候选者。它们由一系列薄的(通常1nm至1μm)有机材料层组成，所述有机材料层可以通过真空沉积、通过旋涂沉积或通过以其聚合物形式从溶液中沉积来制备。在通过金属层电接触之后，它们形成各种各样的电子或光电子组件，例如二极管、发光二极管、光电二极管和薄膜晶体管(TFT)，它们在性能方面与基于无机层的已知组件相竞争。在有机发光二极管(OLED)的情况下，由于外部施加的电压的结果，通过电荷载流子(来自一侧的电子，来自另一侧的空穴)从触点注入到相邻的有机层中，随后在有源区中形成激子(电子-空穴对)以及这些激子的辐射复合，从而由发光二极管产生和发射光。与常规无机组件(诸如硅、砷化镓的半导体)相比，这些有机组件的优点在于可以生产大面积元件，即大型显示元件(可视显示器、屏幕)。与无机材料相比...
【技术保护点】
1.一种电荷传输半导体材料，所述电荷传输半导体材料包含：a)至少一种电掺杂剂，和b)支化或交联的电荷传输聚合物，所述电荷传输聚合物包含通式Ia和/或Ib中的至少一个的环丁烯酮交联单元，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.22 EP 16156695.51.一种电荷传输半导体材料，所述电荷传输半导体材料包含：a)至少一种电掺杂剂，和b)支化或交联的电荷传输聚合物，所述电荷传输聚合物包含通式Ia和/或Ib中的至少一个的环丁烯酮交联单元，其中aa)Pol1、Pol2、Pol3和Pol4是所述电荷传输聚合物的独立选择的链，bb)X1、X2、X3和X4是独立选择的任选的间隔基单元，或者独立地表示Pol1、Pol2、Pol3和Pol4链与环丁烯酮环的直接键合，cc)Z1、Z2、Z3和Z4独立地选自H、卤素或含碳基团；所述电荷传输半导体材料可通过一种方法获得，所述方法包括：i)提供一种溶液，所述溶液含有aaa)至少一种前体电荷传输化合物，所述前体电荷传输化合物包含至少一个具有通式II的共价连接的炔氧基基团其中X是任选的间隔基，所述间隔基还连接到所述前体电荷传输化合物的电荷传输结构部分，虚线表示与所述前体电荷传输化合物的电荷传输结构部分的键合，并且Z1、Z2、Z3和Z4独立地选自H、卤素或含碳基团，bbb)至少一种电掺杂剂，ccc)至少一种溶剂，ii)将所述溶液沉积在基底上，iii)除去所述溶剂，以及iv)使所述炔氧基基团反应以实现交联，优选通过加热进行反应，其中在所述步骤i)中提供的每一分子的所述前体电荷传输化合物的所述炔氧基基团的平均数等于或大于2，优选大于2.05。2.根据权利要求1所述的电荷传输半导体材料，其中所述前体电荷传输化合物是前体电荷传输低聚物或前体电荷传输小分子。3.根据权利要求1所述的电荷传输半导体材料，其中所述电荷传输化合物是电荷传输聚合物，所述电荷传输聚合物包含被至少一个悬垂侧基取代的乙烯结构单元，所述悬垂侧基包含至少一个电荷传输结构部分，所述电荷传输结构部分包含至少4个离域电子的共轭体系。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的电荷传输半导体材料，其中所述电荷传输结构部分包含在碳环或杂环的结构部分中。5.根据权利要求4所述的电荷传输半导体材料，其中所述电荷传输结构部分包含离域电子的芳族体系。6.根据权利要求5所述的电荷传输半导体材料，其中所述电荷传输结构部分包含至少两个独立地选自芳族环和杂芳族环的环。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的电荷传输半导体材料，其中所述电荷传输结构部分包含至少一个三价氮原子。8.根据权利要求6所述的电荷...
【专利技术属性】
技术研发人员：凯·莱德雷尔，斯特芬·伦格，扬·布洛赫维茨尼莫特，费利克斯·林贝格，哈特穆特·克吕格尔，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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