一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜及其应用，属于光学技术领域。本发明专利技术导电膜依次包括一种衬底、附着衬底上的银纳米线透明导电涂层、保护层、透明导电氧化物层。银纳米线透明导电层厚度为10‑500纳米；保护层厚度为5‑5000nm；透明导电氧化物层厚度为2‑500nm。本发明专利技术导电膜可实现高光透过率、低方阻、高化学稳定性、高耐磨性和高匹配性等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜及其应用
本专利技术涉及一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜及其应用，属于光学

技术介绍
透明导电膜因其具有高透光性和良好的导电性，被广泛应用于显示器件、调光玻璃和太阳能电池等领域。现行透明导电膜多为塑料或者玻璃上溅射透明导电氧化物(TCO)，主要为氧化铟锡(ITO)、F掺杂ZnO(FZO)、Al掺杂ZnO(AZO)等，虽然实现了透明导电性，但其生产工艺复杂，成本大，而且方阻一般较大，脆性大，不可弯曲。银纳米线是一种新兴导电纳米材料，直径多在10-500纳米之间，长度从几个微米到几百个微米。由银纳米线构成的导电薄膜，具有高透、低方阻以及柔性可挠曲等优点，被视为最可能取代金属氧化物导电薄膜的材料，可广泛应用于触摸屏、太阳能电池及有机发光二级光等。但由于银纳米线具有较高的化学活性，银纳米线导电膜耐候性、耐摩擦性等相比ITO而言略有不足，对下游材料和工艺需求较高，提高了下游生产成本。
技术实现思路
针对上述现有银纳米线导电膜或TCO导电膜缺点，本专利技术提供一种银纳米线和TCO复合透明导电膜，可实现高光透过率、低方阻、高化学稳定性、高耐本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，依次包括：包括一种衬底、附着衬底上的银纳米线透明导电涂层、保护层、透明导电氧化物层。

【技术特征摘要】
1.一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，依次包括：包括一种衬底、附着衬底上的银纳米线透明导电涂层、保护层、透明导电氧化物层。2.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的衬底为高分子塑料，厚度为20-500微米；所述的高分子塑料为PET、PP、PE、PI或PC。3.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的银纳米线透明导电涂层厚度为10-500nm。4.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的保护层为树脂，厚度为5-5000nm。5.根据权利要求4所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的树脂为聚氨酯、丙烯酸树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂中的一种或一种以上组合。6.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的透明导电氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾宏伟，戚芬强，冀月田，
申请(专利权)人：顾氏纳米科技浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33