一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜制造技术

本实用新型专利技术公开了一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，属于光学技术领域。本实用新型专利技术导电膜依次包括一种衬底、附着衬底上的银纳米线透明导电涂层、保护层、透明导电氧化物层。银纳米线透明导电层厚度为10‑500纳米；保护层厚度为5‑5000nm；透明导电氧化物层厚度为2‑500nm。本实用新型专利技术导电膜可实现高光透过率、低方阻、高化学稳定性、高耐磨性和高匹配性等优点。

A Transparent Conductive Film of Silver Nanowires and Transparent Conductive Oxides

【技术实现步骤摘要】
一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜
本技术涉及一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，属于光学

技术介绍
透明导电膜因其具有高透光性和良好的导电性，被广泛应用于显示器件、调光玻璃和太阳能电池等领域。现行透明导电膜多为塑料或者玻璃上溅射透明导电氧化物(TCO)，主要为氧化铟锡(ITO)、F掺杂ZnO(FZO)、Al掺杂ZnO(AZO)等，虽然实现了透明导电性，但其生产工艺复杂，成本大，而且方阻一般较大，脆性大，不可弯曲。银纳米线是一种新兴导电纳米材料，直径多在10-500纳米之间，长度从几个微米到几百个微米。由银纳米线构成的导电薄膜，具有高透、低方阻以及柔性可挠曲等优点，被视为最可能取代金属氧化物导电薄膜的材料，可广泛应用于触摸屏、太阳能电池及有机发光二级光等。但由于银纳米线具有较高的化学活性，银纳米线导电膜耐候性、耐摩擦性等相比ITO而言略有不足，对下游材料和工艺需求较高，提高了下游生产成本。
技术实现思路
针对上述现有银纳米线导电膜或TCO导电膜缺点，本技术提供一种银纳米线和TCO复合透明导电膜，可实现高光透过率、低方阻、高化学稳定性、高耐摩擦性和高匹配性等优点。本技术的第一个目的是提供一种银纳米线(AgNWs)和透明导电氧化物(TCO)复合透明导电膜，从下至上依次包括：一种衬底、附着衬底上的银纳米线透明导电涂层、保护层和透明导电氧化物层(TCO层)。进一步地，所述衬底为高分子塑料，厚度为20-500微米。进一步地，所述衬底为PET、PP、PE、PI或PC。进一步地，所述的银纳米线透明导电膜厚度为10-500nm。进一步地，所述的保护层为树脂。进一步地，所述的保护层为聚氨酯、丙烯酸树脂、酚醛树脂或聚酰胺树脂中的一种或一种以上组合。进一步地，所述的保护层的厚度为5-5000nm。进一步地，所述的透明导电氧化物为SnO2、InO、CdO、ZnO及其掺杂体系SnO2:F、SnO2:Sb、In2O3:Sn、ZnO:Al、ZnO:F中的一种或者一种以上组合。进一步地，所述的透明导电氧化物为氧化铟锡(ITO)、F掺杂ZnO(FZO)或Al掺杂ZnO(AZO)中的一种或一种以上组合。进一步地，所述的透明导电氧化物层的厚度为2-500nm。银纳米线透明导电膜起主要导电作用；保护层不仅能够提高银纳米线导电膜的化学稳定性和耐候性，而且增强了其附着能力，使其牢牢附着于衬底之上，同时又增加了与TCO层的结合力；TCO层增加了银纳米线层的导电能力，同时对银纳米线层进一步提供保护，增加其耐候性和化学稳定性，而且使膜材更适用于后端进一步加工处理。本技术的有益效果：1、稳定性高。本技术用保护层和TCO层对银纳米线薄膜提供双重保护，有效隔绝外部水汽，氧气与紫外线，使膜材具有高化学稳定性和耐候性。2、导电膜与衬底结合力高，电阻率低，透过性高。3、高匹配性。表层所用为TCO，后端进一步加工时无需更改原物料和工艺，适应性强。4、成本低。相比传统TCO导电膜，同等方阻下，由于复合膜以银纳米线为主要导电层，具有更低成本优势。附图说明图1是本技术复合导电膜的结构示意图，其中，1、衬底；2、银纳米线透明导电涂层；3、保护层；4、TCO导电层。具体实施方式下面结合附图和具体实案例，对本技术做进一步描述：实施例1：选用厚度为50微米的PET作为基材，在上面涂布银纳米线墨水，经干燥固化后，得到厚度为40nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层，所得保护层厚度为50nm，然后溅渡FZO层，厚度为10nm。得到银纳米线和FZO复合导电膜。实施例2：选用厚度为50微米的PET作为基材，在上面涂布银纳米线墨水，经干燥固化后，得到厚度为40nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层，所得保护层厚度为50nm，然后溅渡AZO层，厚度为20nm。得到银纳米线和AZO复合导电膜。实施例3：选用厚度为50微米的PET作为基材，在上面涂布银纳米线墨水，经干燥固化后，得到厚度为80nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层，所得保护层厚度为50nm，然后溅渡ITO层，厚度为10nm。得到银纳米线和ITO复合导电膜。实施例4：选用厚度为125微米的PET作为基材，在上面涂布银纳米线墨水，经干燥固化后，得到厚度为40nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层，所得保护层厚度为50nm，然后溅渡ITO层，厚度为10nm。得到银纳米线和ITO复合导电膜。实施例5：选用厚度为50微米的PET作为基材，在上面涂布银纳米线墨水，经干燥固化后，得到厚度为40nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层，所得保护层厚度为100nm，然后溅渡ITO层，厚度为10nm。得到银纳米线和ITO复合导电膜。对比例1：用厚度为50微米的PET作为基材，在上面涂布银纳米线墨水，经干燥固化后，得到厚度为40nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层，所得保护层厚度为50nm。表1导电膜的方阻与透过率类别实施例1实施例2实施例3实施例4实施例5对比例1方阻(Ω/sq)50.036.325.050.050.080透过率93％91％90％92％93％94％以上所述实施例仅是为充分说明本技术而所举的较佳的实施例，本技术的保护范围不限于此。本
的技术人员在本技术基础上所作的等同替代或变换，均在本技术的保护范围之内。本技术的保护范围以权利要求书为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，依次包括：包括一种衬底、附着衬底上的银纳米线透明导电涂层、保护层、透明导电氧化物层。

【技术特征摘要】
1.一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，依次包括：包括一种衬底、附着衬底上的银纳米线透明导电涂层、保护层、透明导电氧化物层。2.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的衬底为高分子塑料。3.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，厚度为20-500微米。4.根据权利要求2所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的高分子塑料为PET、PP、PE、PI或PC。5.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的银纳米线透明导电涂层厚度为10-500nm。6.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾宏伟，戚芬强，冀月田，
申请(专利权)人：顾氏纳米科技浙江有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33