解码方法及相关的闪存控制器与电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种应用于闪存控制器的解码方法，其包括有以下步骤：自闪存模块中读取第一数据；对所述第一数据进行解码，并根据所述第一数据的解码结果标记所述快闪记忆模块中至少一特定地址，其中所述特定地址对应到所述第一数据中具有高可靠度错误的数据；自所述闪存模块中读取第二数据；以及参考所述特定地址来对所述第二数据进行解码。通过本发明专利技术可以在解码过程中降低这些会发生高可靠度错误的浮闸晶体管的影响，以提升解码成功的机率。

【技术实现步骤摘要】
解码方法及相关的闪存控制器与电子装置
本专利技术涉及解码方法，尤其涉及一种应用在闪存控制器的解码方法。
技术介绍
为了进一步提升存储装置的容量，立体NAND型闪存(3DNAND-typeflash)模块被开发出来，以通过多层堆栈的制程来提升闪存的存储密度。然而，由于立体NAND型闪存模块中的位线(bitline)是具有较大宽高比(aspectratio)的垂直线，因此其蚀刻制程并无法使得位线的每一个区段都具有相同的宽度，例如位线的上方端具有较粗的宽度，而位线的上方端则较细，因此容易造成位线与字线(wordline)之间的短路，或是其他的短路/断路问题。特别地，上述短路问题可能会使得立体NAND型闪存中某些特定地址出现高可靠度错误(HighReliabilityError，HRE)，也就是当读取所述多个特定地址上的信息并进行软解码的过程中，会出现某些具有较高可靠度的错误位，而这些具有较高可靠度的错误位会严重影响到解码操作，并有可能造成解码失败。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的之一在于提供一种解码方法，其可以解决闪存模块因为上述高可靠度错误而造成解码负担的问题。在本专利技术的一个实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于一闪存控制器的解码方法，其特征在于，包括有：自一闪存模块中读取一第一数据；对所述第一数据进行解码，并依据所述第一数据的解码结果标记所述快闪记忆模块中至少一特定地址，其中所述特定地址对应到所述第一数据中具有高可靠度错误的数据；自所述闪存模块中读取一第二数据；以f及参考所述特定地址来对所述第二数据进行解码。

【技术特征摘要】
2018.07.19 TW 107124970;2017.08.08 US 62/542,3181.一种应用于一闪存控制器的解码方法，其特征在于，包括有：自一闪存模块中读取一第一数据；对所述第一数据进行解码，并依据所述第一数据的解码结果标记所述快闪记忆模块中至少一特定地址，其中所述特定地址对应到所述第一数据中具有高可靠度错误的数据；自所述闪存模块中读取一第二数据；以f及参考所述特定地址来对所述第二数据进行解码。2.如权利要求1所述的解码方法，其特征在于，对所述第一数据进行解码，并依据所述第一数据的解码结果标记所述快闪记忆模块中所述至少一特定地址的步骤包括有：根据所述第一数据的解码结果于一表格中记录所述快闪记忆模块中所述至少一特定地址。3.如权利要求1所述的解码方法，其特征在于，对所述第一数据进行解码是一软解码操作，且对所述第一数据进行解码的过程中会针对所述第一数据的每一个位计算出一初始位值以及一可靠度，而所述第一数据中具有高可靠度错误的数据是指具有高的所述可靠度但是所述初始位值却是错误的。4.如权利要求1所述的解码方法，其特征在于，依据所述第一数据的解码结果标记所述快闪记忆模块中所述至少一特定地址的步骤包括有：针对所述第一数据的每一个位：读取所述闪存模块以得到对应到所述位的一初始位值以及至少两个软位；对所述位值以及所述至少两个软位进行软解码，以得到所述位的一最终位值以及一可靠度；判断所述最终位值以及所述初始位值是否相同；若是所述最终位值不同于所述初始位值，且所述位具有高的所述可靠度，则判断所述位为具有高可靠度错误的位，并将所述位于所述闪存模块中的地址作为所述特定地址以记录在所述表格中。5.如权利要求4所述的解码方法，其特征在于，所述解码方法还包括有：记录所述特定地址在所述第一数据的解码过程中对应到具有高可靠度错误的位的发生次数。6.如权利要求1所述的解码方法，其特征在于，所述第二数据对应到所述至少一特定地址，且所述解码方法还包括有：对所述第二数据进行解码；若是对所述第二数据解码失败，则将所述第二数据中对应所述至少一个特定地址的至少一位进行修改以产生一修改后第二数据；以及对所述修改后第二数据进行解码。7.如权利要求6所述的解码方法，其特征在于，所述第二数据对应到多个特定地址，且所述解码方法还包括有：记录所述多个特定地址在所述第一数据的解码过程中对应到具有高可靠度错误的位的发生次数；其中所述至少一位为对应到具有高可靠度错误的位的发生次数最多的所述特定地址。8.如权利要求1所述的解码方法，其特征在于，所述解码方法还包括有：判断所标记的位于所述闪存模块中一区块内的至少一特定地址的数量是否高于一临界值；若是所述数量高于所述临界值，则将所述区块标记为无效。9.一种闪存控制器，其中所述闪存控制器是用来存取一闪存模块，其特征在于，所述闪存控制器包括有：一只读存储器，用来存储一程序代码；一微处理器，用来执行所述程序代码以控制对所述闪存模块的存取；以及一解码器；其中所述解码器自所述闪存模块中读取一第一数据后对所述第一数据进行解码，并根据所述第一数据的解码结果标记所述快闪记忆模块中至少一特定地址，其中所述特定地址对应到所述第一数据中具有高可靠度错误的数据；所述解码器自所述闪存模块中读取一第二数据，并参考所述特定地址来对所述第二数据进行解码。10.如权利要求9所述的闪存控制器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宗杰，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71